• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.45 no.2
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• pp.1-6
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• 2008

A compact analytical model of the threshold voltage for long-channel Asymmetric Double-Gate(ADG) MOSFET is presented. In contrast to the previous models, channel doping and carrier quantization are taken into account. A more compact model is derived by utilizing the potential distribution linearity characteristic of silicon film at threshold. The accuracy of the model is verified by comparisons with numerical simulations for various silicon film thickness, channel doping concentration and oxide thickness.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 1998.10a
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• pp.649-652
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• 1998

본 논문에서는 MICROTEC〔3,4〕시뮬레이터를 이용하여 소트키 다이오드를 형성하고 금속-반도체 쇼트키 접촉에서 턴 온 전압과 항복 전압을 관찰하였다. 또한 여러 가지 쇼트키 장벽 높이를 가지는 금속을 사용하여 동일한 디바이스에서 이들 금속-반도체 접촉에 전압을 인가했을 때, 순 방향에서 턴 온 특성을 관찰하여 턴 온 전압과 역 방향에서의 항복 현상을 관찰하여 항복 전압을 확인하였다. 사용된 금속은 Au(0.8V), Mo(0.68V), Pt(0.9V), Ti(0.5V) 이며 반도체는 실리콘 n/n 구조가 형성되었다. 쇼트키 다이오드는 대 전력용 보다는 높은 속도의 스위칭 디바이스에 주로 응용되고 있으며 장벽의 높이가 높을수록 뚜렷한 정류 특성을 나타내어 순 방향 바이어스에서 빠른 턴 온 특성이 예상되는데 시뮬레이션 결과 또한 잘 일치하였다. 그리고 다이오드의 I-V 특성을 관찰하기 위해 역 방향 바이어스에서의 항복 전압을 관찰하였는데 쇼트키 장벽이 높을수록 낮은 항복 전압이 나타났다. 또한 디바이스 공정에서 epitaxial과 열처리 공정 후의 2차원적인 농도 분포를 나타내었다.

• Electric Engineers Magazine
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• v.207 no.11
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• pp.21-29
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• 1999

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2012.10a
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• pp.818-821
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• 2012

This paper have analyzed the change of threshold voltage for conduction path of double gate(DG) MOSFET. The threshold voltage roll-off among the short channel effects of DGMOSFET have become obstacles of precise device operation. The analytical solution of Poisson's equation have been used to analyze the threshold voltage, and Gaussian function been used as carrier distribution to analyze closely for experimental results. The threshold voltages for conduction path have been analyzed for device parameters such as channel length, channel thickness, gate oxide thickness and doping concentration. Since this potential model has been verified in the previous papers, we have used this model to analyze the threshold voltage. Resultly, we know the threshold voltage is greatly influenced on the change of conduction path for device parameters of DGMOSFET.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2012.10a
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• pp.825-828
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• 2012

This paper have analyzed the change of breakdown voltage for conduction path of double gate(DG) MOSFET. The low breakdown voltage among the short channel effects of DGMOSFET have become obstacles of device operation. The analytical solution of Poisson's equation have been used to analyze the breakdown voltage, and Gaussian function been used as carrier distribution to analyze closely for experimental results. The change of breakdown voltages for conduction path have been analyzed for device parameters such as channel length, channel thickness, gate oxide thickness and doping concentration. Since this potential model has been verified in the previous papers, we have used this model to analyze the breakdown voltage. Resultly, we know the breakdown voltage is greatly influenced on the change of conduction path for device parameters of DGMOSFET.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.16 no.11
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• pp.2511-2516
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• 2012

This paper have analyzed the change of threshold voltage for conduction path of double gate(DG) MOSFET. The threshold voltage roll-off among the short channel effects of DGMOSFET have become obstacles of precise device operation. The analytical solution of Poisson's equation have been used to analyze the threshold voltage, and Gaussian function been used as carrier distribution to analyze closely for experimental results. The threshold voltages for conduction path have been analyzed for device parameters such as channel length, channel thickness, gate oxide thickness and doping concentration. Since this potential model has been verified in the previous papers, we have used this model to analyze the threshold voltage. Resultly, we know the threshold voltage is greatly influenced on the change of conduction path for device parameters of DGMOSFET.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.233-234
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• 2008

전력계통이 점점 더 복잡하고 광역화됨에 따라서 전압 및 무효전력 제어는 매우 중요한 문제로서 부각되고 있다. 전압 제어를 위해서는 전력계통 내의 조상설비들을 최적으로 운용하는 것이 중요하다. 따라서 전력계통에서 효과적인 전압제어를 위해서는 가능한 모선전압 크기의 차이가 없이 전압 분포가 이루어지는 것이 효과적이다. 본 논문의 목적함수로는 각 부하모선의 전압편차의 합을 최소화 함 을 사용하였으며, 최적 해를 찾는데 소요되는 연산시간을 단축시키기 위해 PC클러스터 기반 병렬 PSO 알고리즘을 이용한 기법을 제안하였다. 제안한 기법의 유용성을 보이기 위하여 IEEE 30모선 계통의 문제에 적용하였다. 검토결과 최적해 탐색성능의 저하 없이 연산시간을 단축할 수 있음을 확인하였다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.22 no.4
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• pp.66-71
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• 1985

A MOSFET with multigates arrayed in periodic structure is studied as a transit time device for microwave amplification. The interactions between the periodic metal gates and the slow wave on the surface of the semiconductor can be observed in the vicinity of synchronism. The stability and the reciprocity of the active quadrupole are shown depending on the frequency and velocity of the carriers.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2006.05a
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• pp.136-139
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• 2006

최근 전력수요의 급증과 더불어 기기의 소형화와 경랑화를 위해 고분자절연재료의 사용이 증가하였으며, 근래 들어 환경성의 문제가 거론되면서 반영구적인 절연재료의 요구가 급증하였다. 그로 인하여 초고압 케이블의 절연재료로서 가교폴리에틸렌이 사용되어지고 있다. 이에 본 논문에서는 초고압전력용 케이블에서 절연재료로 사용되고 있는 가교폴리에틸렌 (XLPE) 내부전계분포 및 파괴전압과의 상관관계를 알아보기 위해 케이블에 칩 전극을 삽입하여 두께를 0.5, 1, l.5 [mm] 변화시켜 파괴전계를 검출하였으며, 또한 와이블 해석을 통한 파괴전압의 척도파라미터룰 검출하여, 시뮬레이션 인가전압으로 사용하였다. 시뮬레이션 경계요소법 (BEM)을 이용한 3 차원 전계해석 프로그램으로 조사하였다.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.22 no.5
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• pp.7-12
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• 2008

This paper described results for desiging the best effective bushing geometry by comparing the distribution of the electric field according to bushing geometry. Twelve cases of the geometrical change are tried to analysis. Improvement of the insulation strength related with the vector and the electric field distribution are reached to about 0.7[%] and $21{\sim}26[%]$ by changing the electrode length, respectively. Moreover, in cases of the change of insulator thickness at high-voltage parts, the insulation strength relevant to the same parameters as mentioned above are 2[%] and $23{\sim}43[%]$, respectively Consequently, the quenching voltage for interrupting the partial discharge might be improved due to increasing the insulation strength by the geometrical change.