• Information Display
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• v.11 no.3
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• pp.34-42
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• 2010

• Information Display
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• v.3 no.1
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• pp.10-14
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• 2002

• Information Display
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• v.4 no.6
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• pp.10-15
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• 2003

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2006.08a
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• pp.73-73
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• 2006

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2003.07b
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• pp.915-918
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• 2003

본 논문에서는 높은 슬루율을 가지고 전압편차 (offset)보상 기능을 가지면서도 전력소모가 적은 고계조 TFT-LCD 데이터 드라이버 구동용 단일이득 연산증폭기(unit gain op-amp)의 바이어스 회로 및 구동 방법을 제안하였다. 제안한 단일이득 연산증폭기는 일반적으로 사용되고 있는 전압편차 보상기능을 가진 단일이득 연산증폭기에 adaptive bias기능을 추가한 것으로써, 기존 구조에 비해 50%이상의 소비 전력 절감 효율을 보였다.

• Journal of the Korean Institute of Intelligent Systems
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• v.17 no.4
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• pp.569-574
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• 2007

최근 많은 광대역 유무선 통신 응용분야에서 OFDM(Orthogonal Frequency Division Multiplexing) 방식을 표준기술로 채택하고 있다. OFDM 방식의 고속 무선 데이터 통신을 위한 FFT 프로세서는 일반적으로 DSP(Digital Signal Processing)로 구현되었으나, 큰 전력 소비를 필요로 한다. 따라서, OFDM 통신방식의 단점인 전력문제를 보완하기 위해서 전류모드 FFT LSI가 제안되었고, 저소비전력 전류모드 FFT LSI를 동작시키기 위해서는 전류모드를 전압모드로 바꾸는 VIC(Voltage to Current Converter) 그리고 다시 전류모드를 전압모드로 바꾸어 주는 IVC(Current to Voltage Converter)가 필요하다. 그러나, OP-AMP로 구현되는 종래의 IVC는 회로규모가 크고, 전력소비가 크며, LSI 내에 크고 정확한 높은 저항을 필요로 한다. 또한 전류모드신호처리에서 많이 이용되는 Current Mirror 회로 등의 출력단자로부터 전류신호를 입력받은 경우, 입력단자간의 전위차가 발생하며, DC offset 전류가 발생하는 등의 문제점을 갖는다. 따라서 본 연구에서는 저전력 동작이 가능하고, 향후, single chip 응용이 가능한 IVC를 $0.35{\mu}m$ 공정에서 설계함으로서, $0.35{\mu}m$ 공정에서의 전류모드 FFT LSI의 전압모드 출력이 가능해졌다 설계된 IVC는 FFT LSI의 출력이 디지털신호로 환산한 ${\pm}1$인 점을 감안하여, 전류모드 FFT LSI의 출력이 $13.65{\mu}A$ 이상일 때에 3.0V의 전압을 출력하고, FFT LSI의 출력이 $0.15{\mu}A$ 이하일 때에 0.5V 이하의 전압을 출력하도록 하였으며, IVC의 총 소비전력은 약 1.65mV이하로 평가되었다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2004.07a
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• pp.232-233
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• 2004

LED 광원의 특성인 높은 색재현성, 친환경성, 저소비전력 등을 디스플레이 광원으로 그 활용도가 높이 평가되고 있다. 최근 비약적인 광효율 증가를 보이고 있는 고출력 LED 광원을 대화면의 LCD TV 용 BLU 와 Projection TV의 조명계에 적용하기 위하여 기술개발에 필요한 주요 요소들을 살펴본다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2004.02a
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• pp.286-287
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• 2004

GaAs 기판 위에 성장된 열구동 MEMS형 파장가변 필터 구조를 이용하여 제작 과정이 간단하면서도 구동 전압 1.7 V, 소비전력 0.92 mW만으로 69 nm의 파장가변이 가능한 저전압, 저소비전력 필터 소자를 구현하였다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.48 no.3
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• pp.1-6
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• 2011

Low-power logic gates, i.e. inverter, NAND, and NOR, are proposed employing only n-channel oxide thin film transistors (TFTs). The proposed circuits were designed to prevent the pull-up and pull-down switches from being turned on simultaneously by using asymmetric feed-through and bootstrapping, thereby exhibited same output voltage swing as the input signal and no static current. The inverter is composed of 5 TFTs and 2 capacitors. The NAND and the NOR gates consist of 10 TFTs and 4 capacitors respectively. The operations of the logic gates were confirmed successfully by SPICE simulation using oxide TFT model.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2013.10a
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• pp.726-729
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• 2013

In this paper, low power and high slew rate CMOS rail to rail input/output opamp applicable for ouput buffer amp, in LCD source driver IC, is proposed. Proposed op-amp, is realized the characteristics of low power consumption and high slew rate adding the newly designed control stage of class-B to the conventional output stage of class-AB. From the simulation results, we know that the proposed opamp buffer can drive a 1000pF capacitive load with a 6.5V/us slew-rate, while drawing only the the power consumption of 1.19mW from 3.3V power supply.