전자 패키징은 미세화, 경량화, 저가화를 지향하고 신뢰성의 향상을 위해 발전해 왔다. 이러한 경향은 전자부품 자체의 성능 향상 뿐 아니라 전자부품을 장착, 고정할 수 있게 하는 인쇄회로 기판(PCB : Printed Circuit Board)의 성능에 많은 관심을 가지게 되었다. 전기적 신호의 손실을 줄이기 위해 전기, 전자 산업체에서는 가볍고 굴곡성이 우수한 연성인쇄회로기판(FPCB : Flexible PCB)과 가격이 싸고 신뢰성이 입증된 경성인쇄회로기판(RPCB : Rigid PCB)이 그 대상이다. 본 논문에서는 이 PCB중에서도 RPCB와 FPCB간의 열압착 방식으로 접합 시 전극간의 접합 양상을 보았다. 이 열압착 방식은 기존에 PCB를 접합하는데 사용하고 있는 connector를 이용한 체결법을 대체하는 기술로써 솔더를 중간층(interlayer)로 이용하여 열과 압력으로 접합하는 방식이다. 이 방식을 connector를 사용하는 방식에 비해 그 부피가 작고 I/O개수에 크게 영향 받지 않으며 자동화 공정이 쉬운 장점을 가지고 있다. 접합의 대상 중 RPCB의 경우는 무전해 니켈 금도금(ENIG : Electroless Nickle Immersion Gold)로 제작하였으며 FPCB의 경우는 ENIG와 유기보호피막(OSP : Organic solderability preservation) 처리하였다. 실험에 사용한 PCB는 $300\;{\mu}m$ pitch의 미세피치이며 솔더의 조성은 Sn-3.0Ag-0.5Cu (in wt%)과 Sn-3.0Ag (in wt%)를 사용하였다. 접합 온도와 접합 시간 그리고 접합 압력에 따라 최적의 접합 조건을 도출하였다. 접합 강도는 $90^{\circ}$ Peel Test를 통해서 측정하였으며 접합면 및 파괴면은 SEM과 EDS를 통하여 분석하였다.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.04b
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pp.68-71
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2004
본 연구는 싱크로트론 방사광의 단색광 (monobeam)을 이용한 영상을 획득하였다. 영상센서로서 CMOS를 사용하였으며 센서 앞단에는 형광체 (phosphor)를 이용하여 방사광에 대한 빛의 신호로서 영상을 획득하였다. 사용된 싱크로트론 방사광의 beam size는 $5mm{\times}2mm$ 이며 ion chamber를 통한 beam intensity 는 $10{\times}10^{-7}$이다. 형광체는 각각 ZnS(Cu:Al), ZnS(Ag,Al), $BiTiO_3$, $Y_2O_2S(Tb)$로서 4가지를 사용하였으며 여기에 사용된 형광체는 기계식 스크린 프린팅 (Screen Printing) 방식으로 직접 제조하였다. 두께는 모두 동일하게 $10{\mu}m$이며 각각에 대한 PL(Photoluminescence)을 측정하여 분석하였다. object로는 물고기와 20linepair를 사용하였으며 CMOS센서를 이용하여 각각의 phosphor에 대하여 영상을 획득하였다. 영상의 평가는 20line pair 영상의 MTF를 이용하였다. 각각의 형광체에 대한 MTF는 5 lp/mm 에서는 0.5650, 0.2150, 0.7890, 0.3840 이며 10 lp/mm 은 0.4500, 0.0900, 0.2510, 0.1500이고 15 lp/mm 는 0.1900, 0.0300, 0.1430, 0.0500이며 마지막으로 20 lp/mm 은 0.0810, 0.004, 0.0500, 0.0320의 MTF 값을 나타내었다. $10{\mu}m$ 두께에 대하여 ZnS(Cu:Al)이 가장 좋은 MTF의 값을 나타내었다.
Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.20
no.5
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pp.57-63
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2006
This paper deals with the physical properties and statistical analysis of waveform parameters of electric and magnetic folds radiated from lightning return strokes. The lightning electric and magnetic fields were detected by an plate-type electric field sensor and a loop-type magnetic field sensor respectively, and they were recorded by a data acquisition system having a resolution of 12bits, a sampling rate of 10[MS/s] and recording length of 10[ms]. As a result, a little difference between the parameters of electric and magnetic fields for positive and negative polarities was observed. The rise times of electric and magnetic fields were within the range of less than $13[{\mu}s]$ and the average values for positive and negative polarities were $4.1[{\mu}s]\;and\;4.2[{\mu}s]$, respectively. The average values of the zero-to zero crossing times were $65.2[{\mu}s]\;and\;67.0[{\mu}s]$, and the average depths of the dip to opposite polarity were 38.0[%] and 40.3[%], for positive and negative polarities, respectively.
Park, Chulkyu;Jang, Kichang;Kim, Hyojae;Choi, Joongho
Journal of IKEEE
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v.18
no.2
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pp.263-271
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2014
This paper presents design of the second-order sigma-delta modulator for converting voltage and temperature signals to digital ones in Battery Management IC (BMIC) for mobile applications. The second-order single-loop switched-capacitor sigma-delta modulator with 1-bit quantization in 0.13-um CMOS technology is proposed. The proposed modulator is designed using switched-opamp technique for saving power consumption. With an oversampling ratio of 256 and clock frequency of 256kHz, the modulator achieves a measured 83-dB dynamic range and a peak signal-to-(noise+distortion) ratio (SNDR) of 81.7dB. Power dissipation is about 0.66 mW at 3.3 V power supply and the occupied core area is $0.425mm^2$.
This paper presents a grid current control algorithm for a grid connected inverter (GCI) system in a stationary reference frame. When a Proportional Integral (PI) controller at a stationary reference frame is used in a GCI system, steady state error and phase lags are presented because AC signals are controlled at a stationary reference frame. In this paper, a feedforward controller is applied to the PI controller to compensate the steady state error and phase lags by improving command tracking performance. In addition, disturbance rejection control is applied to the PI controller to protect the GCI system by eliminating disturbance, grid voltage in a GCI system, when a grid fault such as line-to-line fault, happens. The proposed GCI current control algorithm is analyzed in a frequency domain and a simulation model of the proposed GCI current control system is developed for verification of the performance.
Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.23
no.2
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pp.70-76
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2009
This paper introduces an evaluation code, which can numerically express the noise possessing degree of signals. By using this code, the best kind and setting of noise suppressing techniques can be chosen automatically. This code is applied to three kinds of specific denoising techniques; those are simple noise removing method in the count versus phase distribution, fuzzy logic method based on noise type in magnitude versus phase plot, and lastly, the technique using grouping characteristics of PD pulses in 3D plot of magnitude versus phase versus cycle. The algorithm shows good performance in the various real PD signals measured from various high voltage apparatuses in Korea.
Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.20
no.6
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pp.75-80
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2006
The disastrous accident happens and the economic loss comes into being at the power facilities that used a industry site, if the fault comes into being. This paper experiments the partial discharge in the GIS used a $SF_6$ insulation gas by the pressure change. We studied the influence of particles at the partial discharge in a $SF_6$ gas. We use UHF method and measure the partial discharge signal radiation electromagnetic waves and to be happened at the $SF_6$. And we analyzed the influence on the $SF_6$ gas to have the particles which the partial discharge analyzes a spectrum of the radiated electromagnetic waves and comes out. The paper results aided the prevention of breakdown accident that happened by particles when an inside pressure changes at the GIS & the power facilities used $SF_6$ gas.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.6
no.1
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pp.89-98
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2002
Optical current sensor and optical voltage sensor modules were designed and fabricated to improve measurement error and insulation in automatic power distributor By using Faraday effect, optical current sensor with an $\alpha$-iron core was designed and fabricated to minimize current induction of the other phase and was optimized to maintain linearity. Optical voltage sensor was fabricated owing to the pockets effect and adopted spatial electric field type because of small room in an automatic power distributor. To connect a distributor with an external terminal for signal processing, optical multi connector was designed, fabricated and tested for coupling loss and gas leakage. The linearity of optical current sensor for applied current maintains variation of smaller than 2.5% for applied current range from 20A to 700A. The linearity of optical voltage sensor was smaller than 1% for appling voltage from 6.6kV to 19.8kV. Since the measured characteristics are good, these devices can be considered as being applicable in practice.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.206-206
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2010
정보화 기술이 급속히 발전함에 따라서 보다 많은 양의 data를 전송, 처리, 저장 하게 되면서 이를 처리 할 수 있는 대용량, 고속, 비휘발성의 차세대 메모리의 개발이 요구 되고 있다. 이 중 저항 변화 메모리(ReRAM)는 일반적으로 전이금속산화물을 이용한 MIM 구조로서 적당한 전기 신호를 가하면 저항이 높아서 전도되지 않는 상태(Off state)에서 저항이 낮아져 전도가 가능한 상태(On state)로 바뀌는 메모리 특성을 가진다. ReRAM은 비휘발성 메모리이며 종래의 비휘발성 기억소자인 Flash memory 보다 access time이 $10^5$배 이상 빠르며, 2~5V 이하의 낮은 전압에서 동작이 가능하다. 또한 구조가 간단하여 공정상의 결함을 현저히 줄일 수 있다는 점 등 많은 장점들이 있어서 Flash memory를 대체할 수 있는 유력한 후보로 여겨지고 있다. 저항 변화의 특징을 잘 나타내는 물질에는 $TiO_2$, $Al_2O_3$, $NiO_2$, $HfO_2$, $ZrO_2$등의 많은 전이금속산화물들이 있다. 본 연구에서는 Reactive DC-magnetron Sputtering 방법과 DC-magnetron sputter를 이용하여 Ti를 증착한 후 Oxidation 방법으로 각각 증착한 $TiO_2$박막을 사용하여 저항변화특성을 관찰하였다. $TiO_2$상부에 Atomic Layer Deposition (ALD)를 이용하여 $HfO_2$ 박막을 증착하여 표면처리를 하고, 또한 $TiO_2$에 다른 전이 금속박막 층을 추가 증착하여 저항변화 특성에 접합한 조건을 찾는 연구를 진행하였다. 하부 전극과 상부 전극 물질로는 Si 100 wafer 위에 Pt 또는 TiN을 사용하였다. 저항변화 특성을 평가하기 위해 Agilent E5270B를 이용하여 current-voltage (I-V)를 측정하였다. X-ray Diffraction (XRD)를 이용하여 증착 된 전기금속 박막 물질의 결정성을 관찰했으며, Atomic Force Microscopy (AFM)을 이용하여 증착 된 샘플의 표면을 관찰했다. SEM과 TEM을 통해서는 sample의 미세구조를 확인 하였다.
A 12-bit 10-MS/s pipeline analog-to-digital converter (ADC) is proposed for image processing applications. The proposed pipeline ADC consists of a sample and hold amplifier, three stages, a 3-bit flash analog-to-digital converter, and a digital error corrector. Each stage is operated by using a 4-bit flash ADC (FADC) and a multiplying digital-to-analog converter (MDAC). The proposed sample and hold amplifier increases the voltage gain using gain boosting for the ADC with high resolution. The proposed pipelined ADC is designed using a 180-nm CMOS process with a supply voltage of 1.8 and it has an effective number of bit (ENOB) of 10.52 bits at sampling rate of 10MS/s for a 1-Vpp differential sinusoidal analog input with frequency of 1 MHz. The measured ENOB is 10.12 bits when the frequency of the sinusoidal analog input signal is a Nyquist frequency of approximately 5 MHz.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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