• Proceedings of the Korea Electromagnetic Engineering Society Conference
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• 2002.11a
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• pp.209-212
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• 2002

본 논문에서는 위성방송 수신용 광대역 저잡음 증폭기를 설계 및 구현하였다. 전산모의 실험용 소프트웨어를 사용하여 저잡음 증폭기를 설계하였고, 제작된 저잡음 증폭기의 전기적 특성을 네트워크 분석기와 Noise Figure 분석기를 사용하여 측정하였다. LNA단의 Noise Figure에 중점을 두고 샘플을 제작하여 측정한 길과 전산모의실험에서 나온 데이터는 0.46㏈이하였고 전체 시스템에서 측정된 Noise figure는 0.6㏈정도의 좋은 길과를 나타내었지만, 반면에 이득과 반사손실의 결과가 약간 떨어짐을 보였다 위성 인터넷 등 위성을 이용하는 통신 인구의 급격한 증가와 더불어 구현된 저잡음 증폭기를 사용한 LNB(Low Noise Block down converter)가 널리 응용될 것으로 기대된다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.9 no.5
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• pp.1089-1095
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• 2005

This paper presents a new low-cost Built-In Self-Test (BIST) circuit for 50Hz low noise amplifier (LNA). The BIST circuit is designed for system-on-chip (SoC) transceiver environment. The proposed BIST circuit measures the LNA specifications such as input impedance, voltage gaih, noise figure, and input return loss all in a single SoC environment.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.16 no.1 s.67
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• pp.56-70
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• 2001

마이크로파대 이상의 높은 RF 전파는 신호레벨이 비교적 작고 간섭현상에 매우 민감한 특성을 가지고 있다. 따라서 이러한 미소한 입력전파의 수신시 수신기 전체의 감도를 높이고 잡음을 저감시킬 목적으로 사용되는 고주파 증폭기가 저잡음 증폭기이다. 본 고에서는 LNA의 기본적 특성분석과 지능형교통시스템에 응용되는 5.8GHz대 단거리전용통신용 LNA를 구현하기 위한 기본 FET 증폭기의 전기적 특성을 연구하고 직렬 궤환에 의한 최소잡음과 최소 입력 정재파비의 최적 설계 파라미터를 도출하였다.

• Journal of the Korean Institute of Navigation
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• v.25 no.1
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• pp.53-60
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• 2001

This paper presents the fabrication of the LNA which is operating at 2.13 ~ 2.16 GHz for IMT-2000 front-end receiver using series feedback and resistive decoupling circuit. Series feedback added to the source lead of a GaAs FET keeps the low noise characteristics and drops the input reflection coefficient of a low noise amplifier simultaneously. Also, it increases the stability of the LNA. Resistive decoupling circuit is suitable for input stage matching because a signal at low frequency is dissipated by a resistor in the matching network. The amplifier consists of GaAs FET ATF-10136 for low noise stage and VNA-25 which is internally matched MMIC for high gain stage. The amplifier is fabricated with both the RF circuits and self bias circuit on the Teflon substrate with 3.5 permittivity. The measured results of the LNA which is fabricated using the above design technique are presented more than 30 dB in gain, PldB 17 dB and less than 0.7 dB in noise figure, 1.5 in inputㆍoutput SWR(Standing Wave Ratio).

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.2 no.3
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• pp.353-358
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• 1998

This paper presents development of a LNA operating at 1.71 ∼ 1.18 GHz used for a receiver of KOREA PCS base station and transponder. Using resistive decoupling circuits, a signal at low frequency is dissipated by a resistor. This design method increases the stability of the LNA and suitable for input stage matching. The LNA consists of low noise GaAs FET ATF-10136 and internally matched VNA-25. The LNA is fabricated with both the RF circuit and the self-bias circuits in aluminum housing. As a result, the characteristics of the LNA implemented here shows 30 dB in gain and 0.85 dB in noise figure.

• Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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• v.54 no.2
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• pp.53-57
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• 2017

This paper proposes a 401MHz-406MHz low noise amplifier for MedRadio applications. The proposed low noise amplifier adopts a common gate amplifier topology using current reuse gm-boosting technique. The proposed low noise amplifier shows better performance of voltage gain and noise figure than the conventional gm-boosted common gate amplifier in the same power consumption. The proposed current-reuse gm-boosted low noise amplifier achieves a voltage gain of 22 dB, a noise figure of 2.95 dB, and IIP3 of -17 dBm while consuming $170{\mu}W$ from a 0.5 V supply voltage in $0.13{\mu}m$ CMOS process.

• Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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• v.53 no.9
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• pp.62-66
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• 2016

This paper presents a MedRadio-band low power low noise amplifier for Medical Devices. A proposed MedRadio-band low power low noise amplifier adopts a current-reuse resistive feedback topology to increase overall gm and reduce power consumption. The gain of the LNA increases by the Q-factor of the additional series RLC input matching network, and its noise figure is minimized by the similar factor. Furthermore, it consumes low power because of low supply voltage and current reuse technique. By exploiting the $g_m$-booting and matching network property, the proposed MedRadio-band low noise amplifier achieves a noise figure of 0.85 dB, a voltage gain of 30 dB, and IIP3 of -7.9 dBm while consuming 0.18 mA from a 1 V supply voltage in $0.13{\mu}m$ CMOS technology.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2016.10a
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• pp.647-648
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• 2016

본 논문에서는 차량용 레이더를 위한 저 전력 24GHz CMOS 저 잡음 증폭기를 제안한다. 이러한 회로는 1.8볼트 전원에서 동작하며, 저 전력에서도 높은 전압 이득과 낮은 잡음지수를 가지도록 설계되어 있다. 제안한 회로는 TSMC $0.13{\mu}m$ 고주파 CMOS 공정으로 구현되어 있다. 제안한 회로는 최근 발표된 연구결과에 비해 저 전력동작에서 높은 전압이득 및 낮은 잡음지수 특성을 보였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.1422-1423
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• 2008

UHF 모바일 RFID 밴드에서 고선형성을 가지는 CMOS 공통 게이트 저 잡음 증폭기를 제안하였다. 제안된 공통 게이트 구성은 고선형성과 광대역 특성을 가진다. 저 잡음 증폭기는 0.35${\mu}m$ (one poly, four metals) CMOS 공정을 사용하여 제작되었고, 제작된 공통 게이트 저 잡음 증폭기의 특성은 잡음 지수 3.2dB, P1dB 1.4dBm, 전압 이득 13.4dB를 가진다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2012.10a
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• pp.815-817
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• 2012

본 논문에서는 차량 충돌 예방 레이더 시스템-온-칩용 77GHz 고주파 전단부(RF front-end)를 제안한다. 이러한 고주파 전단부는 77GHz의 동작주파수를 가진 저 잡음 증폭기와 고주파 전력 증폭기로 구성된다. 이러한 회로는 TSMC $0.13{\mu}m$ 혼성신호/고주파 CMOS 공정 ($f_T/f_{MAX}=120/140GHz$)으로 설계되어 있다. 저잡음 증폭기의 경우 전압이득이 36dB로 최근 발표된 연구결과 중 가장 우수한 수치를 보였다. 전력 증폭기는 포화전력과 출력 $P_{1dB}$이 18dBm과 15dBm으로 기존 연구결과 중 가장 우수한 결과를 각각 보였다.