Electrical & Electronic Materials (E2M - 전기 전자와 첨단 소재)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

A study on the electrical characteristics and the growth of $Al_ 2O_3$ film on Si with low temperatures by GAIVBE technique

GAIVBE기법에 의한 저온 $Al_ 2O_3$ on Si 박막의 형성과 전기적 특성에 관한 연구

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  • K.V.Rao (Royal Institute of Technology Dept Condensed Matter Physics) ;
  • 성만영 (고려대학교 전기공학과) ;
  • 김태익 (고려대학교 전기공학과) ;
  • 문병무 (고려대학교 전기공학과) ;
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  • 박성희 (호서대학교 전자공학과)
  • Published : 1995.05.01
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Abstract

본 논문에서는 $Al_{2}$ $O_{3}$박막을 GAIVBE(Gas Assisted Ionized Vapour Beam Epitaxy)기법에 의해 저온에서 300-1,400.angs.의 두께로 성장하여 그 조건을 제시하였다. 아울러 Al-Al$_{2}$ $O_{3}$-Si의 MOS구조를 제작하여 전기적 특성을 고찰하고 그 결과를 분석, 제시하므로써 GAIVBE기법에 의해 저온으로 형성된 $Al_{2}$ $O_{3}$막의 활용 가능성을 보고하였다. 한편, 본 연구에서 제작한 $Al_{2}$ $O_{3}$막의 저항율은 막의 두께 100-1,000.angs.인 시료제작에서 $10^{8}$ohm-cm 와 $10^{13}$ohm-cm로 측정되었고, 비유전율은 9.5-10.5, 절연파괴강도 6-7MV/cm(+바이어스)와 11-12MV/cm(-바이어스)이었다.

Keywords