• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.32 no.3
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• pp.179-186
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• 2019

This work investigated the effects of different conductive agents on the electrochemical properties of anodes. SiOx possesses high theoretical capacity and shows excellent cycle performance; however, the low initial coulombic efficiency and poor electrical conductivity limit its applications in real batteries. In this study, electrodes were fabricated using two different conductive agents, and the resulting physical and electrochemical properties were analyzed. SEM observations confirmed the formation of a CNT conductive network throughout the electrodes, while the electrical conductivity contributed to the electrode was confirmed by impedance measurements. Thus, the electrode fabricated with the CNT conductive agent showed greater capacity and superior cycle performance than did the electrode fabricated using the DB conductive agent.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.26 no.3
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• pp.75-80
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• 2019

Silicon solar cells have been widely used as a most promising renewable energy source due to eco-friendliness and high efficiency. As modules of silicon solar cells are connected in series for a practical electricity generation, a large voltage of 500-1,500 V is applied to the modules inevitably. Potential-induced degradation (PID), a deterioration of the efficiency and maximum power output by the continuously applied high voltage between the module frames and solar cells, has been regarded as the major cause that reduces the lifetime of silicon solar cells. In particular, the migration of the $Na^+$ ions from the front glass into Si through the anti-reflection coating and the accumulation of $Na^+$ ions at stacking faults inside Si have been reported as the reason of PID. In this research, the thickness effect of $SiO_x$ layer that can block the migration of $Na^+$ ions on the reduction of PID is investigated as it is incorporated between anti-reflection coating and p-n junction in p-type PERC solar cells. From the measurement of shunt resistance, efficiency, and maximum power output after the continuous application of 1,000 V for 96 hours, it is revealed that the thickness of $SiO_x$ layer should be larger than 7-8 nm to reduce PID effectively.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.24 no.6
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• pp.11-21
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• 2009

에너지를 절약하고 제품을 축소하기 위하여 전력공급 장치나 전력변환 장치에 사용되는 전력반도체는 전력용 파워스위칭 소자와 제어 IC로 구성되어 전력을 시스템에 맞게 배분하는 제어와 변환기능을 가진 반도체로 단순히 전력을 조절하고 전달하는 역할에서 에너지효율 제고 및 시스템 안정성과 신뢰성을 좌우하는 역할로 확장되어 가고 있고, 교토의정서 등의 지구 온난화 방지노력과 글로벌 환경규제의 확대로 친환경 절전형 부품/시스템 개발이 절실히 요구되는 실정이다. 이에 따라, 본 고에서는 스마트환경, 그린에너지, 예방진단 등 미래 인간생활 대응을 통해 신기술 및 신시장을 창출하는 신성장 동력 분야인 저전력, 고효율, 저발열, 저소음 등 환경 친화적으로 동작하여 에너지 효율 및 $CO_2$ 배출에 직접적인 영향을 미치는 친환경 절전형 전력반도체 기술 동향에 대해 논의하고자 한다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.24 no.6
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• pp.1-10
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• 2009

지능형 센서 네트워크 기반의 첨단 IT 시스템을 이용한 실시간 환경 관리 및 보안 서비스를 제공하는 스마트 빌딩에서 다양한 빌딩내 환경 및 보안 정보를 감지하여 실시간으로 전달, 판단, 처리 및 제어할 수 있는 지능형 센서노드 플랫폼의 핵심 부품인 각종 센서의 제품 기술과 산업 현황을 분석하고 관련 센서 기술 및 산업의 미래 전망을 예측하였다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.24 no.6
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• pp.99-109
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• 2009

현재 주목을 받고 있는 테라헤르츠 대역의 주파수를 이용한 무선통신시스템 응용기술 동향에 대하여 기술한다. 테라헤르츠 대역은 전자파 스펙트럼에서 밀리미터파 대역과 원적외선 대역의 중간에 위치하는 100GHz~10THz 사이의 주파수이다. 현재 시점에서 10년 이내에 약 15Gbps의 데이터 속도가 필요할 것으로 판단되며, 10Gbps 이상의 전송속도를 실현하기 위해서는 기존의 밀리미터파에서 사용하는 주파수 대역폭 보다 더 넓은 대역폭이 필요하며, 이 대역폭을 얻기 위해서는 테라헤르츠 주파수 대역으로 자연적으로 옮겨가지 않을 수 없다. 본 고에서는 테라헤르츠 대역의 전파 특성, 가용 주파수 대역과 무선통신시스템 응용을 위한 옥내 채널 모델, 테라헤르츠 무선통신시스템 연구동향, RF 송수신기 핵심부품 및 MMIC 기술개발 동향을 소개하고자 한다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.10 no.3 s.37
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• pp.165-171
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• 1995

이동통신 기술은 수요의 증가에 따라 눈부신 발전을 계속하고 있다. 그중 에서도 단말기 및 기지국 시스템 사용의 간편성 및 휴대성을 고려한 소형화 추세는 계속 연구대상이 되고 있으며, 또한 이들을 구성하는 부품의 소형화, 고기능화 및 저가격화를 요구하고 있다. 본 고에서는 이와 같은 단말기와 기지국 시스템의 소형화 요구에 따라 송수신 신호를 분리하기 위하여 안테나 바로 밑단에 사용되는 듀플렉서의 기술동향에 대하여 정리하였다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.10 no.3 s.37
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• pp.183-189
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• 1995

최근 통신서비스의 보급확대에 따른 통신용 단말기의 수요가 증가하고 있으나 단말기 용 핵심 부품인 서큘레이터를 전량 수입에 의존하고 있다. 본 고에서는 페라이트 재료 개발 및 측정, 접함 서큘레이터, 서큘레이터의 결합방법, 회전자의 평판 회로에 대한 수치해석, 주파수 선택의 한계, GaAs 복합물, Si에 사용하는 반도체 기술을 이용한 응용기술, 페라이트 구조에 가격과 크기를 줄이기 위하여 보다 간단한 단일체 회로를 제시 그리고 새로운 구조 연구와 정확한 설계에 대한 이론 연구가 활발히 진행되고 있는 유럽, 미국 일본의 기술동향과 문제점 및 대책을 기술하였다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.25 no.5
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• pp.1-10
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• 2010

스마트폰, 태블릿 PC의 등장과 더불어 모바일 IT 제품들은 빠르게 소형화, 슬림화, 저전력화 되고 있으며, 이런 시스템의 요구에 대응하기 위하여 음향부품은 기술 전환기를 맞이하고 있다. 대표적 음향소자로는 소리를 전기적 신호로 변환하는 센서인 마이크로폰과 전기 에너지를 소리 에너지로 변환하는 액추에이터인 스피커가 있는데, 최근초소형 MEMS 마이크로폰과 초박형 압전 스피커와 같은 새로운 제품이 시장에서 주목받고 있다. 본 고에서는 음향소자의 기술 개요, 새로운 제품의 장단점 및 개발 동향, 그리고 시장 및 산업 동향을 살펴봄으로써 관련 국내 업계가 기술 전환기를 대비하는 데 필요한 기초 정보를 제공하고자 한다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.25 no.5
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• pp.47-58
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• 2010

최근의 코히어런트 광통선 기술의 발전에 힘있어, 차세대 대용량 광통신 분야에 있어서 기술혁신이 이루어지고 있다, 코히어런트 광통신 기술은 100Gbps급의 전송망에서 표준으로 채택되었을 뿐만 아니라, 그 이상의 속도를 가지는 광통신망을 실현할 유일한 대안으로 그 중요성이 더해 갈 것으로 전망된다. 본 고에서는 그 중에서 직교위상변조기, 편광변환기, 편광분리기, 광하이브리드 및 밸런스 광검출기 등의 핵심 광부품기술의 현황 및 전망에 대해서 기술하였다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.28 no.2
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• pp.58-69
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• 2013

LTE 기반의 펨토셀 활용과 개발에 대한 요구는 LTE로의 이동통신 서비스가 본격화되면서, 최근 몇 년간 중요한 이슈로 자리매김하고 있다. 기지국 장비의 재설치와 주파수의 효율적인 활용 측면에서 펨토셀 기지국은 이동통신 서비스 사업자와 가입자에게 동시에 중요한 역할을 수행할 것으로 보인다. 이러한 펨토셀 기지국의 필요성을 충족시켜 주기 위해서는 펨토셀 기지국의 형상과 기능에서 그 본래의 요구를 만족시켜 주는 것이 중요하다. 무엇보다도, LTE 기반의 펨토셀 기지국은 기기의 간편한 설치와 매크로셀 기지국의 오프로딩이라는 역할을 충실히 수행할 수 있는지가 핵심적 평가 요소가 될 것이다. 이를 위해서는 펨토셀 기지국의 핵심 부품인 베이스밴드 SoC(System on a Chip) 성능 및 기능이 펨토셀 기지국 전체의 경쟁력을 판단하는 데 중요한 척도 중에 하나가 될 것이다. 본고에서는 이러한 관점에서 ETRI가 개발한 LTE 펨토셀 기지국의 베이스밴드 SoC를 중심으로 그 형상과 개발 과정을 기술하고 해외 업체들의 베이스밴드 칩셋의 형상과 개발상황에 대해서 자세히 기술하기로 한다.