• 공학교육연구
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• 제13권4호
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• pp.77-86
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• 2010

본 연구의 목적은 여성공학도의 진로장벽에 관한 남녀 학생 인식비교이다. 이를 위해 진로장벽 인식에 관한 문헌을 조사하고, 이성식(2007) 박사학위논문에서 사용한 내용을 교육학박사 2인이 수정 보완하여 설문문항을 구성하였다. 설문대상은 수도권 소재 4학년 재학 중인 공과대학생 691명이다. 연구결과 남학생은 여학생보다 여성의 진로장벽인식(상호작용적, 태도, 사회적 대인적 진로장벽)에 긍정적인 것으로 나타났다. 또한 여학생들은 태도장벽을 긍정적으로 인식하고 있는데 반하여 상호작용적 장벽을 부정적으로 자각하고 있었다. 여학생들이 인식한 태도장벽과 상호작용적 장벽의 구체적인 요소를 알아보기 위하여 실시한 초점그룹 인터뷰 결과에서 여성공학도들은 학점을 근거로 자신들을 준비된 공학도로 이해하는 경향이 있었고, 여성의 진로개발과 유지에서의 애로사항은 잘 이해하고 있는 반면, 이에 대한 대응 전략에 대한 인식은 미흡하였다.

• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제17권9호
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• pp.575-586
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• 2017

본 연구는 대학생들의 진로결정 자기효능감에 진로장벽과 사회적 지지의 영향을 알아보고자 하였다. 진로장벽과 진로결정 자기효능감의 관계에서 사회적 지지의 조절효과 모델을 설정하였다. 5개 대학의 1-4학년 대학생 307명의 응답이 분석되었다. 통계분석결과 진로결정 자기효능감은 학년이나 계열에 따른 차이는 나타나지 않았지만 성별에 따른 차이는 유의미하게 나타났다. 남학생이 여학생에 비해 진로결정 자기효능감이 높았다. 진로장벽은 진로결정 자기효능감에 부적 영향을 주었다. 진로장벽이 증가할수록, 진로결정 자기효능감은 낮아졌다. 또한 진로장벽은 사회적 지지와 상호작용 하여 진로결정 자기효능감에 영향을 주었다. 사회적 지지가 높은 경우에는 진로장벽이 진로결정 자기효능감에 더 많은 영향력을 행사하였지만 사회적 지지가 낮은 경우에는 진로장벽이 진로결정 자기효능감에 더 적은 영향을 주었다. 진로장벽을 낮추고 사회적 지지를 높이는 것은 결과적으로 진로결정 자기효능감을 높여 대학생의 진로발달에 도움을 줄 것이다.

• 한국융합학회논문지
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• 제9권11호
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• pp.325-331
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• 2018

본 연구는 취업을 앞둔 대학생들을 대상으로 인지된 진로장벽을 내적장벽과 외적장벽으로 분류하고 진로타협과의 관계를 파악한 후 자기효능감의 조절효과를 융합적으로 검증하는데 그 목적이 있다. 이를 위해 전국의 대학생들을 대상으로 인지된 진로장벽 및 진로타협에 관한 설문조사를 실시하였고 최종적으로 SPSS 20.0 프로그램을 이용해 280부를 회귀 분석하였다. 인지된 내적장벽과 인지된 외적장벽은 모두 진로타협과 정의 상관관계를 보였으며, 조절변수로서의 자기효능감 역시 진로장벽과 진로타협간의 관계에서 조절효과가 있음이 검증되었다. 이는 자기효능감은 인지된 진로장벽을 극복할 수 있는 원동력이 되므로 자기효능감을 높이는 교육이 학생들의 진로개발에 도움이 될 수 있음을 시사한다. 추후 연구에서는 현재 근무 중인 졸업생들의 직장만족도 및 이직률이 자기효능감과 관련이 있는지에 대해 검증해 볼 필요가 있다.

• 한국비블리아학회지
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• 제31권1호
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• pp.5-20
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• 2020

본 연구는 건강관리에 대한 인식이 높아지면서 많은 양의 건강 앱이 생산되고 있지만 이에 대한 이용 수준이 낮은 원인을 파악하고자 하였다. 즉, 이용자가 지닌 혁신저항(사용 장벽 정도, 가치 장벽 정도, 위험 장벽 정도, 전통 장벽 정도, 이미지 장벽 정도)이 건강 앱 이용의도에 미치는 영향을 살펴보았다. 본 연구를 위해 대학생들을 대상으로 설문을 진행하여 378개의 유효한 응답을 얻었다. 연구 결과, 이용자의 이미지장벽 정도가 높을수록 건강 앱에 대한 혁신저항 정도가 높아지며, 혁신저항 정도가 높을수록 지속적 이용의도 정도와 추천의지 정도가 낮게 나타났다. 또한, 사용장벽 정도, 가치장벽 정도 그리고 전통장벽 정도는 혁신저항 정도에 유의한 영향을 미치지 않는 것으로 나타났다. 본 연구는 건강 앱의 이용행태를 혁신저항이론으로 설명함으로써 신기술의 수용 및 지속적 사용에 대한 학문적 논의를 심화시켰다. 연구 결과는 건강 앱의 수용 및 지속적 이용을 위해서는 사용장벽, 가치장벽 그리고 전통장벽보다는 이미지장벽을 낮추는 것이 효과적일 것이라는 실질적 함의를 제공한다.

• 한국세라믹학회지
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• 제38권7호
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• pp.639-642
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• 2001

전형적인 비저항-온도 특성을 갖는 BaTiO$_3$계 PTC 세라믹을 일반적인 세라믹 공정을 이용하여 제조하였고, 결정립계면에 형성된 전위장벽의 높이를 구하였다. ZnO 바리스터의 전위장벽을 구하기 위해 이용되었던 커패시턴스-전압 관계식과는 다른 새로운 관계식을 제안하였고, 기존의 비저항-온도 관계식을 다소 변경한 관계식을 이용하여 전위장벽을 구하였다. 두 관계식으로부터 구한 전위장벽의 높이는 매우 유사한 값을 보이고 있으며 타 연구자들에 의해 보고된 값과도 잘 일치하고 있다. 비저항-온도 관계식과 커패시턴스-전압 관계식을 이용하여 130-18$0^{\circ}C$ 구간에서 구한 전위장벽의 크기는 각각 0.41-0.76V와 0.36-0.80V이었다.

• 한국경영과학회:학술대회논문집
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• 한국경영과학회 2000년도 추계학술대회 및 정기총회
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• pp.329-332
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• 2000

최근 벤처 기업에 대한 관심이 급증하면서 이들의 성공요인에 대한 연구들이 많아지고 있으며, 인터넷 비즈니스 산업도 많은 벤처기업을 배출한 산업 가운데 하나이다. 이 산업의 경우, 신규진입의 용이성으로 인하여 진입장벽이 거의 없는 산업으로 알려져 왔다. 그러나 실제 선점 기업들의 가시적인 성과가 나타남에 따라 본 연구는 이 산업에서의 진입장벽 존재 여부와 그 영향력에 대하여 알아보고자 한다. 보다 구체적으로 인터넷 비즈니스산업의 벤처기업이 가지는 진입장벽을 기존 문헌 연구 및 벤처기업 5개사와의 FGI(Focus Group Interview)를 통하여 연구개발 및 기술력(특허권), 브랜드력, 고객 전환비용, 창업자(인맥), 전략적 제휴의 5가지 변수로 압축하였다. 이들 5개 변수가 초기 진입자에게 실제 혜택을 주는가, 이들 5가지 진입장벽의 중요성은 동일한가, 그리고 이들 진입장벽이 서로 다른 사업 유형의 벤처 기업들 진입의사결정에. 동일한 영향을 주는가의 가설이 제시되었다.

• EDISON SW 활용 경진대회 논문집
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• 제6회(2017년)
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• pp.398-403
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• 2017

본 연구에서는 gate-all-around(GAA) 수직 나노선 Field-Effect Transistor(FET)의 소스/드레인 반도체/실리사이드 접합에 존재하는 Schottky 장벽이 트랜지스터의 DC특성에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. Non-Equilibrium Green's Function와 Poisson 방정식 기반의 시뮬레이터를 사용하여, Schottky 장벽의 위치와 높이, 그리고 채널 단면적의 크기에 따른 전류-전압 특성 곡선과 에너지 밴드 다이어그램을 통해 분석을 수행하였다. 그 결과, 드레인 단의 Schottky 장벽은 드레인 전압에 의해 장벽의 높이가 낮아져 전류에 주는 영향이 작지만, 소스 단의 Schottky 장벽은 드레인 전압과 게이트 전압으로 제어가 불가능하여 외부에서 소스 단으로 들어오는 캐리어의 이동을 방해하여 큰 DC성능 저하를 일으킨다. 채널 단면적 크기에 따른 DC특성 분석 결과로는 동작상태의 전류밀도는 채널의 폭이 5 nm 일 때까지는 유지되고, 2 nm가 되면 그 크기가 매우 작아지지만, 채널 단면적은 Schottky 장벽에 영향을 끼치지 못하였다. 본 논문의 분석 결과로 향후 7 nm technology node 에 적용될 GAA 수직 나노선 FET의 소자 구조 설계에 도움이 되고자 한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.235-235
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• 2010

본 연구에서는 태양전지의 활성영역에 삽입할 InAs 양자점에 AlxGax-1As 장벽층을 삽입하여 그 두께변화에 따른 광학적 특성 변화를 photoreflectance spectroscopy (PR)과 photoluminescence (PL)를 이용하여 연구하였다. 본 연구에 사용된 InAs/AlGaAs 양자점 구조는 GaAs (100) 기판 위에 GaAs buffer layer를 500 nm 성장 ($Ts=580^{\circ}C$) 후 기판온도 $470^{\circ}C$에서 InAs 양자점, GaAs cap 층과 AlxGax-1As 장벽층 순서로 5 층의 InAs/GaAs/AlxGax-1As 양자점 구조를 형성하였다. GaAs cap 층의 두께는 4 nm로 고정하고 AlGaAs 장벽층 두께를 0~6 nm 까지 변화시켰다. 각 양자점 층 사이에 AlxGax-1As 장벽층의 삽입 유무에 따라 PR 신호에서 Franz-Keldysh oscillation (FKO)의 주기 변화가 관측되었다. AlGaAs 두께가 증가 할수록 PL 신호의 세기가 증가함을 보였으며 PL 신호의 온도의존 특성이 변화됨을 관측할 수 있었다. AlGaAs 장벽층 대신 AlAs 장벽층을 삽입한 시료에서도 유사한 경향성을 관측하였으며, 이는 양자점에 구속된 운반자의 터널링 현상과 높은 장벽층에 의한 운반자의 구속 강도의 변화에 의한 것으로 사료된다. 특히 장벽층의 유무에 따른 FKO의 변화는 시료의 표면 전기장의 변화에 기인한 것으로 운반자의 구속효과뿐만 아니라 InAs 양자점 성장중 형성된 표면결함 밀도의 변화에 의한 것으로 추정하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.187-187
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• 1999

fcc(110) 표면이나 bcc(110) 표면과 같이 2-fold 대칭성을 갖는 표면 위에 초미세 박막을 성장시킬 경우 토대표면의 두 방향에 대한 비 대칭성으로 흡착물이 비대칭적인 cluster 형태로 성장되는 것이 보고되고 있다. 최근 STM에 의한 Ps(110) 표면 위에나 Si(100) 또는 W(110) 표면 위에 성장 실험은 흡착물이 길게 늘어선 한 줄 형태의 성장 또는 가로 세로가 비대칭적인 cluster 형태로 성장되는 것을 보고하고 있고, 이러한 특정 형태의 성장의 원인으로 흡착 원자의 방향에 따른 분산 속도의 비대칭성, 인접 원자와의 비대칭적인 상호작용, 또는 cluster 경계 방향의 분산 속도 등을 들고 있다. 그러나 아직 대부분의 물질계에 비해 흡착원자의 분산속도 또는 분산 장벽에 대해서는 잘 알려져 있지 않다. 원하는 원자 단위 구조물 제작을 위해서는 흡착물의 분산속도에 대한 이해가 필수적이며, 본 연구는 KMC 시뮬레이션과 실험 결과를 비교하는 방법을 통하여 위치와 조건에 따른 각각의 분산 속도를 구하고자 하는 시도이다. 특히 비대칭적 토대 위에서의 나타나는 다양한 형태의 미시적 성장구조에 관심을 가지며, 연구 방법으로는 KMC 시뮬레이션을 이용한다. 미시적 성장 양식은 분산 장벽 형태에 의해 크게 결정된다. 분산장벽 중에서 성장에 비교적 큰 영향을 미치는 것으로는 테라스 위의 원자가 이동할 때의 분산장벽인 Ed, 계단 끝에 부착된 원자가 분리될 때의 장벽인 Ep, 그리고 위 테라스에서 계단 아래로 떨어져 내려갈 때 만나는 Schwoebel 장벽들이 있다. 먼저 대칭적인 fcc(100) 표면 위에서의 성장 구조를 정리해보면 분산 장벽에 따라 다양한 미시적 성장형태를 볼 수 있었다. 다층 성장의 경우도 그 양식은 sub-ML 성장과 동일한 형태를 가지므로 sub-ML 성장구조로 전체 성장 양식을 예견할 수 있다. 일반적인 경향은 Ep가 커질수록 fractal 성장형태가 되며, Ed가 적을수록 cluster 밀도가 작아지나, 같은 Ed+Ep에 대해서는 동일한 크기의 팔 넓이(수평 수직 방향 cluster 두께)를 가진다. 따라서 실험으로부터 얻은 cluster의 팔 넓이로부터 Ed+Ep 값을 결정할 수 있고, cluster 밀도와 fractal 차원으로부터 각각 Ed와 Ep값을 분리하여 얻을 수 있다. 또한 다층 성장에 대한 거칠기(roughness) 값으로부터 Es값도 구할 수 있다. 양방향 대칭성을 갖지 않은 fcc(110) 표면과 같은 경우, 형태는 다양하지만 동일한 방법으로 추정이 가능하다. (110) 표면의 경우 nearest neighbor 원자가 한 축으로 형성되고 따라서 이 축과 이것과 수직인 축에 대한 상호작용이나 분산 장벽 모두가 비대칭적이다. 따라서 분산 장벽도 x-축, y-축 방향에 따라 분리하여 Edx, E요, Epx, Epy 등과 같이 방향에 따라 다르게 고려해야 한다. 이러한 비대칭적인 분산 장벽을 고려하여 KMC 시뮬레이션을 수행하면 수평축과 수직축의 분산 장벽의 비에 따라 cluster의 두께비가 달라지는 성장을 볼 수 있었고, 한 축 방향으로의 팔 넓이는 fcc(100) 표면의 경우 동일한 Ed+Ep값에 대응하는 팔 넓이와 거의 동일한 결과가 나타나는 것을 볼 수 있다. 따라서 이러한 비대칭적인 모양을 가지는 성장의 경우도 cluster 밀도, cluster 모양, cluster의 양 축 방향 길이 비, 양 축 방향의 평균 팔 넓이로부터 각 축 방향의 분산 장벽을 얻어낼 수 있을 것으로 보인다.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2002년도 동계연구발표회 논문개요집
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• pp.170-171
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• 2002

최근에 스핀트로닉스 주요 관심 소자의 하나인 자성체와 반도체 하이브리드형 쇼트키 장벽 다이오드 (Schottky Barrier Diode; SBD) 소자는 금속과 반도체간의 장벽전압에 의해 다수 전자가 이동하는 현상을 이용한 것으로서 과거에 신호 검파용으로 사용하던 금속 접촉 다이오드와 유사한 구조와 원리를 가진다. 내부 저항이 작고 동작속도가 빨라서 PC의 전원 장치와 같이 고속, 고효율을 요구하는 환경에 많이 사용된다. 쇼트키 장벽 소신호 다이오드와 쇼트키 장벽 정류기의 구분은 불분명하며 보통 0.5 A를 기준으로 구분한다. (중략)