지반조사에서 비파괴 조사 기술은 시추조사보다 경제적으로 비용이 덜 들고 광역에 걸친 지반정보를 제공하는 장점이 있다. 하지만 지반설계정수로서 적용하기에는 어려운 한정된 정보만을 제공하게 된다. 이를 극복하기 위해, 비파괴 조사 방법 중 하나인 전기비저항 탐사를 모형토조실험에 적용하여, 토질상태에 따른 비저항 반응과 함수비에 따른 비저항 반응을 분석하여 비저항 거동 양상에 대한 연구를 수행하였다. 실험에 사용한 토질은 주문진 표준사, 마사토이며 각 토질의 입도 분포, 균등계수를 구하여 실험에 있어 실험재료의 균질한 상태를 유지하였다. 실험에 사용한 모형의 제원은 $160{\times}100{\times}50$ (cm)의 아크릴 재질 토조이며, 각 토질의 높이는 30 cm를 유지하였다. 5TE(함수비측정센서)센서를 7 ~ 8cm 간격으로 수직하게 꽂아 층별 함수비를 측정하였다. 모형실험 결과 주문진 표준사는 비저항 거동 양상이 함수비에 민감하게 반응하는 것을 알 수 있었으며, 마사토는 함수비에 따라 비저항이 낮아진 후에도 시간경과에 따른 거동 양상에 큰 변화가 없는 것을 관찰하였다. 또한 토조 실험에 사용된 토양과 유사한 테스트 베드를 선정하여 그 반응을 비교 분석하였다. 이러한 실험을 통해 토질 상태와 함수비에 따른 다양한 비저항 거동 양상 자료를 수집하고, 비파괴 조사기술의 정확도를 향상 시켜 나간다면 지반설계정수를 산정하는데 있어 기초적인 연구가 될 수 있음을 확인하였다.
Wenner의 4전극법으로 측정한 겉보기 대지저항률을 이용하여 대지저항률의 Kernel 함수를 추정할 수 있다. 이 때 커널함수를 추정하는 것은 비선형시스템을 푸는 과정으로 유도된다. 그러나 변수가 많은 비선형시스템은 해를 구하기가 쉽지 않다. 본 논문은 이 비선형시스템을 선형화하여 커널함수를 추정하는 방법을 제시한다. 마지막으로 제안한 방법을 평가하기 위하여 다양한 구조로 된 대지모델들을 시뮬레이션의 예로 사용한다.
최근 전자산업의 발전은 형상 면에서 경박 단소화로 급속하게 진행되고 있으며, 전자소자 내부에서의 배선재료로 사용되고 있는 알루미늄(Al) 박막의 두께 역시 얇아지고 있다. 두께가 20 nm 이하로 작은 극박막 범위에서 박막의 두께 증가에 따라 전기가 잘 흐르기 시작하는 박막의 최소두께로 정의 되는 유착두께를 실시간으로 측정하는 방법을 구현하고 임의의 금속박막과 기판의 조합에 있어서 각각의 재료에 대한 유착두께를 제공함으로써 향후 미세전자소자의 제작시 배선 재료의 선택에 대한 기초자료를 축적할 수 있다. 또한 금속박막의 증착공정 직전에 기판을 표면처리 하여 기판을 활성화시킬 때 표면처리가 박막의 유착두께에 미치는 영향에 대해 박막의 미세구조 변화 관점에서 연구함으로써 여러 가지 금속박막에 대한 유착두께를 줄일 수 있는 방법을 도출 할 수 있다. 본 연구에서는 유리 기판 위에 사진 식각 공정으로 패턴을 형성하고 패턴이 형성된 유리 기판은 스퍼터에 연결된 4 point probe에 구리 도선으로 연결한 후 DC 마그네트론 스퍼터법으로 Al을 증착하면서 실시간으로 시간에 따른 전기저항을 측정을 하였다. 이때 스퍼터 내부 진공도는 $4.6\;{\times}\;10^{-5}\;torr$ 까지 낮춰준 후 Al을 증착 할 때 진공도는 $1.1\;{\times}\;10^{-2}\;torr$로 맞춰주고 Ar 가스를 20 sccm 넣어준다. 1초 간격으로 전기저항을 측정한 결과 25초대에 전기저항이 급격히 감소하였으며 이때 Al 박막의 두께는 $120{\AA}$ 이고 이 두께에서부터 전류의 흐름이 좋은 것을 알 수 있다. 박막 두께에 따른 특성을 알기위해 UV 영역의 빛을 사용하는 광전자 분광기(Photoelectron Spectrometer)를 이용해 일함수를 측정하였다. Al 의 일반적인 일함수는 4.28 eV 이며, 두께가 $120{\AA}$일 때의 일함수는 4.2 eV로 거의 비슷한 값을 얻었다. 전류가 잘 흐르기 전인 12초대에서 두께가 $60{\AA}$일 때 일함수는 4.00 eV 이고 전류가 흐르기 시작한 후 50초대에서 Al 박막 두께가 $200{\AA}$ 일 때 일함수는 4.28 eV 로 일반적인 Al의 일함수와 같은 값을 얻을 수 있었다. 광전자 분광기술은 전자소자에서 중요한 전자의 성능예측에 도움을 줄 수 있으며 물질의 표면에서 더욱 다양한 정보를 얻을 수 있다. 또한 실시간 전기저항 측정을 통한 금속박막의 전기전도 특성과 미세구조에 대한 기초 자료를 제공함으로써 신기술 발전에 공헌할 것이다.
실내모형실험으로 전기비저항치와 오염된 흙의 물리적 성질과의 상관관계를 규명하기 위해서 요소분석을 수행하였다. 세가지의 모래질 구에 산업폐기물매립지의 침출수를 첨가하여 모형실험에 이용했다. 혼합토의 전기비저항치는 비저항콘을 모사한 프로브를 제작하여 측정했다. 실내모형실험에서는 흙의 함수비, 간극비. 단위중량, 함수비 및 침출수의 농도를 변화시키면서 혼합토의 전기비 저항치를 계측했다. 실험결과는 흙의 종류 및 단위중량보다는 흙의 함수비, 간극수의 전도성이 전기비저항치에 큰 영향를 미치고 있음을 알 수 있었다.
본 논문은 접지된 유전체 평면 위에 균일한 저항율을 갖는 저항띠 격자구조로 임의의 방향으로 입사되는 H-분극 전자파산란 문제를 모멘트 법으로 해석하였다. 기존의 논문에서는 전류밀도의 분포에 따라 기저함수를 다양한 직교다항식으로 변경하여 I-분극의 경우만 수치해석 하였다. 반면에, 본 연구에서는 각 저항띠의 양끝에서 유도 전류밀도가 0 이 되도록 cosine 함수와 sine 함수로 구성된 다항식의 급수로 나타내었다. 산란 전자계는 주기적인 구조에 대응시킬 수 있는 Floquet 모드함수의 급수로 전재하였으며, 미지의 계수를 구하기 위하여 경계조건을 적용하였다. 또한, Fourier-Galerkin 모멘트 법을 적용함으로서 접지된 유전체 위에 여러 가지 저항율을 갖는 저항띠에 대하여 기하광학적인 정규화 된 반사전력에 관한 스트립 폭 및 주기, 입사각의 영향을 수치해석 하였다.
고전적인 반복 해쉬함수는 다중 충돌 공격에 취약점을 가지고 있다. Gauravaram등은 일반적인 Merkle-Damgard Chain에 accumulation chain을 추가한 3C와 3C+ 해쉬함수를 제안하였다. 이 해쉬함수의 목표는 Joux의 일반적인 공격에 저항성을 갖도록 설계하는 것이다. 그러나 Joux's와 Tuma는 엄격하지 않다는 가정 하에서 다중 충돌 공격에 3C와 3C+ 스킴이 MD 스킴보다 안전성을 갖고 있지 않음을 보였다. 논문에서는 3C 해쉬함수의 안전성을 증대하기 위하여 accumulation chain에 메시지 블록 당 XOR와 XNOR연산을 효과적으로 사용하는 해쉬함수를 제안하였다. 이 방법은 Lucks의 이중 파이프 해쉬함수를 개선한 것이다. 또한, 제안한 이중 파이프 해쉬함수는 다중블록 충돌 공격, 고정점 공격, 그리고 원상공격에 저항성을 갖는다.
리기다소나무(Pinus rigida Mill)의 건조(乾燥)스케쥴 개량(改良)을 위해 두께 2.5cm 판재(板材)와 5.0cm 평소각재(平小角材)를 공시하여 각각 관행건조(慣行乾燥)스케쥴을 적용하여 최종함수율(最終含水率) 10% 정도까지 건조(乾燥)하고 함수율(含水率)과 건조저항(乾燥抵抗)의 관계를 측정한 결과는 다음과 같다. 1. 함수율(含水率)과 건조저항(乾燥抵抗)의 관계는 함수율(含水率)이 감소할수록 건조저항(乾燥抵抗)은 곡선적(曲線的)으로 증가하였으며, 건조중(乾燥中) 함수율(含水率)이 동일한 경우 건조저항(乾燥抵抗)은 평소각재(平小角材) 판재(板材)보다 컸다. 목재두께별 적용한 관행건조(慣行乾燥)스케쥴에 따른 함수율(含水率)과 건조저항(乾燥抵抗)의 관계는 다음과 같다. 1) 두께 2.5cm 판재(板材)의 관행건조(慣行乾燥)스케쥴에 따른 건조저항(乾燥抵抗) $R_{2.5}=6.795\times10^3M^{-1.27^{**}}$ 2) 두께 5.0cm 평소각재(平小角材)스케쥴에 따른 건조저항(乾燥抵抗) $R_{5.0}=5.206\times10^4M^{-1.55^{**}}$ 2. 건조시간(乾燥時間)에 따른 함수율(含水率)과 건조저항(乾燥抵抗)의 관계는 건조시간(乾燥時間)이 증가할수록 함수율(含水率)은 감소함과 동시에 건조저항(乾燥抵抗)은 증가하였으며, 평소각재(平小角材)가 판재(板材)보다 곡선변화(曲線變化)가 완만하였다. 3. 함수율(含水率) 10%까지의 관행건조(慣行乾燥)스케쥴에 따른 추정건조시간(推定乾燥時間)은 비교적 작은 오차(誤差)를 나타내며 관행건조시간(慣行乾燥時間)보다 작았다. 4. 목재두께별로 적용한 관행건조(慣行乾燥)을 유발하지 않으면서 최소의 시간에 원하는 최종함수율(最終含水率)에 도달하도록 개량(改良)할 필요가 있다. 5. 관행건조(慣行乾燥)스케쥴에 따른 kiln factor는 두께 2.5cm 판재(板材)의 경우 1.112이었으며, 두께 5.0cm 평소각재(平小角材)의 경우 1.136이었다.
전자와 정공의 온도 관련 이온화 계수로부터 추출한 온도 함수의 유효 이온화 계수 및 전자 이동도를 이용하여 실리콘 전력 MOSFET의 항복 전압과 on 저항을 위한 온도 함수의 해석적 표현식을 유도하였다. 온도 함수의 해석적 항복 전압 결과를 4x10/sup 14/ cm/sup -3/, 1x10/sup 15/ cm/sup -3/, 6x10/sup 16/ cm/sup -3/의 도핑 농도에 대해 각각 실험 결과와 비교하였고, 온도 및 항복 전압 함수의 on 저항 변화도 각각 실험 결과와 비교하였다. 각농도에 따른 온도 함수의 해석적 항복 전압은 77∼300k의 온도 범위에서 실험 결과와 10% 이내의 오차로 잘 일치하였다.
겉보기대지저항률은 층의 깊이와 대지저항률과 같은 다층 대지파라미터들을 추정하는 데 사용된다. 겉보기대지저항률은 측정 될 수 있으며, 또한 겉보기대지저항률은 이들 파라미터들의 함수이기 때문에 주어진 대지 파라미터들로 계산 될 수 있다. 따라서 모든 최적화 알고리즘을 사용하여 계산된 겉보기대지저항률을 측정된 대지저항률에 가깝게 만드는 이들 파라미터들을 찾을 수 있다. 겉보기대지저항률을 계산하기위한 방정식은 0 차 Bessel함수를 포함하는 무한 적분으로 구성되어 있기 때문에 복잡하고 시간 소모적이다. 본 논문에서는 수평 다층 구조의 겉보기대지저항률을 계산하기 위한 빠른 알고리즘이 복소수이미지 방법을 사용하여 제시되었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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