IGBT Gate Drive Design Using Pspice Simulation

Pspice 시뮬레이션을 이용한 IGBT 게이트 드라이브 디자인

  • 박석인 (포항공과대학 전자전기공학과) ;
  • 남광희 (포항공과대학 전자전기공학과)
  • Published : 1998.07.01

Abstract

Pspice을 사용하여 IGBT의 게이트 드라이브의 동작과 시스템의 단락에 의한 Fault 발생시 IGBT를 보호하기 위해서 밀러 효과에 의한 전류를 게이트 저항을 통하지 않고 이미터로 흐르게 하여 게이트 전압의 상승을 줄여주는 방법을 제안하고 게이트 전압을 낮게 클램핑하는 방법과 비교하였다.

Keywords