• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.13 no.4
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• pp.747-752
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• 2009

Three dimensional(3D) Poisson's equation is used to calculate the potential variation for FinFET in the channel to analyze subthreshold current and short channel effect(SCE). The analytical model has been presented to lessen calculating time and understand the relationship of parameters. The accuracy of this model has been verified by the data from 3D numerical device simulator and variation for dimension parameters has been explained. The model has been developed to obtain channel potential of FinFET according to channel doping and to calculate subthreshold current and threshold voltage.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.39 no.12
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• pp.1071-1079
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• 2002

This paper reports a methodology and application lot calculating distribution of the director in a liquid crystal cell by a numerical technique. To calculate distribution of the director, we applied a three dimensional finite element method (FEM) and calculated the distributions of electric potential and director in the liquid crystal cell. We have considered the free-energy density in the bulk of liquid crystal cell and calculated the switching property by the Ericksen-Leslie equation and the Laplace equation. We have calculated the optical transmission with distribution of the director by Berreman's method and confirmed the threshold voltage and the response time.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.226.1-226.1
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• 2014

이온빔 소스는 반도체 및 디스플레이 공정에 있어, 표면 에칭 및 증착 등 여러 응용 분야에 활발히 이용되고 있다. 본 연구에 사용된 원형 이온빔 소스는 선형 이온빔 소스의 가장자리에서의 특성 분석을 위해 제작되었으며, 높은 직류전압과 자기장 공간에서 플라즈마를 방전시키고 발생된 이온들을 가속시켜 높은 에너지의 이온빔을 발생시킨다. 이온빔 특성 분석을 위해 전위지연 탐침과 패러데이 탐침을 개발하였다. 전위지연 탐침은 격자판에 전압을 인가하여 선택적으로 이온을 수집하고, 이온의 에너지분포함수를 측정한다. 패러데이 탐침은 이온 수집기와 가드링으로 구성되어 수집기 표면에 일정한 플라즈마 쉬스를 형성하여 정확한 이온전류밀도를 측정한다. 본 연구에서는, 아르곤 기체를 이용하여 기체유량(8~12 sccm) 및 방전전압(1~2 kV)에 따라 방전전류 16~54 mA, 소모전력 16~108 mW의 특성을 보였다. 운전압력은 0.4~0.54 mTorr이며, 이온소스로부터 18 cm 거리에서 이온전류밀도와 이온에너지분포를 측정하였다. 또한, 중공음극선을 이용하여 인위적으로 전자를 이온 소스에서 발생된 플라즈마에 공급하고 이온빔 및 플라즈마의 특성 변화를 위 시스템에서 분석하였다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.22 no.6
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• pp.58-62
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• 1985

Analytical threshold voltage model of small size ion-implanted MOSFET's is proposed. Yau's model which is only applicable to MOSFET's with constant doping concentration was modified to handle the MOSFET's with nonuniform channel doping concentration and bird's beak, whereby the short and narrow-channel effect was quantitively described. Threshold voltage model for short-channel MOSFET's was derived by approximating the SUPREM result of channel impurity profile to a 2-step profile, and the narrow width be-haviour was successfully described using thr'weighting factor'to accommodate the doping profile in the bird's beak region.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.9 no.1
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• pp.64-70
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• 1999

The inrush current of transformer can flow when the overvoltage caused by surge or external faults is applied. In this paper, an algorithm for the calculation of this inruch current is proposed. The capacitances of windings are precalculated by using 3 dimensional FEM and are appended to circuit of the transformer. And transient characteristics of the transformer are analyzed by axisymmetric FEM which is coupled magnetic field of transformer and circuit of transformer. When a transformer encounters abnormal voltage, using the proposed method, internal magnetic field of transformer, voltages and currents of windings are calculated.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2003.07b
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• pp.648-653
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• 2003

영벡터로 V(000)이 적용된 종전의 2상 RCD-PWM(Random Centered Distribution PWM)은 변조지수 M이 1에 가까울수록, 모터 전압 및 전류 스펙트럼의 광대역화 효과가 증가되지 않는 단점이 있다. 본 연구에서는 M에 따라서 영벡터를 선택하는 2상 MZRCD(Multi-Zero Vectors RCD)기법을 제안하였다. 2상 MZRCD기법은 M이 0.7보다 크게되면 영벡터로 V(111)을 선택하고, 작은 경우에는 V(000)을 선택하여, M의 전 영역에 걸쳐서 스펙트럼의 광대역화를 이룰 수 있는 방법이다. 본 연구의 타당성을 입증하기 위하여 Matlab simulink에 의하여 시뮬레이션을 수행하였다. M의 변화에 따른 모터 전압 및 전류의 스펙트럼을 검토하였으며, M과 무관하게 모터 전압 및 전류 스펙트럼이 광대역으로 선형화된 분포를 얻을 수 있었다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.14 no.2
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• pp.10-16
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• 1977

Memory switching of the amorphous chalcogenide Ge-Te-Si memory devices were observed at various thicknesses and temperatures. For a given thickness, the distribution of threshold voltages shows a strong peaks, which is attributed to the intrinsic switching mechanism. The plot of Vth versus thickness indicates that threshold voltages were lowered and switching fields were raised as thickness was decreased. And threshold voltage sagged as temperature was raised and the fact that threshold voltage can be lowered at the temperature range under Tg was obtained.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.18 no.9
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• pp.2183-2188
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• 2014

This paper has analyzed threshold voltage movement for channel doping concentration of asymmetric double gate(DG) MOSFET. The asymmetric DGMOSFET is generally fabricated with low doping channel and fully depleted under operation. Since impurity scattering is lessened, asymmetric DGMOSFET has the adventage that high speed operation is possible. The threshold voltage movement, one of short channel effects necessarily occurred in fine devices, is investigated for the change of channel doping concentration in asymmetric DGMOSFET. The analytical potential distribution of series form is derived from Possion's equation to obtain threshold voltage. The movement of threshold voltage is investigated for channel doping concentration with parameters of channel length, channel thickness, oxide thickness, and doping profiles. As a result, threshold voltage increases with increase of doping concentration, and that decreases with decrease of channel length. Threshold voltage increases with decrease of channel thickness and bottom gate voltage. Lastly threshold voltage increases with decrease of oxide thickness.

• Journal of IKEEE
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• v.22 no.1
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• pp.74-79
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• 2018

We analyzed the relationship between center potential and subthreshold swing (SS) of Junctionless Cylindrical Surrounding Gate (JLCSG) and Junctionless Double Gate (JLDG) MOSFET. The SS was obtained using the analytical potential distribution and the center potential, and SSs were compared and investigated according to the change of channel dimension. As a result, we observed that the change in central potential distribution directly affects the SS. As the channel thickness and oxide thickness increased, the SS increased more sensitively in JLDG. Therefore, it was found that JLCSG structure is more effective to reduce the short channel effect of the nano MOSFET.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2003.10a
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• pp.174-177
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• 2003

본 논문에서는 AC PDP의 유지방전구간에서의 인가전압에 따른 방전전류, 공간전압, 벽전하 등의 변화를 새로운 AC PDP를 위한 등가회로모델을 사용하여 효율적이고 간편하게 시뮬레이션 한 결과를 소개한다. 벽전하의 정확한 분석은 안정적이고 효율적인 AC PDP의 구동 방법을 개발하기 위해 계속 연구, 보고 되어 왔지만, 인가되는 전압의 변화에 따른 시간적인 셀 내부의 변화를 빠르고 편리하게 분석하고 이해하는데 효과적인 방법은 제시되지 못하였다. 본 논문에서는 AC PDP의 전극간 물리적인 특성을 고려하여 3개의 직렬 커패시터와 1개의 병렬 커패시터, 2개의 싸이리스터를 사용하여 AC PDP를 위한 등가회로모델을 구성하여 제시하였다. 제안된 등가회로모델은 SPICE와 같은 표준 회로시뮬레이션 툴에 손쉽게 적용가능하며, 이러한 방법으로 분석된 패널내의 전류, 공간전압, 벽전하의 동특성을 소개하였다. 등가회로모델을 이용한 시뮬레이션 결과는 실험을 통한 측정 결과와 비교하여 그 정확성을 검증하였다. 인가전압의 시간적 변화의 따른 유입전류 및 셀 내의 전압 및 전하의 분포를 손쉽고 정확하게 시뮬레이션 할 수 있는 본 AC PDP의 등가회로모델은 AC PDP의 특성을 이해하는 데에 중요한 도구가 될 것이며 효율적인 구동 방식의 개발 및 분석 등에 널리 활용될 수 있을 것이다.