• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.8 no.4
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• pp.619-625
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• 1998

The effect of softening point and glass amount of glass frit on the sintering behavior of low temperature cofirable glass/ceramic composites was studied and according to these results, glass/ceramic composites with high sintered density was fabricated. The density of composites was increased as the glass amount was increased. In case of using the glass with low softening point, the deformation of specimen was occurred though the ratio of the glass amount in the specimen was low. But, in case of using the glass with high softening point, the sintered density of composites was increased in accordance with glass amount. With the specimen of high softening point, the deformation was not happened. Therefore, it was found that the densification was progressed continuously in high glass amount. From the study on the effect of softening point of glass on sintering behavior, the suitable softening point and glass amount for fabrication of glass/ceramic composites can be anticipated. When glass frit with softening point of $790^{\circ}C$ was chosen according to this result, low temperature cofirable glass/ceramic composites with high density (97%) at $900^{\circ}C$ was fabricated.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.160-160
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• 2010

테라헤르츠 소스로 저온 InGaAs를 대체하기 위해 저온에서 성장한 $In_{0.64}Al_{0.36}Sb$의 성장 온도에 따른 광학적 photoluminescence (PL)과 time-resolved PL (TRPL) 측정을 이용하여 분석하였다. 또한 Be 도핑 농도에 따른 p형 $In_{0.64}Al_{0.36}Sb$의 PL과 TRPL 특성을 undoped $In_{0.64}Al_{0.36}Sb$와 Si-doped $In_{0.64}Al_{0.36}Sb$ 결과와 비교 분석하였다. 본 연구에 사용한 시료는 분자선 엑피탁시 (molecular beam epitaxy)법으로 GaAs 기판 위에 $In_{0.64}Al_{0.36}Sb$을 다양한 성장온도에서 ${\sim}3.7\;{\mu}m$두께 성장하였다. $In_{0.64}Al_{0.36}Sb$의 성장온도는 $400^{\circ}C$ 에서 $460^{\circ}C$까지 변화시키며 성장하였으며, Si과 Be 도핑한 $In_{0.64}Al_{0.36}Sb$ 시료는 약 $420^{\circ}C$에서 성장하였다. 모든 시료의 PL 피크는 ~1450 nm 근처에서 나타나며 단파장 영역에 shoulder 피크가 나타났다. 그러나 가장 낮은 온도 $400^{\circ}C$에서 성장한 시료는 1400 nm에서 1600 nm에 걸쳐 매우 넓은 피크가 측정되었다. PL 세기는 $450^{\circ}C$ 에서 성장한 시료가 가장 강하게 나타났으며, $435^{\circ}C$에서 성장한 시료의 PL 세기가 가장 약하게 나타났다. 방출파장에 따른 PL 소멸곡선을 측정하였으며 double exponential function을 이용하여 운반자 수명시간을 계산하였다. 운반자 수명시간은 빠른 소멸성분 $\tau_1$과 느린 소멸성분 $\tau_2$가 존재하고 빠른 성분 $\tau_1$의 PL 진폭이 약 80%로 느린 성분 $\tau_2$보다 우세하게 나타났다. 각 PL 피크에서의 운반자 수명시간 $\tau_1$은 ~1 ns로 성장온도에 따른 변화는 관찰되지 않았다. 또한 방출파장이 1400 nm에서 1480 nm까지 PL 피크 근처에서 운반자 수명시간은 거의 일정하게 나타났다. Be-doped 시료의 PL 피크는 1236 nm에서 나타나며, Si-doped 시료는 1288 nm, undoped 시료는 1430 nm에서 PL 피크가 측정되었다. PL 피크에서 PL 소멸곡선은 Be-doped 시료가 가장 빨리 감소하였으며, Si-doped 시료가 가장 길게 나타났다. 이러한 결과로부터 $In_{0.64}Al_{0.36}Sb$의 광학적 특성은 성장 온도, dopant type, 도핑 농도에 따라 변화하는 것을 확인하였다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.4 no.1
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• pp.42-45
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• 1994

Deposition of silicon on pretreated sapphire and glass substrates has been investigated by the solution growth method at low temperatures. An average 14 $\mu\textrm{m}$ thickness of silicon was grown over a large area on sapphire substrate originally coated with a much thinner silicon layer [0.5 $\mu\textrm{m}$ (100) Si/(1102) sapphire)] at low temperatures from $380~460^{\cire}C$. Successful results were obtained from surface treated glass substrates in the temperatures range from $420~520^{\circ}C$.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.8 no.3
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• pp.306-315
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• 1995

본 논문에서는 $Al_{2}$ $O_{3}$박막을 GAIVBE(Gas Assisted Ionized Vapour Beam Epitaxy)기법에 의해 저온에서 300-1,400.angs.의 두께로 성장하여 그 조건을 제시하였다. 아울러 Al-Al$_{2}$ $O_{3}$-Si의 MOS구조를 제작하여 전기적 특성을 고찰하고 그 결과를 분석, 제시하므로써 GAIVBE기법에 의해 저온으로 형성된 $Al_{2}$ $O_{3}$막의 활용 가능성을 보고하였다. 한편, 본 연구에서 제작한 $Al_{2}$ $O_{3}$막의 저항율은 막의 두께 100-1,000.angs.인 시료제작에서 $10^{8}$ohm-cm 와 $10^{13}$ohm-cm로 측정되었고, 비유전율은 9.5-10.5, 절연파괴강도 6-7MV/cm(+바이어스)와 11-12MV/cm(-바이어스)이었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2002.07c
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• pp.2014-2016
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• 2002

Liquid crystal displays(LCDs)의 스위칭 소자로써 thin film transistors(TFTs)를 적용하기 위해서 저온 공정이 가능하도록 molybdenum 금속을 게이트에 사용하여 저온 다결정 TFTs 소자를 제작하였다. 또한, 채널 길이 방향으로 결정을 성장시켜 결정립이 큰 다결정 실리콘을 얻을 수 있는 sequential lateral solidification(SLS) 결정화 방법을 사용하였다. SLS-TFT 소자를 $2{\mu}m$에서 $20{\mu}m$까지의 다양한 채널 길이와 폭으로 제작한 후 각 소자들의 I-V 특성 곡선과 소자의 물성 분석을 위해 필요한 변수들을 구하여 이들의 전기적인 특성을 비교, 분석하였다. 제작된 소자들로부터 측정된 이동도는 $100{\sim}400Cm^2$/Vs, on/off 전류비는 약 $10^7$, off-state 전류는 약 $100{\times}10^{-12}A$로 대체적으로 우수한 특성을 보였다.

• Proceedings of the Korea Association of Crystal Growth Conference
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• 1997.10a
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• pp.135-144
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• 1997

표면 활성효과에 대한 비정질 규소 박막의 고성결정화 특성을 연구하였다. 증착된 비정질 규소 박막에 macro한 방법으로 wet blasting을, micro한 방법으로 자기이온주입으로 표면 활성화 처리를 행한 후 열처리를 하여 결정립의 결정화 특성을 보았다. 열처리는 관상로를 이용한 저온 열처리와 RTP를 이용한 급속 열처리의 두 가지 방법으로 하였다. 결정화의 기준으로 XRD분석을 통해 얻은 (111) 피크 강도를 이용하였으며, 결정의 품질을 비교하기 위해 Raman 분석을 하였다. 기계적 damage를 이용한 표면 활성화는 결정화를 촉진함을 확인하였으며 활성화 방법에 따른 결정화 영향 변화정도는 열처리 온도가 증가함에 따라 감소하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.1 no.3
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• pp.395-399
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• 1992

In0.5Al0.5As와 같은 조성을 갖는 합금인 n=1~4인 (InAs)n(AlAs)n 형태의 완벽한 층 상구조의 단주기 초격자를 MBE 방법으로 성장하였다. 저온 PL 측정을 통하여 광학적 특성 을 조사하였으며, Raman 산란실험을 통하여 구조적 특성을 조사하였다. X선화질 실험을 통하여 홀수 번호의 회적을 관측할 수 있었는데 이것은 초격자에 의한 새로운 주기의 형성 을 직접적으로 보여 주는 것이다.

• Applied Biological Chemistry
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• v.33 no.1
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• pp.68-72
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• 1990

Little is known about the regulation of IAA level in plants under low temperature. On exposing 6-day-old etiolated pea(Pisum sativum L. var. Sparkle) seedlings grown at $25^{\circ}$ to $5^{\circ}$ for 3 days, free IAA level decreased from 17.6 to 4.9 ng/g fresh weight(that is, from 68 to 10 pmol/shoot) and total IAA level from 113.2 to 60.8 ng/g FW. The level of free tryptophan, precusor of IAA, also decreased from 583 to 414 nmol/g FW and that of free phenylalanine and tyrosine, products of shikimic acid pathway along with tryptophan, decreased from 3,168 to 2,327 nmol/g FW. Thus low temperature was found to down-regulate the level of endogenous IAA, in part, by reducing tryptophan biosynthesis in etiolated pea shoots.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.170-170
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• 2010

a-plane 혹은 m-plane면을 사용하는 무분극 GaN LED는 c축 방향으로 발생하는 분극의 영향을 받지 않기 때문에 분극 GaN LED에 비해 높은 내부 양자효율을 가진다. 또한 무분극 GaN는 상대적으로 고농도의 p-type 도핑이 가능하기 때문에 광효율을 높일 수 있다. 하지만 이와 같은 장점에도 불구하고 무분극 GaN는 성장모드의 비대칭으로 인해 높은 결정성과 mirror-like한 표면을 얻기가 힘들다. 본 논문에서는 Metalorganic chemical-vapor deposition (MOCVD) 장비를 사용하여 r-plane 사파이어 기판위에 a-plane GaN을 성장시켰다. 일반적으로 사용하는 저온에서의 nucleation layer 성장 대신 $1050^{\circ}$의 고온에서 성장 시킨후 일반적으로 사용하는 two-step 성장방법으로 그위에 5.5um정도의 GaN을 성장시켰다. 성장시 Trimethylgallium(TMGa)와 암모니아를 각각 Ga과 N 소스로 이용하였고 캐리어 가스는 수소를 사용하였다. 비대칭 결정성을 줄이기 위해 3D island growth mode에서의 성장조건을 바꾸어 c축과 m축 방향으로의 X-ray 결정성(FWHM) 차이가 564 arcsec에서 206 arcsec로 변화 시켰다. Normarski 현미경으로 표면을 관찰한 결과 v-defect이 없고 a-plane GaN에서 볼 수 있는 전형적인 줄무늬 패턴을 가지는 표면을 얻었으며 광학적 특성을 보기 위해 Photoluminescence (PL)을 측정하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.226-226
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• 2013

GaN는 III-V족 물질로 밴드갭이 3.4 eV으로 가시광선 영역에서 투명하며 우수한 전기적 특성으로 인해 여러 반도체 분야에서 응용되고 있는 물질이다. GaN 박막의 성장 방법으로는 molecular beam epitaxial 방법과 metal organic chemical vapor deposition 방법이 있지만 고비용인 단점이 있다. 이에 비해 sputtering 방법으로 성장시킨 GaN 박막은 비용이 적게 들고 저온에서 성장이 가능하다는 장점이 있다. 이 연구에서는 radio frequency sputter를 사용하여 GaN 박막을 성장하여 구조적, 광학적 특성을 분석하였다. GaN 박막은 각각 단일층의 그래핀과 c-축 사파이어 기판에 증착 하였으며, 이때 기판온도는 $25^{\circ}C$, $100^{\circ}C$, $200^{\circ}C$로 변화를 주었고, N2 분압은 2 sccm, 5 sccm, 10 sccm으로 변화를 주었다. 그래핀과 사파이어 기판에 성장된 각각의 GaN 박막의 결정성을 투과전자현미경 이미지로 측정하여 비교하였다. $4{\times}10^{-3}$ Torr 진공도와 50 W의 방전 전력과 Ar 10 sccm 분위기에서 20 min 동안 증착된 GaN 박막 두께는 70 nm정도를 가지는 것으로 확인하였다. X-ray Diffraction 측정으로 사파이어 기판 및 (002) 방향으로 성장된 GaN의 피크를 확인하였다. 추가적으로 Photoluminescence 스펙트럼은 N2 분압의 변화와 yellow luminescence 영향을 받는 것을 확인하였다. 본 연구를 통하여, 증착된 기판온도와 N2 분압의 변화에 따른 그래핀 및 사파이어 기판에 증착된 GaN 박막의 특성을 비교하였으며, sputtering 방법으로 고품질의 GaN 박막을 성장시킬 수 있는 가능성을 확인하였다.