• Title/Summary/Keyword: 전기도금법

Search Result 182, Processing Time 0.027 seconds

Microstructural Characteristics of Rapidly Solidified 304 Stainless Steel Powders Produced by Gas Atomization

  • Kim, Yeon-Wook
    • Journal of Korea Foundry Society
    • /
    • v.21 no.3
    • /
    • pp.187-191
    • /
    • 2001
  • 가스분무장치를 이용하여 제조된 304 stainless steel 분말의 미세응고조직 특성을 투과전자현미경으로 관찰하였다. 분말이 sandwich 현상으로 존재하도록 구리로 전기도금한 후 tripod jig 를 이용하여 기계적 연마하여 TEM 시편을 제작하였다. 이 방법으로 제조된 TEM 시편은 넓은 지역에서 200KV 로 가속된 전자가 투과하기에 충분히 얇았으며, 작은 분말의 경우에는 분말 전체를 관찰할 수 있었다. 제한시야회절법(SADP)을 이용하여 100 ${\mu}m$ 이하 분말의 결정구조를 조사한 결과에 따르면 가스분무법으로 급냉응고된 대부분의 분말은 austenite 상으로 응고되었으며, 모든 austenite 분말은 크기에 관계없이 쌍정조직 (twinstructure)이 발견되었으며 그 밀도 역시 아주 높았다. 그러나 직경이 2 ${\mu}m$ 이하의 분말에서는 큰 과냉 (supercooling) 효과에 의하여 준결정상인 bcc 상으로 응고됨을 발견하였다.

  • PDF

Removal of Lead from Aqueous Solution Using Emulsion Liquid Membranes (에멀젼액막을 이용한 수용액에서의 납이온 제거에 관한 연구)

  • 김병식;죤윈섹
    • Proceedings of the Membrane Society of Korea Conference
    • /
    • 1994.10a
    • /
    • pp.84-85
    • /
    • 1994
  • 본 연구는 수용상에 포함된 중금속이온중 에멀젼 액막법(Emulsion Liquid Membranes, ELM)을 이용하여 납이온을 제거시키기 위한 연구이다. 지금까지 수용액상의 중금속 이온의 제거는 전통적으로 이온 침전법을 사용하여 왔다. 그러나 이 방법은 스럿지 처리문제가 남아 있고 식수로 이용되는 수처리에는 식수기준 만족도 때문데 적합하지 않았다. ELM법에 의한 금속이온 제거처리는 전기도금에 의하여 중금속이온을 회수할 수 있고 고도의 수처리를 가능케하여 최근 많은 관심을 갖고 있다. 본 연구에서는 납 이온 추출제로서 D2EPHA와 Alamine336의 이온교환제를 사용하여, 이 씨스테므이 추출 평형자료를 구하고 pH, 추출제의 농도, 교반속도, 에멀젼비율등에 의한 추출효과등을 검토하였다. 또한 2단계 추출 방법을 사용하여 금속이온추출에서 가장 큰 문제점인 유기상 용액의 leakage를 해결하고자 하였다.

  • PDF

The Effects of Current Types on Through Via Hole Filling for 3D-SiP Application (전류인가 방법이 3D-SiP용 Through Via Hole의 Filling에 미치는 영향)

  • Chang, Gun-Ho;Lee, Jae-Ho
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
    • /
    • v.13 no.4
    • /
    • pp.45-50
    • /
    • 2006
  • Copper via filling is the important factor in 3-D stacking interconnection of SiP (system in package). As the packaging density is getting higher, the size of via is getting smaller. When DC electroplating is applied, a defect-free hole cannot be obtained in a small size via hole. To prevent the defects in holes, pulse and pulse reverse current was applied in copper via filling. The holes, $20\and\;50{\mu}m$ in diameter and $100{\sim}190\;{\mu}m$ in height. The holes were prepared by DRIE method. Ta was sputtered for copper diffusion barrier followed by copper seed layer IMP sputtering. Via specimen were filled by DC, pulse and pulse-reverse current electroplating methods. The effects of additives and current types on copper deposits were investigated. Vertical and horizontal cross section of via were observed by SEM to find the defects in via. When pulse-reverse electroplating method was used, defect free via were successfully obtained.

  • PDF

Degradation evaluation of paint films on surface treated steel by electrochemical impedance spectroscopy (전기화학적 임피던스 분광법에 의한 표면처리한 강재 도장의 부식-도막 열화도 평가)

  • Park, Jun-Mu;Park, Jae-Hyeok;Kim, Sun-Ho;U, Sang-Gyun;Gwon, Yong-Min;Mun, Gyeong-Man;Lee, Myeong-Hun
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
    • /
    • 2018.06a
    • /
    • pp.95-95
    • /
    • 2018
  • 강재의 방식법 중 도장은 부식을 억제하는데 효과적이고 편리한 방법으로 선박 및 해양 강 구조물의 방식법으로 사용되고 있다. 한편, 강 구조물의 효율적인 유지관리를 위해서는 방식 도장의 도막 열화도를 평가하고 잔존 수명을 예측하여 최적 시기에 보수도장 혹은 재도장하는 것이 필요하다. 일반적으로 선박 및 해양구조물에 적용되는 도막의 방식 성능 평가 방법으로 해수 침지 시험, 염수 분무 시험, 옥외 폭로 시험 등이 있다. 그러나 이러한 시험들은 그 시험 방법에 따라서 정량적인 평가에 한계가 있음은 물론 장기간 소요되는 등 곤란한 문제점이 있다. 그러므로 선박 및 해양구조물을 비롯하여 교량, 각종 강 구조물의 도장 방식에 사용되는 방식용 도료의 성능을 단기간에 적절하게 평가할 수 있는 가속시험법이 제시되며 연구-사용되고 있다. 그 중 도막 방식 성능을 보다 효율적, 비파괴적, 정량적으로 평가할 수 있는 임피던스 분광법(EIS)과 같은 전기화학적 방법은 상대적으로 시험 기간을 크게 단축시킬 수 있고, 대상 방식 도장의 미세한 성능 차이도 분별 가능하다는 장점이 있다[1]. 따라서 본 연구에서는 선박 및 해양구조물 등 가혹한 부식환경에서 강력한 내구성을 가질 수 있도록 다양한 종류의 표면처리 도장 시편을 제작하여 자외선 조사-염수분무-침지환경 등의 열악한 환경조건 하에서 부식-열화 촉진 시험을 실시하였다. 그리고 그 촉진 열화 과정에서 도막의 외관 상태를 관찰 분석함은 물론 전기화학적 임피던스 분광법을 병행 측정하며 그 표면막의 부식 및 도막 열화도를 비교-종합 평가하였다.본 연구에 사용된 시편은 Al 및 Zn 도금 강판에 에폭시, 에폭시-실리콘 우레탄, 에폭시-우레탄 도장 시편으로 Scribe, No Scribe 및 비교재 Al 및 Zn 도금 시편으로 분류하여 각각 실험을 진행하였다. 즉, 도막 열화 시험은 복합 노화 시험법으로 UV 조사 36 시간(ASTM G53), 염수분무 32 시간(ISO 7253), 수분 응축 10 시간을 1 Cycle로 100 Cycle(7800 시간) 동안 실험을 진행하였다. 이때 도막 열화도 평가는 전기화학적 임피던스 분광법을 이용하여 각 실험 조건별로 주파수에 따른 임피던스(Z) 값을 평가하였다. 즉, 상온 $25^{\circ}C$의 3.5% NaCl 100 ml 수용액에 작동 전극(Working Electrode)과 구리 도선을 통해 연결하였고, 노출 면적은 $1cm^2$로 일정하게 유지 하였으며, 상대 전극(Counter Electrode)은 탄소봉, 기준 전극(Reference Electrode)으로 포화카로멜전극(Saturated Calomel Electrode)을 사용하여 측정하였다. No Scribe 시편의 경우에는 Al 기판 에폭시-실리콘 우레탄 도장 시편이 우수한 도막 저항성을 나타내었으며, 에폭시-우레탄 도장시편은 23사이클 이후의 저항값이 가장 낮게 나타났다. Zn 기판의 경우는 에폭시, 에폭시-실리콘 우레탄, 에폭시-우레탄 도장 시편 모두 저항 값이 유사하였으며, Al 및 Zn 도금 시편은 도장 처리된 시편에 비해 훨씬 낮은 저항 값을 보였다. 또한 Scribe 시편의 경우에는 Al 기판 에폭시-실리콘 우레탄 도장 시편에서 높은 초기 저항 값을 보였으며, 23 사이클 후의 저항 값은 세 종류의 도막에서 약 1~0.1 Gohm 으로 나타났다. 그리고 Zn 기판 에폭시-실리콘 우레탄 도장 시편에서 가장 낮은 도막 저항 값이 나타났다. 이상의 실험을 통해서 본 연구 내용은 실내촉진시험으로 선박 및 해양 강 구조물에 사용되는 다양한 종류의 도막의 열화도를 평가하는 기초 설계 지침으로 응용될 수 있을 것으로 사료된다. 한편, 도막은 노출 환경에 따라 방식 성능이 다르므로 실제 도막의 사용환경을 고려하여 도장 사양별 적용 부위에 따른 적정 가속 실험 방법을 선정할 필요가 있다고 사료된다.

  • PDF

Fabrication of Long Metal Nanowire by Electrospinning Process for the Transparent Electrode (고종횡비 금속 나노튜브 기반 투명전극 제조기술)

  • Lee, Chang-Myeon;Heo, Jin-Yeong;Lee, Hong-Gi
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
    • /
    • 2017.05a
    • /
    • pp.132.1-132.1
    • /
    • 2017
  • 본 연구에서는 투명전극 제조를 목적으로 전기방사법을 이용하여 미세구리 패턴을 형성하는 방법에 대하여 연구하였다. $Ag^+$이온이 용해된 폴리비닐부티랄(PVB) 고분자 용액을 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)와 같은 투명기판 위에 전기방사 하여 $Ag^+$이온/PVB 복합나노와이어를 제조한 후 이를 UV 조사로 환원하여 선택적으로 촉매를 형성하였다. 이후 연속적인 무전해 구리 도금을 통하여 촉매 위에 미세구리배선을 형성함으로써, 투명전극을 제조하였다. 개발 공정을 통해 제조된 투명전극은 기존 Ag나노와이어 기반 투명전극에서 발생하던 접촉저항에 대한 문제를 해결함으로써 전기적, 광학적 특성이 우수한 차세대 유연 디스플레이에 적용 가능성을 보여주었다.

  • PDF

Mechanical Reliability Issues of Copper Via Hole in MEMS Packaging (MEMS 패키징에서 구리 Via 홀의 기계적 신뢰성에 관한 연구)

  • Choa, Sung-Hoon
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
    • /
    • v.15 no.2
    • /
    • pp.29-36
    • /
    • 2008
  • In this paper, mechanical reliability issues of copper through-wafer interconnections are investigated numerically and experimentally. A hermetic wafer level packaging for MEMS devices is developed. Au-Sn eutectic bonding technology is used to achieve hermetic sealing, and the vertical through-hole via filled with electroplated copper for the electrical connection is also used. The MEMS package has the size of $1mm{\times}1mm{\times}700{\mu}m$. The robustness of the package is confirmed by several reliability tests. Several factors which could induce via hole cracking failure are investigated such as thermal expansion mismatch, via etch profile, and copper diffusion phenomenon. Alternative electroplating process is suggested for preventing Cu diffusion and increasing the adhesion performance of the electroplating process. After implementing several improvements, reliability tests were performed, and via hole cracking as well as significant changes in the shear strength were not observed. Helium leak testing indicated that the leak rate of the package meets the requirements of MIL-STD-883F specification.

  • PDF

MeV 전자빔 조사를 통한 Pt/Graphene 복합 나노구조의 형성

  • Cha, Myeong-Jun;Song, U-Seok;Kim, Yu-Seok;Jeong, Dae-Seong;Kim, Seong-Hwan;Lee, Su-Il;Park, Jong-Yun
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
    • /
    • 2012.02a
    • /
    • pp.570-570
    • /
    • 2012
  • 그래핀(graphene)은 육각형의 탄소원자 한층으로 이루어진 이차원 구조체로써 우수한 물리적, 전기적 특성으로 인해 다양한 분야에서 응요을 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히, 그래핀과 금속 나노입자의 복합구조는 수소 저장체, 가스센서, 연료전지, 화학 촉매등의 다양한 분야에서 응용이 가능하다. 현재까지 그래핀/금속나노입자 복합구조의 제작 방법에는 열증발(thermal evaporation), 전기도금법(electrodeposition), 표면 기능화(surface functionalization)를 이용한 방법이 보고되었다. 하지만 이러한 방법은 긴 공정시간이 요구되며, 나노입자의 크기 분포가 넓다는 단점을 지닌다. 본 연구에서는 화학기상증착법을 통해 합성된 그래핀이 전사된 SiO2 (300nm)/Si 기판에 염화기가 포함된 백금 화합물 분산용액을 스핀코팅(spin-coating)하고 MeV 전자빔을 조사하여 Pt/grapheme 복합구조를 형성하였다. 이 방법은 균일한 크기 분포의 나노입자의 형성이 가능하며, 간단하고, 대면적 공정이 가능하며, 다른 방법에 비해 그래핀의 결함형성이 적다는 장점을 지닌다. Pt/grapheme 의 기하학적 구조를 주사전자현미경(scanning electron microscopy)와 투과전자현미경(transimission)을 통해 분석하였고, Pt와 graphene의 일함수(workfunction)의 차이에 의해 야기되는 전하이동에 의한 도핑(doping)현상을 라만 분광기(Raman spectroscopy)와 X-선 광전자 분광기(X-ray photoelectron spectroscopy)를 통해 분석하였다.

  • PDF

Manufacture of magnetite (Fe3O4) electrode and its electrochemical properties (마그네타이트 (Fe3O4) 전극의 제조와 전기화학 특성)

  • Kim, Myong-Jin;Kim, Dong Jin;Kim, Hong Pyo
    • Corrosion Science and Technology
    • /
    • v.14 no.1
    • /
    • pp.19-24
    • /
    • 2015
  • Flow Accelerated Corrosion (FAC) causes unexpected accidents in a secondary side of a nuclear power plant. The secondary side pipes are mainly carbon steel tubes that have a protective magnetite ($Fe_3O_4$) layer on the inner surface. The stability of the protective magnetite layer depends on the parameters related to the FAC phenomena such as pH, temperature, flow rate, surface roughness etc. The dissolution of magnetite is basically the electrochemical reaction, but the most of the experiments of magnetite dissolution were carried out thermodynamically to determine the solubility of magnetite. The knowledge of the electrochemical properties of magnetite is required to understand the dissolution process of magnetite. This paper reviews the manufacture of the magnetite ($Fe_3O_4$) electrode, and summaries the electrochemical properties of the magnetite.

Contact Resistance of the Flip-Chip Joints Processed with Cu Mushroom Bumps (Cu 머쉬룸 범프를 적용한 플립칩 접속부의 접속저항)

  • Park, Sun-Hee;Oh, Tae-Sung
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
    • /
    • v.15 no.3
    • /
    • pp.9-17
    • /
    • 2008
  • Cu mushroom bumps were formed by electrodeposition and flip-chip bonded to Sn substrate pads. Contact resistances of the Cu-mushroom-bump joints were measured and compared with those of the Sn-planar-bump joints. The Cu-mushroom-bump joints, processed at bonding stresses ranging from 19.1 to 95.2 MPa, exhibited contact resistances near $15m\Omega$/bump. Superior contact-resistance characteristics to those of the Sn-planar-bump joints were obtained with the Cu-mushroom-bump joints. Contact resistance of the Cu-mushroom-bump joints was not dependent upon the thickness of the as-elecroplated Sn-capcoating layer ranging from $1{\mu}m$ to $4{\mu}m$. When the Sn-cap-coating layer was reflowed, however, the contact resistance was greatly affected by the thickness and the reflow time of the Sn-cap-coating layer.

  • PDF

Electrochemical Factors Affecting the Magnetic Properties of Co based Magnetic Nanowires (Co계 자성합금 나노와이어의 특성에 영향을 미치는 전기화학적 변수)

  • Lee, Jong-Wook;Park, Ho-Dong;Lee, Kwan-Hyi;Kim, Gyeung-Ho;Jeung, Won-Young
    • Journal of the Korean Electrochemical Society
    • /
    • v.8 no.3
    • /
    • pp.125-129
    • /
    • 2005
  • We have investigated the electrochemical factors affecting the magnetic properties of hard magnetic CoP nanowires and soft magnetic CoFe nanowires fabricated by ac electrodeposition into self-made AAO(anodic aluminum oxide) nano-templates. AAO template having nano scale pores of high aspect ratio has been prepared through 2-step anodizing of aluminum foil in sulfuric acid. Hard Magnetic properties of CoP nanowires were highly conditional on the applied ac potential which could be a decisive factor to make CoP nanowires made up of either pure hcp crystals or a mixture of hop crystals and fcc crystals. On the contrary to CoFe films, there was no anomalous codeposition in the electrodeposition of soft magnetic CoFe nanowires which exhibited their best saturation magnetization of 238 emu/g at the composition of $Co_{30}Fe_{70}$.