• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2009년도 제40회 하계학술대회
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• pp.730_731
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• 2009

고온초전도 마그넷은 저온초전도 마그넷과 달리 초전도선의 형태로 인한 이방성 때문에 마그넷의 형상에 따라 특성이 달라진다. 본 연구에서는 팬케이크 권선형 고온초전도 마그넷의 형상을 결정하는 요소 중에서 팬케이크 권선 사이의 공극 변화에 따른 특성을 계산하였다. 계산결과 최대의 중심자장을 발생하는 최적의 공극이 있음을 확인하였으며, 공극을 둠으로써 자장의 균일성도 향상됨을 확인하였다.

• 한국원자력학회:학술대회논문집
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• 한국원자력학회 1995년도 춘계학술발표회논문집(2)
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• pp.1041-1046
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• 1995

KT-2 토카막 플라즈마 귀환제어계를 개념설계 하였다. 본 연구에서는 최적의 자장탐침계구성방법, 수직위치 불안정성에 대한 대책, 플라즈마 파라메타들의 실시간 계산 알고리즘 및 VXI 모듈화된 플라즈마 제어계에 대해 논의한다. KT-2 플라즈마 제어계를 VXI 모듈화된 디지탈방식으로 구성함으로서 빠르고 정확한 제어기능과 동시에 자장탐침 데이타들의 저장 및 다양한 확장성(flexibitities) 등의 기능들을 가질 수 있다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2015년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.116-117
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• 2015

수소가 없는 고경도 카본막의 수요가 증대됨에 따라, 자장 여과 아크법으로 증착되는 ta-C막을 1um 이상 증착하는 공정 기술에 대한 연구 내용을 발표하고자 한다.

• 한국원자력학회:학술대회논문집
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• 한국원자력학회 1997년도 춘계학술발표회논문집(2)
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• pp.571-576
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• 1997

비원형 토카막 플라즈마의 위치, 형상 및 평형상수들을 신경망 해석법을 이용하여 계산하고 그 결과를 평가하였다. KT-2 토카막에서 가능한 245개의 평형계산 결과에 의해 학습된 신경망은 32개의 자장탐침과 15개의 자속 루프(flux loop)데서의 자장 값들이 입력으로 주어지면, 그에 따른 플라즈마 위치, 형상 및 평형관련 상수들의 값들을 즉시 구해낼 수 있다. 계산결과의 정확성과 앞으로의 연구 방향 등에 대하여 논의한다.

• 한국진공학회지
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• 제14권1호
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• pp.24-28
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• 2005

a-Si을 poly-Si으로 결정화하는 전형적인 방법으로는 고상결정화(Solid Phase Crystallization, SPC)가 있다［1-3］. 고상결정화는 균일한 공정특성과 생산비가 저렴하다는 장점이 있으나, 고상결정화 공정에서 높은 공정온도와 긴 공정 시간은 유리 기판의 손상으로 인해 적용되기 어렵다. 본 논문에서는 고상결정화의 저온공정과 짧은 공정시간을 위해 교번자장결정화(Alternating Magnetic Field Crystallization, AMFC) 시스템 내에서 결정화하는 동안 교번자장(Alternating Magnetic Field)을 적용하는 새로운 방법을 소개한다. 고상결정화의 경우, 열처리 시간은 570℃에서 24시간이 소요되었으나, 교번자장결정화의 경우, 같은 온도에서 20분이 소요되었다.

• Investigative Magnetic Resonance Imaging
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• 제1권1호
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• pp.66-74
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• 1997

혈액의 산소화와 불 산소화에 따른 국부적인 자화율 효과의 변화에 의한 자장의 불 균일성에 민감한 경사 자장 에코 기법은 현재의 뇌기능 MR 영상의 기본이 되고 있다. 일반적으로 이러한 경사 자장 에코기법은 $T2^{*}$ 혹은 BOLD효과에 의한 자장의 불 균일성의 증가가 신호의 감소로 나타난다. BOLD 효과는 주자장에 대한 핏줄의 방향이나 영상 형식, 즉, 횡단면, 관상면, 또는 시상면에 따라 달라진다. 그래서 영상 형식과 영상면에 대한 기울임 각에 따른 신호의 변화와 BOLD 효과의 변화에 대한 정량적인 연구를 하였다. 연구는 자화율 효과에 대해 다른 민감도를 가지는 TRFGE 와 CGE 기법으로 이루어졌다. 컴퓨터 모의 실험과 실험 결과를 본 논문에 나타내었다.

• 한국자기학회지
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• 제4권3호
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• pp.239-243
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• 1994

NiFe와 TbCo의 게면에서의 자기 교환 결합을 이용하여 자기 저항 소자에 수평 및 수직 바이어스 자장을 제공할수 있도록 $NiFe/TbCo/Si_3N_4$ 박막을 제조하였다. Tb의 면적비가 36 %이고, 기판 바이어스를 인가하지 않았을때 100~180 Oe의 교환 자장을 얻을 수 있었다. NiFe, TbCo, 그리고 보호막으로 사용되는 $Si_3N_4$ 각층의 두께는 각각 $470\;{\AA},\;2400\;{\AA},\;600\;{\AA}$ 이었다. NiFe를 1000 W의 전력과 2.5 mTorr의 아르곤 압력에 제작한 시편에서 1.45 %의 자기 저항 변화율을 얻을 수 있었다. 미세 소자로 제작된 NiFe의 자기 저항 변화율은 1.31 %로 감소 하였으며, 감자화 자장의 영향으로 박막이 완전히 포화되지 못한 곡선을 보였다. 150 Oe의 교환 자 장을 갖는 박막을 자화 용이 방향과 $36^{\circ}$의 각도로 소자를 제작한 결과 약 85 Oe 정도의 자기 저항 응답 곡선의 천이를 보였으며, 소자의 동작점이 응답의 선형 구간으로 이동하였다. 또한 Barkhausen 잡음이 교환 자장에 의한 수평 바이어스에 의하여 제거되었다.

• 한국자기학회지
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• 제6권4호
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• pp.264-271
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• 1996

본 연구에서는 SQUID를 이용한 생체자기 계측연구에 사용될 자기차폐실의 설치 및 차폐 특성에 대해 소개한다. 차폐실 내부공간의 크기는 $2m(길이){\times}2m(폭){\times}2.5m(높이)$이고 차폐재료는 높은 투자율을 가진 Mumetal과 전기 전도도가 높은 알루미늄으로 구성되어 있다. 직류 지구자장에 대한 차폐율은 차폐실 중심에서 60 dB 이상이며 교류자장에 대한 차폐율은 1 Hz에서는 60 dB, 10 Hz에서는 80~100 dB의 값을 가진다. 차폐실내에서의 자장 잡음은 1 Hz에서 $500\;fT/{\sqrt}Hz$, 10 Hz에서 $100\;fT/{\sqrt}Hz$의 값을 가지며 자장구배잡음은 1 Hz에서 $7\;fT/cm{\sqrt}Hz$ 이하로서 SQUID 자력계에 의한 심자도와 SQUID gradiometer에 의한 뇌자도측정이 가능한 수준이다. 자체 개발된 SQUID 센서를 이용하여 차폐실내에서 심장 및 노로부터 발생하는 자기신호를 검출하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2015년도 제46회 하계학술대회
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• pp.1120-1121
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• 2015

대용량 SMES(Superconducting Magnetic Energy Storage)를 제작하기 위해서는 높은 자장특성을 가고 있는 2세대 HTS(High-Temperature Superconductor) 선재를 사용하는 것이 효율적이다. SMES의 에너지밀도를 높이기 위해서는 선재에 많은 전류를 흘려야 하는데, 수직자기장이 커지면 임계전류가 작아지는 2세대 HTS 선재의 특성상 토로이드형태의 SMES가 유리하다. SMES를 설계하기 전에 선재의 사용량을 줄이고 체적을 줄이기 위해서 정확한 설계와 평가가 필요하다. 유한요소법을 사용한 상용프로그램을 이용하여 쉽게 해석할 수 있으나 토로이드 형태의 SMES는 대칭성의 문제로 3차원 해석을 해야만 한다. 그러나 2차원 해석에 비해 여러 가지 제약조건이 따르며 해석 시간이 많이 소요된다. 본 논문에서는 이러한 문제점을 해결하기 위해 분석적이고 통계적으로 고온 초전도 코일에서 작용하는 최대 수직자장을 결정하는데 이해하기 쉽고 효율적으로 계산하는 방법을 제시했다. 본 논문에서는 싱글펜케이크코일의 크기에 따른 최대 자장값을 계산하였고 싱글펜케이크코일이 토로이드형태로 배치된 토로이드 모델에서 주변코일이 싱글펜케이크코일의 미드포인트에 미치는 자장값을 계산하여 두 계산값을 합하는 방식으로 최대 자기장을 계산하였다. 이 방법은 현저한 시간단축과 효율적인 설계를 할 수 있는 새로운 계산 방법으로 기존 FEM을 사용해 걸리는 시간에 비해 1/1000정도의 시간단축을 할 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제2권2호
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• pp.119-125
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• 1992

수평자장을 건 Czochralski(HMCZ) 방법으로 자장강도(B)와 도가니 회전속도(C)가 실리콘 단결정의 산소편석에 미치는 영향에 대하여 연구하였다. B=2, 3, 4kG와 C=4-15rpm에서 <100> 방향으로 성장시킨 57mm 직경의 단결정들 내의 산소분포는 대체로 축을 따라서 불균일하였고 톱니모양을 나타내었다. 종래의 CZ 방법과 비교할 때, 이러한 산소분포의 불균일성은 위 강도의 수평자장이 결정성장계면으로의 산소전달에 불안정한 요소로 작용했음을 나타낸다고 볼 수 있다. 반면에 C의 증가는 산소분포의 불균일성의 약화와 산소농도의 전반적인 증가를 유도하였다. 이 결과를 토대로 B=2kG에서 27-36ppma인 산소분포를 가진 단결정이 프로그램된 C에 의해서 얻어졌다. 소자제조공정을 모의한 열처리 과정에서 HMCZ 실리콘의 산소석출은 종래의 CZ 실리콘의 산소석출에 비해서 상대적으로 불균일하였고, as-grown 상태에서의 고르지 못한 HMCZ 실리콘의 산소분포가 주요 원인임이 밝혀졌다.