Crystallization characteristics of the amorphous Si thin films in the AMFC system

AMFC system에서의 비정질 실리콘 박막의 결정화 특성

  • Kang Ku Hyun (Hong-Ik Univ. Dept of Materials Science and Engineering) ;
  • Lee Seung Jae (Hong-Ik Univ. Dept of Materials Science and Engineering) ;
  • Kim Sun Ho (Hong-Ik Univ. Dept of Materials Science and Engineering) ;
  • Lee Sue Kyeong (Hong-Ik Univ. Dept of Materials Science and Engineering) ;
  • Nam Seung Eui (Hong-Ik Univ. Dept of Materials Science and Engineering) ;
  • Kim Hyoung June (Hong-Ik Univ. Dept of Materials Science and Engineering)
  • 강구현 (홍익대학교 신소재공학과) ;
  • 이승재 (홍익대학교 신소재공학과) ;
  • 김선호 (홍익대학교 신소재공학과) ;
  • 이수경 (홍익대학교 신소재공학과) ;
  • 남승의 (홍익대학교 신소재공학과) ;
  • 김형준 (홍익대학교 신소재공학과)
  • Published : 2005.03.01

Abstract

A typical method for obtaining poly-Si films is the solid phase crystallization(SPC) of amorphous Si. Advantages of SPC are uniformity, process quality and low cost of production. However, high process temperature and long process time prevent the employment of SPC process on thermally susceptible glass substrate. In this parer, we propose a new method that applies an alternating magnetic field during crystallization annealing in an alternating magnetic field crystallization(AMFC) system for lowering process temperature and shorter process time of SPC. When we crystallized, in the case of SPC, annealing time is 24 hours at 570℃. But in the case of AMFC, annealing time is only 20 minutes at the same temperature.

a-Si을 poly-Si으로 결정화하는 전형적인 방법으로는 고상결정화(Solid Phase Crystallization, SPC)가 있다[1-3]. 고상결정화는 균일한 공정특성과 생산비가 저렴하다는 장점이 있으나, 고상결정화 공정에서 높은 공정온도와 긴 공정 시간은 유리 기판의 손상으로 인해 적용되기 어렵다. 본 논문에서는 고상결정화의 저온공정과 짧은 공정시간을 위해 교번자장결정화(Alternating Magnetic Field Crystallization, AMFC) 시스템 내에서 결정화하는 동안 교번자장(Alternating Magnetic Field)을 적용하는 새로운 방법을 소개한다. 고상결정화의 경우, 열처리 시간은 570℃에서 24시간이 소요되었으나, 교번자장결정화의 경우, 같은 온도에서 20분이 소요되었다.

Keywords

References

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