• 한국정밀공학회지
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• 제32권1호
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• pp.69-74
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• 2015

Cadmium telluride (CdTe) is being developed for thin film of the X-Ray detector recently. But a rough surface of the CdTe should be improved for resolution and signal speed. This paper shows the study on the improvement of surface roughness and removal rate by applying Chemical Mechanical Polishing. The conventional potassium hydroxide (KOH) based colloidal silica slurry could not realize a mirror surface without physical defects, resulting in low material removal rate and many scratches on surface. In order to enhance chemical reaction such as form oxidized layer on the surface of cadmium telluride, we used hydrogen peroxide ($H_2O_2$) as an oxidizer. Consequently, in case of 3 wt% concentration of hydrogen peroxide, the highest MRR (938 nm/min) and the lowest surface roughness ($R_{p-v}=10.69nm$, $R_a=0.8nm$) could be obtained. EDS was also used to confirm the generated oxide of cadmium telluride surface.

• 한국기계가공학회지
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• 제17권1호
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• pp.16-22
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• 2018

Silicon carbide (SiC) is used in various semiconductor processes because it has superior thermal, mechanical, and electrical characteristics as well as higher chemical and corrosion resistance than existing materials. Due to these characteristics, various manufacturing technologies have been developed for SiC. A recent development among these technologies is Chemical Vapor Deposition SiC (CVD-SiC). Many studies have been carried out on the processing and manufacturing of CVD-SiC due to its different material characteristics compared to existing materials like RB-SiC or Sintered-SiC. CVD-SiC is physically stable and has excellent chemical and corrosion resistance. However, there is a problem with increasing the thickness, because it is manufactured through a deposition process. Additionally, due to its high strength and hardness, it is difficult to subject to machining.

• 한국재료학회지
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• 제7권12호
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• pp.1097-1104
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• 1997

인산형 연료전지(PAFC)용 전해질 매트릭스의 표면 거칠기를 감소시켜 분극저항을 줄이고 작업성을 향상시키기 위해 SiC whisker를 사용하여 일반적인 테이프 캐스팅법으로 제조된 매트릭스의 거친 표면을 평탄화 처리하였다. 구형 입자의 분무공정을 이용하여 표면 평탄화 처리(process l)하는 경우와 롤링을 이용하여 표면 평탄화 처리(process 2)하는 두가지 공정을시도하였으며, 두가지 공정 모두 기공율과 인산 함침도를 유지시키면서, 매트릭스의 표면 거칠기를 감소시키고 기공압, 가소성 및 인장강도를 향상시킬 수 있었다. 위와 같이 제조한 매트릭스로 연료전지를 구성하여 교류 임피던스 분석을 한 결과, 표면 평탄화 처리는 매트릭스 표면의 거칠기를 감소시킴으로써 전극과의 접촉시 계면에서의 분극 저항을 감소시켜 전지성능을 향상시키는 것으로 나타났다. process 2는 표면의 거칠기 감소뿐 아니라 표면에서의 인산함침도가 커서 가장 우수한 전지특성을 나타내었으며, process 1은 매트릭스 표면에 불규칙하게 존재하는 거대 기공을 완전히 제거하고 기공압을 크게 향상시킬 수 있기 때문에 대형의 매트릭스 제조를 가능하게 하였다.

• 한국기계가공학회지
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• 제16권5호
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• pp.40-46
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• 2017

A plasma gas control apparatus for semiconductor plasma etching processes securely holds a cathode for forming a plasma, confines the plasma during the plasma etching process, and discharges gas after etching. It is a key part of the etching process. With the advancement of semiconductor technology, there is increasing interest in parts for semiconductor manufacturing that directly affect wafers. Accordingly, in order to replace the plasma gas control device with a CVD-SiC material superior in mechanical properties to existing SiCs (Sintered-SiC, RB-SiC), a study on the grinding characteristics of CVD-SiC was carried out. It is confirmed that the optimal grinding condition was obtained when the result table feed rate was 2 m/min and the infeed depth was $5{\mu}m$.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제13권2호
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• pp.131-136
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• 2000

We have investigated the slurry induced metallic contaminations of undoped and doped silicate oxides surface on CMP cleaning process. The metallic contaminations by CMP slurry were evaluated in four different oxide films, such as plasma enhanced tetra-ethyl-orthyo-silicate glass(PE-TEOS), O3 boro-phos-pho-silicate glass(O3-BPSG), PE-BPSG, and phospho-silicate glass(PSG). All films were polished with KOH-based slurry prior to entering the post-CMP cleaner. The Total X-Ray fluorescence(TXRF) measurements showed that all oxide surfaces are heavily contaminated by potassium and calcium during polishing which is due to a CMP slurry. The polished O3-BPSG films presented higher potassium and calcium contaminations compared to PE-TEOS because of a mobile ions gettering ability of phosphorus. For PSG oxides, the slurry induced mobile ion contamination increased with an increase of phosphorus contents. In addition, the polishing removal rate of PSG oxides had a linear relationship as a function of phosphorus contents.

• 한국기계가공학회지
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• 제21권6호
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• pp.36-43
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• 2022

Automobile brake discs are a major part of automobiles that are directly related to driver safety, and prevention of judder and squall noise is very important. This phenomenon occurs for complex reasons such as the precision and assembly of the brake module, and the material of the brake disc. The purpose of this study is to analyze the effect of the grinding wheel's grain size on the grinding conditions when machining cast iron, the material of the brake disc, and to derive the optimal grinding conditions through this.

• 전기의세계
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• 제28권2호
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• pp.23-28
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• 1979

압전 세라믹 소자는 강유전성 세라믹에 높은 직류전압을 가한 후에 나타나는 압전효과를 이용하는 것으로 전압을 제거한 후에도 압전효과가 존재하는 것이 강유 전체의 특징이다. 압전효과를 나타내는 것은 천연으로 존재하는 수정이 있고, 인조품으로서는 BaTiO$_{3}$가 2차 대전후 W.P Mason에 의해 연구되어 압전재료로서 사용되었지만 BaTiO$_{3}$는 공진주파수의 온도안정성이 문제가 된다. 그후 B.Jaffe et al.은 P$_{b}$(Z$_{r}$, T$_{i}$)O$_{3}$등 몇가지 복합 Perovskite 산화물 중에서 P$_{b}$(Z$_{r}$, T$_{i}$)O$_{3}$의 $P^{2+}$$_{b}$ 이온을 다른 이온으로 치환하면 큐리 온도가 변하고 실온에서의 유전율도 크게 변화한다는 것이 밝혀졌다. 여기서 논하고저 하는 것은 압전소자의 제법과 성질 또 이의 특성을 좁은 범위 내에서 소개코저 한다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2000년도 추계학술대회 논문집
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• pp.866-869
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• 2000

To improve quality of the ground surface, we have to consider a number of parameters. But it is difficult to make experiment with many parameters. Most of all experiments try to search optimal grinding condition with conservative factors such as feed rate, depth of cut, wheel rotating speed, etc. But This paper attempts to view the significance of some different factors effecting on the surface roughness by introducing helical scan grinding method and material removal rate. The design of experiment is used to find the optimal grinding condition which minimizes the surface roughness value bout optical glass material. To analyze experimental results, ANOVA(ANalysis of VAriation) is used. Discussion on the result about helical scan grinding is also given.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2004년도 춘계학술대회 논문요약집
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• pp.239-239
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• 2004

화학적 기계연마 공정(CMP)은 반도체 웨이퍼를 수 천$\AA$m/min의 MRR로 2$\mu\textrm{m}$ 이내의 W(Total Thickness Variable) 조건을 만족시키는 초정밀 광역 평탄화 기술이다. 일반적인 CMP 방법은 서로 다른 회전 중심을 갖고 동일한 방향으로 회전하는 웨이퍼와 다공성 패드 사이에 연마액인 슬러리를 넣어 연마하는 것이다. CMP 공정기술은 1990년 대 중반에 개발되었으나, 아직까지 연마 메커니즘이 완벽하게 밝혀지지 않았다. 따라서 장비를 최적화하기 위해 실험에 의존적일 수밖에 없으나, 이러한 방법은 막대한 자금과 노력뿐만 아니라 상당한 시간을 필요로 하기 때문에, 앞으로 가속될 연마대상 재료의 변화 및 다양한 속도에 발맞출 수 없다.(중략)

• 한국잡초학회지
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• 제5권2호
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• pp.143-148
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• 1985

미리용(未利用) 식물(植物)인 부레옥잠의 도시하수(都市下水)나 공장배수(工場排水)의 정화(淨化) 가능성(可能性)을 검토(檢討)하기 위하여 현장폐수(現場廢水)에 대한 실증실험(實證實驗)과 생장(生長)에 미치는 요인(要因)을 구명(究明)하고자 실내실험(室內實驗)을 통해 나타난 결과(結果)를 요약(要約)하면 다음과 같다. 1. 성질(性質)이 서로 다른 현장폐수(現場廢水)에 적용한 결과에서 볼 때 부레옥잠의 유기물제거(有機物除去)는 대상 유기물의 종류(種類)에 따라 효율(效率)의 차이는 있으나 대체로 고농도(高濃度)에서 평균처리효율(平均處理效率)이 높으며, 초기(初期)의 제거율(除去率)이 보다 높은 것으로 나타났다. 2. 부레옥잠의 생장(生長)에 대한 최적(最適)pH는 중성~약산성이었으며, pH에 따른 피해는 산성보다 알카리성에서 더욱 컸다. 3. Nacl농도(濃度)가 0.5%인 경우는 36시간 후 뿌리 활성(活性)을 완전(完全)히 잃었으나, 0.01%에 있어서는 24시간 후까지는 큰 변화(變化)가 없었다. 4. 수온(水溫)에 따른 공시재료의 생장효과(生長效果)는 $17\sim21^{\circ}C$에서 높았으며, 수온(水溫)이 높아짐에 따라 생장(生長)이 억제(抑制)되어 $30^{\circ}C$의 경우는 현저히 감소(減少)되었다. 5. 차광(遮光)이 됨에 따라 부레옥잠 생장(生長)은 억제(抑制)되었으며, 그 경향은 기온(氣溫)이 낮아질수록 심하였다. 6. 포장조건(圃場條件)에서 부레옥잠의 개체증식(個體增殖)을 6월 14일부터 7월 19일까지 5주 동안 조사(調査)한 결과(結果), 1개체에서 12.3개체로 증식(增殖)되었으며 평균(平均) 생장(生長) 속도(速度)는 53.6g/week, 비교생장율(比較生長率)은 0.302g/g/week였다.