• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2004년도 학술대회 논문집 정보 및 제어부문
• /
• pp.274-276
• /
• 2004

홈네트워크를 구현해 가정에 서비스를 전달하기 위해서는 가정내의 홈네트워크 환경, 서비스를 가정까지 전달해주는 외부의 네트워크 환경, 그리고 다양한 서비스 및 콘텐츠의 제공 둥이 필요하다. 다양한 통신망의 변혁 속에서 홈네트워크는 이용자가 직접 통신망에 접속하여 각종 통신망 서비스를 이용하는 정보인프라의 최종단으로 위치하고, 사람의 순환계에 있어서 실핏줄과 같은 역할을 담당하는 부분이며, 홈게이트웨이는 이를 투명하게 전달, 중재하는 핵심역할을 담당한다. 따라서 홈게이트웨이 기능의 변화, 시장 전개 시나리오와 서비스 발전에 따른 홈게이트웨이의 진화 전망을 통하여 홈게이트웨이 업체의 주도권 전망을 분석하였다.

• 한국데이타베이스학회:학술대회논문집
• /
• 한국데이타베이스학회 2000년도 추계학술대회 E-Business와 정보보안
• /
• pp.364-367
• /
• 2000

본 논문은 스크리닝 라우터에서 패킷 필터 규칙을 통과한 모든 트래픽이 베스쳔 호스트로 전달되도록 스크린드 호스트 게이트웨이를 사용하였으며, 스크린드 호스트 게이트웨이의 단점인 스크리닝 라우터의 경로정보가 내부 네트워크로 직접 전달되지 않도록 듀얼-홈드 게이트웨이를 사용하였다. 듀얼-홈드 게이트웨이에서는 두 개의 네트워크 인터페이스간에 트래픽이 직접 전달되지 않기 때문에 응용 게이트 웨이 서버를 통해서 트래픽이 전달되고 모든 접속기록이 베스쳔 호스트에 기록되도록 하였다. 또한 외부 네트워크와 내부 네트워크 사이에 완충지역인 DMZ를 두어 공개 서버를 사용하기 쉽게 구현하여, 스크리닝 라우터와 스크린드 호스트 게이트웨이의 문제점을 해결하는 효과적인 혼합형 방화벽 모델을 제안하고자 한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 1998년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.5-8
• /
• 1998

기존의 바이폴라 논리회로에서 신호변환시 베이스 영역의 소수 캐리어를 빨리 제거 하기 위해서, 베이스 부분의 매몰충을 줄여서 npn트랜지스터의 베이스와 에피충과 기판사이에 병합 pnp 트랜지스터를 생성한 트랜지스터와 게이트 당 전달 지연 시간을 측정하기 위한 링-발진기를 설계, 제작하였다. 게이트의 구조는 수직 npn 트랜지스터와 기판과 병합 pnp 트랜지스터이다. 소자 시뮬레이션의 자료를 얻기 위하여 수직 npn 트랜지스터와 병합 pnp 트랜지스터의 전류-전압 특성을 분석하여 특성 파라미터를 추출하였다. 결과로서 npn 트랜지스터의 에미터의 면적이 기존의 접합넓이에 비해서 상당히 적기 때문에 에미터에서 진성베이스로 유입되는 캐리어와 가장자리 부분으로 유입되는 캐리어가 상대적으로 많기 때문에 이 많은 양은 결국 베이스의 전류가 많이 형성되며, 또 콜렉터의 매몰층이 거의 반으로 줄었기 때문에 콜렉터 전류가 적게 형성되어 이득이 낮아진다. 병합 pnp 트랜지스터는 베이스폭이 크고 농도 분포에서 에미터의 농도와 베이스의 농도 차이가 적기 때문에 전류 이득이 낮아졌다. 게이트를 연결하여 링-발진기를 제작하여 측정한 AC특성의 출력은 정현파로 논리전압의 진폭은 200mV, 최소 전달 지연시간은 211nS이며, 게이트당 최소 전달지연 시간은 7.26nS의 개선된 속도 특성을 얻었다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국해양정보통신학회 1998년도 추계종합학술대회
• /
• pp.151-154
• /
• 1998

기존의 바이폴라 논리회로에서 신호변환시 베이스 영역의 소수 캐리어를 빨리 제거하기 위해서, 베이스 부분의 매몰층을 줄여서 npn트랜지스터의 베이스와 에피층과 기판사이에 병합 pnp 트랜지스터를 생성한 트랜지스터와 게이트 당 전달 지연 시간을 측정하기 위한 링-발진기를 설계, 제작하였다. 게이트의 구조는 수직 npn 트랜지스터와 기판과 병합 pnp 트랜지스터이다. 결과로서 npn 트랜지스터의 에미터의 면적이 기존의 접합넓이에 비해서 상당히 적기 때문에 에미터에서 진성베이스로 유입되는 캐리어와 가장자리 부분으로 유입되는 캐리어가 상대적으로 많기 때문에 이 많은 양은 결국 베이스의 전류가 많이 헝성되며, 또 콜렉터의 매몰층이 거의 반으로 줄었기 때문에 콜렉터 전류가 적게 형성되어 이득이 낮아진다. 병합 pnp 트랜지스터는 베이스폭이 크고 농도 분포에서 에미터의 농도와 베이스의 농도 차이가 적기 때문에 전류 이득이 낮아졌다. 게이트를 연결하여 링-발진기를 제작하여 측정한 AC특성의 출력은 정현파로 논리전압의 진폭은 200mV, 최소 전달 지연시간은 211nS이며, 게이트당 최소 전달지연 시간은 7.26nS의 개선된 속도 특성을 얻었다.

• 한국정보전자통신기술학회논문지
• /
• 제8권5호
• /
• pp.394-399
• /
• 2015

본 논문은 IoT환경에서 의료장비를 연결하는 eHealth구현에 관련한 연구이다. 본 연구의 구현환경은 센싱노드, 게이트웨이 그리고 서버가 연결된 구조이다. 센서노드인 의료장비에서 발생한 의료정보들을 게이트웨이에 전달하고 게이트웨이에서 서버로 의료정보를 전달하여 대량데이타를 서버에 저장할 수 있게 한다. 센서노드로부터 발생하여 서버에 축적된 의료정보는 데이터베이스 형태로 저장되어 의료정보 사용에 대한 준비가 된다. 본 연구에서는 일반 상업용으로 판매하는 센서노드들을 게이트웨이에 연결하고 게이트웨이에서 센서노드를 관리하는 소프트웨어 구조를 연구하고 서버에 데이터를 어떻게 전달할 것인가를 구현한다.

• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제38권10호
• /
• pp.678-686
• /
• 2001

CaAs metal semiconductor field effect transistor (MESFET) 소자의 전달컨덕턴스 분산 (transconductance dispersion) 현상과 게이트 누설 전류의 원인을 capacitance deep level transient spectroscopy (DLTS) 측정을 이용하여 해석하였다. DLTS 스펙트럼에서는 활성화 에너지가 각각 0.65×0.07 eV와 0.88 × 0.04 eV인 두개의 표면 결함과 0.84 × 0.01 eV의 활성화 에너지를 갖는 EL2를 관찰하였다. 전달컨덕턴스 분산 측정 결과, 전달컨덕턴스는 5.5 Hz ∼ 300 Hz의 주파수 영역에서 감소하였다. 전달컨덕턴스 분산을 온도의 함수로 측정한 결과, 온도가 증가할수록 전이 주파수는 증가하였고 전이 주파수의 온도 의존성으로부터 0.66 ∼ 0.02 eV의 활성화 에너지를 구할 수 있었다. 게이트 누설 전류 측정에서는 0.15 V 이하의 게이트 전압에서 순 방향과 역 방향 게이트 전압이 일치하는 오믹 전류-전압 특성을 나타내었고 게이트 누설 전류의 온도 의존성으로부터 구한 활성화 에너지는 0.63 ∼ 0.01 eV로 계산되었다. 서로 다른 방법으로 구한 활성화 에너지의 비교로부터 표면 결함 H1이 주파수에 따라서 감소하는 전달컨덕턴스 분산 및 게이트 누설 전류의 원인임을 알 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2002년도 춘계합동학술대회 논문집
• /
• pp.202-205
• /
• 2002

본 논문은 계속적인 소자의 이용은 전기적인 스트레스까지 야기시키는데, 특히 게이트에 인가되는 전압이나 전류 스트레스는 게이트 산화 막의 열화를 야기 시킬 수 있다. 유리기판위에 저온(${\leq}600^{\circ}C$)공정의 고상결정화을 통하여 다결정 박막 트랜지스터를 제작한 후, 이 소자에 게이트와 드레인에 전압 스트레스를 인가하여 출력 특상과 전달특성을 분석하였는데, 그 결과 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 전달특성은 게이트 와 드레인 전압에 의존하는데 임계전압은 긴 채널길이와 좁은 채널 폭에서 높고 출력특성은 갑자기 높은 드레인 전류가 흐른다. 전기적 스트레스가 인가된 소자는 드레인 전류를 감소시킨다. 결국 전계효과 이동도는 긴 채널길이와 좁은 폭의 채널에서 더 빠른 것을 알 수 있다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
• /
• 전력전자학회 2020년도 전력전자학술대회
• /
• pp.221-223
• /
• 2020

반도체 기반 고전압 펄스 발생장치에 적용 가능한 고전압 스위치는 주로 수 kV 정격의 반도체 스위치를 직렬로 스태킹하여 구성되며, 이때 각 스위치 소자에는 절연과 동기화된 각각의 게이트 신호가 인가되어야 한다. 본 논문에서는 짧은 펄스 폭의 온, 오프 게이트 펄스와, 단일 턴의 고전압 전선을 일차측으로 갖는 게이트 변압기를 통해 직렬로 구성된 반도체 스위치 스택 기반의 펄스 모듈레이터에 적용 가능한 간단한 구조의 게이트 구동회로가 설계되었다. 각 스위치에 게이트 신호를 전달하기 위해 온, 오프 게이트 펄스를 사용함으로써 게이트 변압기의 포화를 방지할 수 있으며, 이때 각 스위치의 게이트 턴-온, 오프 전압은 변압기 이차측의 제너 다이오드와 스토리지 커패시터를 통해 유지된다. Pspice 시뮬레이션을 통해 12개의 IGBT를 직렬로 구성하여 설계된 구조의 게이트 회로를 적용, 최대 10kV 펄스 출력 조건에서 안정적인 동작을 확인하고 설계를 검증하였으며 1200V 급 IGBT를 사용하여 실제 스위치 스택과 게이트 구동회로 모듈을 1리터 이내의 부피로 고밀도화하여 제작하였다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제18권5호
• /
• pp.1149-1154
• /
• 2014

본 연구는 산화물반도체트랜지스터의 터널링 현상을 살펴보기 위해서 게이트 절연막으로서 SiOC 박막을 사용하고 채널층으로 IGZO를 이용하여 트랜지스터를 제작 하였다. SiOC 박막은 분극이 작아질수록 비정질특성이 우수해지면서 절연특성이 좋아진다. SiOC 게이트 절연막과 채널 층 사이의 계면에 존재하는 접합특성은 SiOC의 분극특성에 따라서 달려졌다. 드레인소스 전류($I_{DS}$)와 게이트소스 전압($V_{GS}$)의 전달특성은 분극이 낮은 SiOC를 사용할 경우 양방향성 전달특성이 나타나고 분극이 높은 SiOC 게이트 절연막을 사용할 경우 단방향성 전달 특성이 나타났다. 터널링에 의한 양방향성 트랜지스터의 경우 바이어스 인가 전압이 낮은 ${\pm}1V$의 영역에서 쇼키접합을 나타냈었지만 트래핑효과에 의한 단방향성 트랜지스터의 경우 오믹접합 특성을 나타내었다. 특히 양방향성 트랜지스터의 경우 터널링 현상에 의하여 on/off 스위칭 특성이 개선되었다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국해양정보통신학회 2009년도 추계학술대회
• /
• pp.935-937
• /
• 2009

본 논문에서는 MicroTec을 이용한 채널 길이에 따른 20nm이하 MOSFET의 전달컨덕턴스의 특성을 분석하였다. 전달컨덕턴스는 게이트 전압의 변화에 의한 드레인 전류의 변화이다. MicroTec의 이동도 모델중 Lombardi, Constant, Yamaguchi 모델을 선택하여 이동도 모델에 따른 gm(전달컨덕턴스)를 비교하였다. 인가전압은 소스 0V, 기판 0V, 드레인 0.1V, 게이트는 -2.5V에서 4.5V까지 증가시켰다. 채널의 길이가 줄어들수록 gm(전달컨덕턴스)의 최대값과 드레인 전류가 증가함을 알 수 있었다.