• Proceeding of EDISON Challenge
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• 2016.03a
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• pp.135-139
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• 2016

본 연구에서는 동역학적 격자기반 대정준 Monte Carlo (Kinetic Lattice Grand Canonical Monte Carlo, KLGCMC) 모의실험 방법을 이용하여 모델 이온채널 내에서 KCl과 HCl의 이온 전류를 시간의 함수로 구하였다. KLGCMC 모의실험 계산 결과로부터 이온채널의 양이온 선택성이 더 큰 것을 확인 할 수 있었다. 또한 모의실험 결과를 통해 각 이온의 확산계수가 전류에 미치는 영향을 확인 할 수 있었다. $H^+$ 이온은 농도가 매우 작음에도 확산계수가 커 전체 전류에 큰 영향을 미쳤다. 반면에 확산계수가 작은 $K^+$ 이온은 이온채널 안에서 쉽게 흐르지 못하고 정체 되며, $H^+$ 이온의 전류흐름을 방해하는 것을 확인 할 수 있었고, 이로 인해 이온전류의 패턴이 시간에 따라 변화함을 알 수 있었다.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.11 no.2
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• pp.111-117
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• 2002

In this paper, we proposed calibration techniques to improve measurement accuracy in the characteristic analysis system for semiconductor devices. Systematic errors can be reduced using proposed calibration techniques. Also, error current reduction procedures including leakage current and offset current are proposed to measure low-level current in pA level. Calibration parameters are calculated and stored by microprocessor using least-square fitting with measured sample data. During measurement time microprocessor corrects measured data using stored calibration parameters. Experimental results show that current measurement error above nA level is less than 0.02%. And they also show that current measurement in pA level can be performed with about 0.2% accuracy.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2017.07a
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• pp.262-264
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• 2017

본 논문에서는 전류센서 스케일 오차 발생 시 오차 보정 방식에 대해 제시한다. 전류센서 스케일 오차는 회전자 기준 동기 좌표계에서 맥동하는 전류 및 직류 전류 오차를 야기하며, 이로 인해 전류 제어 성능 및 전동기 제어 성능이 떨어진다. 본 논문에서는 전류 제어기 출력에서 나타나는 직류 전압 오차를 수식적으로 분석하고 이를 통해 스케일 계수를 추정하여 스케일 오차로 발생하는 2고조파 전류 및 직류 전류 오차를 보상하는 방식에 대해 제시한다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2017.07a
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• pp.219-220
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• 2017

MMC 시스템은 각 암의 전류를 측정하기 위해 총 6개의 전류 센서를 사용한다. 이 때 암 전류 센서의 스케일링 오차가 발생하면, 암 전류에 포함된 스케일링 오차 계수로 인해 순환 전류가 효과적으로 제어 되지 않는다. 본 논문에서는 암 전류 센서의 스케일링 오차에 대한 보상 알고리즘을 제안하였다. 제안한 알고리즘은 실험을 통해 검증하였다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.14 no.5
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• pp.521-529
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• 2003

For complex-coupled (CC) DFB lasers, we found that there might be little correlation between the single mode yields at threshold and above threshold. At threshold, the single mode yield considering f number of in-phase (IP) CC DFB lasers is the same as that of anti-phase (AP) CC DFB lasers. However, the single mode yield as a function of injection current above threshold of IP CC DFB lasers is much different from that of AP CC DFB lasers. In the case of IP CC DFB lasers, the single mode yield increases as the coupling coefficient ratio (CR) increases, while, in the case of AP CC DFB lasers, the single mode yield decreases rapidly regardless of CR as the injection current increases. In the case of AR-HR combinations, the effect of AR ref1ectivity on the single mode yield increases as the coupling strength decreases. As the coupling strength decreases, the CR at which the increase rate of the single mode yield starts to decrease, increases, and the maximum single mode yield increases. Single mode yields of AR-HR and AR-AR combinations are larger than those of AR-CL and CL-CL combinations.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.46 no.8
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• pp.79-85
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• 2009

In this paper, an accurate current reference using temperature and process compensation current mirror (TPC-CM) is proposed. The temperature independent reference current is generated by summing a proportional to absolute temperature (PTAT) current and a complementary to absolute temperature (CTAT) current. However, the temperature coefficient and magnitude of the reference current are influenced by the process variation. To calibrate the process variation, the proposed TPC-CM uses two binary weighted current mirrors which control the temperature coefficient and magnitude of the reference current. After the PTAT and CTAT current is measured, the switch codes of the TPC-CM is fixed in order that the magnitude of reference current is independent to temperature. And, the codes are stored in the non-volatile memory. In the simulation, the effect of the process variation is reduced to 0.52% from 19.7% after the calibration using a TPC-CM in chip-by-chip. A current reference chip is fabricated with a 3.3V 0.35um CMOS process. The measured calibrated reference current has 0.42% variation for $20^{\circ}$C${\sim}$100$^{\circ}$C.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2009.04a
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• pp.318-321
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• 2009

누전차단기 설치 상태에서도 전기화재가 지속적으로 발생함에 따라 전기화재의 원인이 되는 전기 아크에 대한 관심이 증가하고 있는 실정으로 본 논문에서는 UL1699의 아크 저해시험(inhibition tests)에서 제시하고 있는 직렬 아크코장시험(Arc generator test)을 실시하고, 아크고장전류 분석방법으로 최근에 많이 사용되고 있는 이산 웨이블렛 변환을 이용한 3가지 분석방법에 대하여 아크고장전류 검출 확률을 분석하였다. 분석결과, (1) 근사계수 분석에 의한 최대치 변화율 실효치 변화율 분석방법은 46%의 검출 확률을 얻을 수 있었고, (2) 상세계수 분석에 의한 최대치 변화율 실효치 변화율 분석방법은 62%, (3) 근사계수 분석에 의한 잡음량 변화율 shoulder 변화율 분석방법은 100% 검출 확률을 얻을 수 있었다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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• v.36D no.3
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• pp.75-84
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• 1999

Systematic studies for the effect of the linewidth enhancement factor, the confinement factor, the internal loss and the cavity length on the single mode gain difference and the frequency detuning are performed for $\lambda$/4 phase shifted DFB lasers above threshold. The above threshold characteristics are mainly determined by the linewidth enhancement factor, not by the confinement factor or the parameter defined by the product of the linewidth enhancement factor and the confinement factor. The normalized internal loss defined by the product of the internal loss and the cavity length mainly determines the above threshold characteristics compared to that of the internal loss or the cavity length alone. The effect of the cavity length on threshold characteristics is larger than that of the internal loss in the case of the same normalized internal loss. The above threshold characteristics of quantum well lasers are more resistant to the variations of the confinement factor and the normalized internal loss than those of bulk lasers due to the small linewidth enhancement factor.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2002.07b
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• pp.935-938
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• 2002

본 논문은 회전자에 영구자석을 사용한 2극 단상 브러시리스 모타에서의 기동토오크 특성에 관한 연구결과를 소개함에 목적이 있다. 본 논문에서와 같은 구조의 모타에서의 토오크는 전자기력에 의한 기동력과 코깅 토오크에 의한 영향력 두가지로 구분다. 본 논문에서는 기동토오크의 이론적 구조식을 유도하고, 문리 적 운동방정식과 결합하여 기동시 나타나는 특성을 나타내었다. 본 논문의 목적은 보다 보편적인 기동토오크에 의한 회전자의 운동을 구명하고자 함인데, 이 목적을 위하여 일반적 전원으로 사용하는 연속 직류전류가 아니라, 비연속적이고 정현파 형태의 일펄스 반파 전류를 전원으로 사용하였다. 이때 나타나는 임펄스 응답특성은, 전류를 흘렸을 때, 대부분의 경우 모타의 회전자는 전류의 주기와 다른 주기를 가지고 반회전하였다. 모타 회전자의 반전주기는 입력전압, 영구자석의 자화의 강도, 그리고 관성계수 및 마찰 계수와 같은 기계적 상수에 의해 영향을 받는 것을 알수 있는데, 반전주기 속도가 모타의 동기속도와 적절하지 않는 경우, 모타의 회전은 이루어 지지 않거나 심한 흔들림(CHATTERINC)의 현상이 나타남을 발견하였다. 이러한 결과를 바탕으로 모타의 회전자를 동기속도로 구동을 하도록 하기위한 조건을 구하였다.

• The Proceeding of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.6 no.1
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• pp.10-16
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• 1995

The E-polarized scattering problems by a perfect conductor strip grating are analyzed by the method of moments. For an E-polarization the induced surface current density is expected to blow up at the strip both edges. Then the induced surface current density on the strip is expanded in a series of multiplication of Ultraspherical ploynomials with zeroth order and functions with appropriate edge boundary condition. The numerical results for current density and reflection cofficient are compared with other functions, it is shown that numerical results better improves the convergence of the moment method soulutions with general incident angles than the existing several other functions. The sharp variation points in the magnitude of geometric-optical reflection coefficient can be moved by varying the incident angle, strip width, and strip spacing.