Fabrication of the silicon field emitter araays with H$_{2}$ O densified oxide as a gate insulator
(H$_{2}$ O 분위기에서 치밀화시킨 (densified) 산화막을 게이트 절연막으로 갖는 실리콘 전계방출소자의 제작)
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- Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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- v.33A no.7
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- pp.171-175
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- 1996