Polycide구조로 저압화학증착된 $WSi_x$ 박막의 열처리에 따른 거동
(Effects of annealing on the properties of $WSi_x$ films in ploycide structure formed by LPCVD method)
-
- E2M - 전기 전자와 첨단 소재
- /
- 제3권4호
- /
- pp.263-270
- /
- 1990