• Proceedings of the Korean Institute of Navigation and Port Research Conference
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• 2023.05a
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• pp.275-276
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• 2023

산업 현장의 기계 시설물 고장 문제는 큰 인명피해와 경제적 손실을 초래할 수 있기 때문에, 기계 시설물의 상태를 기반하여 고장을 진단하는 것은 대단히 중요하다. 따라서, 본 연구에서는 전류 센서 데이터를 활용하여, 시설물의 고장 여부를 진단할 수 있는 알고리즘을 제안한다. 본 연구에 활용된 전류 센서 데이터는 x, y, z축을 가진 3상 전류 데이터로 구성되어 있으며, 2kHz로 1초간 샘플링 되어 있다. 본 연구에서는 2차원적 특성을 가지는 전류 센서 데이터를 분석하기 위해 CNN(Convolution Neural Network)을 활용한다. 시설물의 고장진단에 가장 적합한 모델을 선정하기 위해 CNN의 대표적인 백본 네트워크를 활용하여, 결과를 비교하였다. 실험 결과, 본 연구에서 구성한 후보 백본 네트워크 중 ResNet의 분류 정확도가 98.5%로 가장 높게 나타났다.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2005.11a
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• pp.723-726
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• 2005

GALS (Globally Asynchronous Locally Synchronous) 시스템 기반의 SoC 설계에 필수적인 DI (Delay Insensitive) 데이터 전송방식 중 기존의 전압 모드 기반 설계 방식은 N 비트 데이터 전송에 물리적으로 2N+1 개의 도선이 필요하다. 이로 인한 전력 소모와 설계 복잡성을 줄이기 위해 N+1 개의 도선으로 N 비트 데이터를 전송할 수 있는 전류 모드 다치 논리 회로 기반 설계 방식이 연구되었다. 그러나, static 전력의 비중이 커 데이터 전송 속도가 낮을수록 전력 소모 측면에서 취약하고, 휴지 모드에서도 상당량의 전력을 소비한다. 본 논문에서는 이러한 문제점을 해결할 수 있는 전류 모드 기반 인코더와 디코더 회로를 제안하고, 이에 따른 새로운 전류 인코딩 기법을 설명한다. 마지막으로 기존의 전압 모드 및 전류 모드 방식과 delay, 전력 소비 측면에서 비교 데이터를 제시한다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.45 no.1
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• pp.7-13
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• 2008

This paper proposes a newly structured circuit that can compensate current deviation of a data driver circuit for OLED. A conventional data drivel circuit for OLED cannot compensate the current deviation at the data drivel circuit output terminal generated by MOS process change, but the proposed data drivel circuit can authorize uniform value of current to an OLED panel by calibrating the current deviation at the output terminal. The proposed circuit can minimize current deviation of the output current via process change by connecting the circuit for data output current with a common interconnect line through addition of a switching transistor to the existing data output circuit. The circuit proposed in this paper has been designed based on an OLED panel supporting $128{\times}128$ resolution, and the process used for driver circuit development is 0.35um. As a result of the experiment in this study, the output current of the data driver circuit proposed here has 1% range of error, while 9% range of severe changes was demonstrated in the case of the previous data driver circuit. When using the data driver circuit for OLED proposed in this paper, high definition OLED display can be actualized and the circuit can be applied to mobile display devices requiring high quality display features.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2006.06a
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• pp.305-307
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• 2006

기존에 사용되어 온 진동데이터를 이용한 유도전동기 고장진단 기법은 유도전동기의 전기적 결함을 파악하기 어렵고 특정 고장의 경우 유사한 진동주파수를 포함하고 있어 정확한 고장진단이 어렵다. 본 논문에서는 유도전동기 고장진단 시스템을 구현하기 위해 기존의 진동데이터 분석에 전류 분석기법 중의 하나인 MCSA(Motor Current Signature Analysis)기법을 추가하여 유도전동기 예지보전시스템의 신뢰성을 향상시켰다. 구현된 시스템의 신뢰성을 검증하기 위해 유도전동기의 고장진단을 위한 실험환경을 구축하고 진동데이터만을 이용하여 얻어진 고장진단 결과와 전류데이터 분석을 병행하여 얻어진 고장진단 결과를 비교 분석하였다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TE
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• v.39 no.4
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• pp.335-340
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• 2002

In this paper, the stress induced leakage currents of thin silicon oxides is investigated in the ULSI implementation with nano structure transistors. The stress and transient currents associated with the on and off time of applied voltage were used to measure the distribution of high voltage stress induced traps in thin silicon oxide films. The stress and transient currents were due to the charging and discharging of traps generated by high stress voltage in the silicon oxides. The transient current was caused by the tunnel charging and discharging of the stress generated traps nearby two interfaces. The stress induced leakage current will affect data retention in electrically erasable programmable read only memories. The oxide current for the thickness dependence of stress current, transient current, and stress induced leakage currents has been measured in oxides with thicknesses between 113.4${\AA}$ and 814${\AA}$, which have the gate area $10^3cm^2$. The stress induced leakage currents will affect data retention and the stress current, transient current is used to estimate to fundamental limitations on oxide thicknesses.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.05a
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• pp.129-130
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• 2008

송전선로에 설취된 애자들은 지속적인 전기적 기계적 스트레스에 노출되어 있기 때문에 여러 환경적 요인으로 인해 애자 표변의 열화가 가속된다. 이와 같은 애자의 표면 열화는 dryband를 형성하게 되고 지속적인 애자 표면상의 dryband와 누설 전류 증가의 상호 작용은 애자의 섬락를 일으키는 원인이 된다.[1][2] 이러한 연구의 결과 고전압용 애자로 유입되는 누설 전류는 애자 열화의 정도를 평가할 수 있는 매우 중요한 parameter임을 알 수 있다. 따라서 고전압용 애자의 누설전류를 분석하고 취득하여 애자의 열화 평가 및 이로 인해 발생할 수 있는 결함 애자의 검출에 대한 연구가 절실히 요구되고 있다, 본 논문에서는 고전압용 애자 중 자기애자의 누설전류 특성을 조사하기 위해 자체 제작한 실험 챔버, AC 내전압기, 전류센서r, 오실로스코프, PC등으로 구성된 실험 시스템을 구축하였고, 데이터 분석을 위한 S/W로서 LabView를 사용하였다. 그에 따른 실험 결과로서 정상 애자련과 결함 애자를 포함한 애자련의 누설전류 데이터를 취득하여 본 연구에서 제시한 알고리즘을 통해 분석함으로써 정상 애자 내의 결함 애자 포함 여부를 판별할 수 있었다.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.11 no.2
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• pp.111-117
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• 2002

In this paper, we proposed calibration techniques to improve measurement accuracy in the characteristic analysis system for semiconductor devices. Systematic errors can be reduced using proposed calibration techniques. Also, error current reduction procedures including leakage current and offset current are proposed to measure low-level current in pA level. Calibration parameters are calculated and stored by microprocessor using least-square fitting with measured sample data. During measurement time microprocessor corrects measured data using stored calibration parameters. Experimental results show that current measurement error above nA level is less than 0.02%. And they also show that current measurement in pA level can be performed with about 0.2% accuracy.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.8 no.3
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• pp.411-418
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• 1998

The thickness dependence of stress electric filed oxide currents has been measured in oxides with thicknesses between 10 nm and 80 nm. The oxide currents were shown to be composed of stress current and transient current. The stress current was composed of stress induced leakage current and dc current. The stress current was caused by trap assisted tunneling through the oxide. The transient current was caused by the tunneling charging and discharging of the trap in the interfaces. The stress current was used to estimate to the limitations on oxide thicknesses. The transient current was used to the data retention in memory devices.

• The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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• v.8 no.4
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• pp.89-95
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• 2008

In the maritime communication, Orthogonal Frequency Division Multiplexing (OFDM) communication terminal should be operated with low power consumption, because the communication should be accomplished in the circumstance of disaster. Therefore, Low power FFT processor is required to be designed with current mode signal processing technique than digital signal processing. Current- to-Voltage Converter (IVC) is a device that converts the output current signal of FFT processor into the voltage signal. In order to lessen the power consumption of OFDM terminal, IVC should be designed with low power design technique and IVC should have wide linear region for avoiding distortion of signal voltage. To design of one-chip of the FFT LSI and IVC, IVC should have a small chip size. In this paper, we proposed the new IVC with wide linear region. We confirmed that the proposed IVC operates linearly within 0.85V to 1.4V as a function of current-mode FFT output range of -100~100[uA]. Designed IVC will contribute to realization of low-power maritime data communication using OFDM system.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2011.07a
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• pp.58-59
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• 2011

본 논문은 전류에 따른 NiMH 배터리의 성능 변화를 충 방전 실험을 통하여 비교 분석하였다. 따라서 실험을 통하여 NiMH 배터리의 데이터시트에 있는 충 방전 특성곡선과 실제 실험을 통한 충 방전 특성곡선을 비교 분석한다. 또한 충 방전 전류의 크기에 따라 변하는 특성곡선의 차이를 비교 분석한다. 전류 변화에 의한 배터리 분석을 위해 0.2C, 0.5C, 1C, 2C 정전류 충 방전 실험과 동일한 C-rate로 펄스전류로 충 방전 실험을 하였다. 실험을 통해서 얻은 데이터로 1차 Randles 등가회로를 통해 C-rate변화와 잔존용량 변화에 의한 파라미터 분석과 잔존용량-개로전압 곡선에서의 충 방전 히스테리시스를 알아보았다.