• Title/Summary/Keyword: 전압 효과

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A Study on InSb Magnetic Sensor using Hall Effect (Hall효과를 이용한 InSb가 자기 Sensor에 관한 연구)

  • Jeon, Chun-Saeng
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.4 no.1
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    • pp.113-116
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    • 1994
  • InSb thin film magnetic sensor, which have been prepared on glass substrate by vacuum evaporation, is investigated in this paper. The dependance of Hall voltage on magnetic field and temperature is examined by Hall effect. The variation of Hall voltage with magnetic field is almost linear at constant current drive but it is deviated from the linearity at constant voltage drive. Hall voltage decreases as the ambient temperature increases, so it is necessary to take into account the temperature effect when the InSb thin film is used as magnetic sensor.

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Analysis of DIBL Characteristics for Double Gate MOSFET Using Series (급수를 이용한 DGMOSFET의 DIBL 특성 분석)

  • Han, Ji-Hyung;Jung, Hak-Kee;Jeong, Dong-Soo;Lee, Jong-In;Kwon, Oh-Shin
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • 2011.05a
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    • pp.709-711
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    • 2011
  • 본 연구에서는 Double-gate MOSFET의 DIBL(Drain Induced Barrier Lowering)의 특성을 분석하기 위하여 분석학적 전송모델을 사용하였으며 분석학적 모델을 유도하기 위하여 포아송방정식을 풀 때 급수함수를 이용하였다. 단채널 효과에서는 유효채널길이 감소와 문턱전압 감소 그리고 DIBL이 있다. DIBL은 드레인 전압 변화에 따른 문턱전압의 변화로 알 수 있다. 채널길이가 감소하면 DIBL은 감소하지만, 채널길이가 감소하면 단채널 효과가 증가한다. 본 논문에서는 채널길이에 따른 DIBL을 분석하였고, 또한 채널 두께 및 게이트 산화막의 두께에 대한 DIBL에 대하여 분석하였다.

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KEPCO SSSC Analysis using EMTDC (EMTDC를 이용한 SSSC 제어효과 분석)

  • Yoon Jong-Su;Kim Soo-Yeol;Lee Won-Kyo;Chang Byung-Hoon;Choi Young-Chul
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2006.06a
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    • pp.181-184
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    • 2006
  • FACTS 기술은 송전계통에 전압원 인버터를 설치하여 모선 전압과 전력조류를 제어하므로 송전용량 증대 및 계통 안정도 향상을 가능케하는 신기술이다. 국내에서는 2003년 최초의 FACTS Pilot Plant인 80MVA UPFC가 154kV 강진 변전소에 설치되었다. UPFC는 STATCOM과 SSSC가 DC 커패시터를 통하여 결합된 구조로 되어 모선전압과 유효/무효전력 조류의 독립적인 제어가 가능하며 계통 운전 상황에 따라 STATCOM과 SSSC의 단독운전 또한 가능하다. 따라서 STATCOM 및 SSSC 단독운전시의 계통영향에 대한 분석이 필요하다. 본 논문은 EMTDC 모델을 이용하여 현재 운전중인 강진 변전소 UPFC의 직렬 운전모드인 40MVA SSSC의 제어특성과 운전효과 분석에 대하여 기술하였다.

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Analysis of the Electrical Characteristics with Channel Length in n-ch and p-ch poly-Si TFT's (채널 길이에 따른 n-채널과 p-채널 Poly-Si TFT's의 전기적 특성 분석)

  • Back, Hee-Won;Lee, Jea-Huck;Lim, Dong-Gyu;Kim, Young-Ho
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 1999.11d
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    • pp.971-973
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    • 1999
  • 채널길이에 따른 n-채널과 p-채널 poly-Si TFT's를 제작하고 그 전기적 특성을 분석하였다. n-채널과 p-채널소자는 공통적으로 기생바이폴라트 랜지스터현상(parasitic bipolar transistor action)에 의한 kink 효과, 전하공유(charge sharing)에 의한 문턱전압의 감소, 소오스와 드레인 근처의 결함에 의한 RSCE(reverse short channel effect) 효과, 수직전계에 의한 이동도의 감소, 그리고 avalanche 증식에 의한 S-swing의 감소가 나타났다. n-채널은 p-채널 보다 더 큰 kink, 이동도, S-swing의 변화가 나타났으며, 높은 드레인 전압에서의 문턱전압의 이동은 avalanche 증식(multiplication)에 의한 것이 더 우세한 것으로 나타났다. 누설전류의 경우, 채널 길이가 짧아짐에 따라 n-채널은 큰 증가를 나타냈으나 p-채널의 경우는 변화가 나타나지 않았다.

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Analysis of Drain Induced Barrier Lowering of Asymmetric Double Gate MOSFET for Channel Doping Profile (비대칭 DGMOSFET의 채널도핑분포함수에 따른 드레인 유도 장벽 감소현상 분석)

  • Jung, Hakkee
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • 2015.10a
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    • pp.863-865
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    • 2015
  • 본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널 내 도핑농도분포에 대한 드레인유도장벽감소(Drain Induced Barrier Lowering; DIBL)에 대하여 분석하고자한다. DIBL은 드레인 전압에 의하여 소스 측 전위장벽이 낮아지는 효과로서 중요한 단채널 효과이다. 이를 분석하기 위하여 포아송방정식을 이용하여 해석학적 전위분포를 구하였으며 전위분포에 영향을 미치는 채널도핑농도의 분포함수변화에 대하여 DIBL을 관찰하였다. 채널길이, 채널두께, 상하단 게이트 산화막 두께, 하단 게이트 전압 등을 파라미터로 하여 DIBL을 관찰하였다. 결과적으로 DIBL은 채널도핑농도분포함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차에 변화를 나타냈다. 특히 두 변수에 대한 DIBL의 변화는 최대채널도핑농도가 $10^{18}/cm^3$ 정도로 고도핑 되었을 경우 더욱 현저히 나타나고 있었다. 채널길이가 감소할수록 그리고 채널두께가 증가할수록 DIBL은 증가하였으며 하단 게이트 전압과 상하단 게이트 산화막 두께가 증가할수록 DIBL은 증가하였다.

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Isolated bidirectional DC-DC converter with high power conversion ratios (고 전력변환 비를 가지는 절연형 양방향 DC-DC 컨버터)

  • Lee, Sung-Ho;Kim, Kyu-Tae;Kwon, Jung-Min;Kwon, Bong-Hwan
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2013.07a
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    • pp.171-172
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    • 2013
  • 본 논문에서는 저 전압원과 고 전압원간의 양방향 전력 변환에 적합한 절연형 양방향 DC-DC 컨버터를 제안한다. 제안하는 컨버터는 저압 측에 전류형 능동 클램프 푸쉬풀 컨버터 구조와 고압 측에 배전압 회로를 가지는 하프 브릿지 구조를 가진다. 저압 측의 전류형 컨버터의 적용은 별도의 필터 없이도 저압 측의 전류 리플의 저감 효과 시킬 수 있으며, 고 주파수 변압기의 턴 비를 낮출 수 있다. 또한 배전압 회로를 통해 전류 대비 고압 측 소자의 전압 스트레스의 저감 효과를 기대할 수 있다. 최종적으로 제안하는 컨버터의 모의 실험결과를 통해 타당성을 검증한다.

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Control Method of Bi-Directional ZVS Three-Phase Isolated Interleaved DC-DC Converter (전 영역 ZVS가 가능한 양방향 3상 절연형 인터리브드 DC-DC 컨버터의 제어방법)

  • Lee, Ilyong;Lee, Byungha;Cha, Hanju
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2012.07a
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    • pp.337-338
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    • 2012
  • 본 논문에서는 전 영역 ZVS가 가능한 양방향 3상 절연형 인터리브드 DC-DC 컨버터의 제어방법에 대해 서술한다. 3상 절연형 인터리브드 DC-DC 컨버터는 모든 스위치가 ZVS동작을 하여 높은 효율을 갖고 3상 구조를 채택하여 전류경로의 분산을 통한 전력전달 능력의 증대 효과 및 입력전류 리플 크기를 줄여주는 인터리브드 효과를 갖는다. 승압/강압 능력이 있는 부스트/벅 컨버터의 구조는 낮은 권선비의 변압기로 높은 승압/강압 전력변환, 에너지원과 부하 사이에 절연이 가능한 구조이며, 인터리브 동작이 이루어짐에도 불구하고 3상을 각각 제어하지 않고 배터리의 전압전류와 출력전압만을 입력받아 벅모드와 부스트 모드 모두 전압, 전류제어를 수행함으로서 시스템의 간략화가 가능하였다. 따라서 본 논문에서는 제안된 DC-DC컨버터의 제어기를 구성하고 실험을 통해 확인하였다.

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IGBT Gate Drive Design Using Pspice Simulation (Pspice 시뮬레이션을 이용한 IGBT 게이트 드라이브 디자인)

  • 박석인;남광희
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 1998.07a
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    • pp.444-446
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    • 1998
  • Pspice을 사용하여 IGBT의 게이트 드라이브의 동작과 시스템의 단락에 의한 Fault 발생시 IGBT를 보호하기 위해서 밀러 효과에 의한 전류를 게이트 저항을 통하지 않고 이미터로 흐르게 하여 게이트 전압의 상승을 줄여주는 방법을 제안하고 게이트 전압을 낮게 클램핑하는 방법과 비교하였다.

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A Soft-switched Converter with Low-Voltage Rating of Switch for the 800V/14V LDC of EV (전기자동차 800V/14V LDC용 낮은 스위치 전압정격을 갖는 소프트 스위칭 컨버터)

  • Kim, Kangsan;Kim, Byungwoo;Choi, Sewan
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2017.11a
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    • pp.11-12
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    • 2017
  • 본 논문에서는 전기자동차 800V/14V LDC용 낮은 전압정격을 갖는 소프트 스위칭 컨버터를 제안한다. 제안하는 컨버터는 입력이 직렬구조로써 입력전압의 절반으로 낮은 스위치의 전압정격을 갖기 때문에 도통손실과 스위칭 손실 저감 효과를 갖고, 넓은 입력전압 및 부하영역에서 소프트 스위칭을 성취하여 높은 효율을 달성할 수 있으며 변압기의 직렬연결로 된 커패시터로 인해 자화전류의 오프셋이 없다. 제안하는 소프트 스위칭 컨버터의 동작원리를 제시하고 시작품을 통해 본 논문의 타당성을 검증하였다.

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Regulation of PWM AC/DC Converter Considering Unbalanced Input Voltage (불평형 입력 전압을 고려한 3상 PWM AC/DC 컨버터 제어)

  • 박규서;안성찬;현동석;최종률
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 1999.07a
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    • pp.476-479
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    • 1999
  • 일반적으로 3상 PWM AC/DC 컨버터는 정상상태 에러 제거 및 빠른 과도응답 특성을 얻기 위해 동기 좌표계상으로 모델링하여 제어한다. 그러나 이와 같은 제어기는 입력전압이 평형일 경우를 전제조건으로 하므로, 입력전원이 불평형인 경우 입력전류와 출력전압에 고조파 성분이 나타나게 된다. 본 논문에서는 전원전압을 동기좌표계상의 정/역상 분으로 분석한 후 두 축(D, Q)의 역기전력 보상성분을 전원전압의 상태에 따라 적절하게 가변하고, 무효 전력과 고조파 전력 성분을 선택적으로 제거함으로써 입출력 시스템의 역률 및 고조파 성분을 효과적으로 보상하기 위한 간단하면서도 효과적인 제어기법을 제안하고, 시뮬레이션과 실험을 통하여 검증하였다.

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