• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2003.05a
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• pp.378-381
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• 2003

제작 장치와 공정이 간단하고, 두께제어 및 다양한 종류와 형태의 후막제작이 가능하며, 경제적 효율성과 기술적 장점을 가지고 있는 전기영동전착방식으로 산화물계 고온 초전도 후막을 제작하였다. 전착특성을 개선하기 위하여 측면보조전계 인가 방식을 설계, 적용하였다. 측면보조전계 인가 방식의 전기영동전착법을 적용함으로써, 기존의 단독 전착전계 인가방식에 비하여 전기영동전착 후막의 표면 균일성을 확보할 수 있음으로 임계전류 밀도를 향상시킬 수 있었다. 그러므로 측면보조전계 인가방식은 전기전자, 의료, 기계 분야의 핵심 산업 및 첨단 소재의 응용분야에 이르기까지 매우 폭넓은 범위에서 효과적으로 적용될 수 있을 것으로 사료된다. 특히 후막제작이 어려운 세라믹계열에의 적용이 가능하며, CRT 튜브의 전자총 히터코일과 같은 특수 제작조건을 비롯하여 균일하고 치밀한 막의 제작이 요구되는 기술공정상의 목적이 유사한 경우의 여러 가지의 응용 대상에도 적용함으로써, 그 특성과 성능을 향상시킬 수 있을 것으로 판단된다.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2001.06a
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• pp.365-368
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• 2001

현재 운용중인 NTSC송신시스템을 근거로 가까운 장래에 설치되어 운용될 8-VSD DTV전송시스템의 재원을 설계한다. 먼저 아나로그 NTSC와 디지털 8-VSH DTV의 지상파 방송의 경우 최적의 수신전계를 유지할 수 있는 조건을 검토하고, Longley-Rice의 전계강도 산출법을 이용해서 수신을 위한 최소한의 전계강도의 임계값을 산출한다 8-VSH DTV전송은 NTSC 6MHz대역에서 HDTV가 가능하도록 19.39Mbps의 데이타를 고속으로 전송하는데 그 목표fmf 두고 있으므로 무엇보다 송 · 수신점 사이의 전계강도의 최적화는 중요한 문제이므로 8-VSB DTV전송은 NTSC 서비스 커버리지에 비하여 확장되거나 효율적이어야만 한다. 본 연구에서는 산출결과 NTSC가 8-VSH DTV와 동일한 서비스 커버리지를 유지하기 위하여 NTSC VHF에서 DTV UHF로 전환시 필요한 송신출력과 NTSC UHF에서 DTV UHF로의 전환시 필요한 송신출력을 산출한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2004.05b
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• pp.691-694
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• 2004

물리적 힘에 의한 초전도 분말의 균일한 표면 확보 및 고밀도화 가 필요하다. 그러나 전기영동전착법의 특성상 물리적 힘에 의한 고밀도화에 어려움이 따르고 전착후막의 기공과 크랙현상을 발생시키는 단점으로 인하여 전기영동전착법에 의한 입자의 고밀도화를 위해서는 전착과정에서 현탁분말입자의 치밀성 및 일정한 방향성을 위한 공정기술이 요구된다. 전기영동법에 의한 초전도 후막의 특성을 향상시키기 위한 방법으로 DC전계인가 와 AC보조전계 인가방식에 공정이 있으며 이들 두 공정에 의해 제작된 후막의 특성을 비교 분석하고 두 공정기술에 따른 최적화 방안을 연구 하였다. YBCO 초전도 후막의 균일한 표면과 초전도특성 향상을 위한 공정개선방법으로는 수직방향 교류전계 인가 방식을 적용한 공정기술을 전기영동전착 공정에 적용하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2007.07a
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• pp.937-938
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• 2007

임계온도가 높아 외부교란에 대하여 대단히 안정한 장점을 지닌 고온초전도체를 이용하여 600 kJ급의 SMES (Superconducting Magnetic Energy Storage)용 마그네트를 개발하고 있으며, 이의 설계 제작에 선행하여 선정된 4-ply도체에 대한 N-value 및 임계전류 특성을 상이한 외부자장의 크기 및 방향에 대하여 조사하였다. 그 주요 결과를 요약하면 4-ply도체의 측정된 N-value는 이의 정의에 사용된 전계영역의 범위에 따라 매우 상이하며, 또한 경사자장 ($\theta=30^{\circ}$)에 대하여 측정된 임계전류는 4-ply도체 면에 수직한 자장성분으로부터 계산된 임계전류와 비교적 잘 일치함을 알 수 있다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.9 no.2
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• pp.122-129
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• 2000

Field emission behavior from vitreous carbon powders deposited on Mo coated glass by electro-phoretic method was investigated. Although the vitreous carbon has only $sp^2$ hybridized carbon bond, we could observe an excellent field emission behavior. Reproducible electron emission was observed without initiation process which is known to be needed in most carbon cathode materials. Critical electric field for electron emission was in the range from 3 to 4 MV/m. The effective work function was estimated to be about 0.06 eV, as obtained from the slope of Fowler-Nordheim plot. The stability of the emission behavior characterized by repeated I-V measurements, was much superior to the Si tips. We observed the possibility of full area light emission in vitreous carbon materials. This results showed that the field emission is not intimately related to the $sp^3$ hybridization of carbon, but the electrical properties of cathod/electrode interface or the conductivity of the cathode materials which required for the electron transport to the cathode surface.

• The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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• v.48 no.8
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• pp.557-562
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• 1999

Electrical conduction characteristics of XLPE film evaporated with different metal electrode are discussed. The relation between electrical current(I) and Voltage(V) in the M(metal)-I(XLPE)-M(metal) structure are measured in the temperature range from 25$[^{\circ}C]$ to 90[$[^{\circ}C]$ . Several kinds of metals are used as electrode, such as, Al, Ag and Cu.From the experimental results, it is conclused that the conduction mechanism at highelectric field is SCLC. The dependences of temperature and kinds of metal on the trap filled electric field level can be well explained by this theory.

• Journal of the Korea Society for Simulation
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• v.22 no.4
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• pp.93-98
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• 2013

In this paper, the proposed shallow trench isolation structures for high threshold voltage for very large scale and ultra high voltage integrated circuits MOSFET were simulated. Physically based models of hot-carrier stress and dielectric enhanced field of thermal damage have been incorporated into a TCAD tool with the aim of investigating the electrical degradation in integrated devices over an extended range of stress biases and ambient temperatures. As a simulation results, shallow trench structure were intended to be electric functions of passive, as device dimensions shrink, the electrical characteristics influence of proposed STI structures on the transistor applications become stronger the potential difference electric field and saturation threshold voltage.

• Journal of IKEEE
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• v.19 no.3
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• pp.440-446
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• 2015

This study has examined susceptibility of LNA(Low Noise Amplifier) due to Front-Door Coupling under Narrow-Band high power electromagnetic wave. M/DFR(Malfunction/Destruction Failure Rate) was measured to investigate the diagnostic of IC test. In addition, decapsulation analysis was used to understand the inside of the chip state in LNA devices. The experiments is employed as an open-ended waveguide to study the destruction effects of LNA using a 2.45 GHz Magnetron as a high power electromagnetic wave. The susceptibility level of LNA was assessed by electric field strength, and its failure modes were observed. The malfunction of LNA device has showed as the type of self-reset and power-reset. The electric field strength of malfunction threshold is 524 V/m and 1150 V/m respectively. Also, he electric field of destruction threshold is 1530 V/m. Three types of damaged LNA were observed by decapsulation analysis: component, onchipwire, and bondwire destruction. Based on these results, the susceptibility of the LNA can be applied to a database to help elucidate the effects of microwaves on electronic equipment.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.18 no.10
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• pp.2509-2515
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• 2014

In this paper, the conventional vertical structure for VLSI circuits CMOS intend to improve the stress effects of active region and built-in threshold voltage. For these improvement, the proposed structure is shallow trench isolation of moat shape. We want to analysis the electron concentration distribution, gate bias vs energy band, thermal stress and dielectric enhanced field of thermal damage between vertical structure and proposed moat shape. Physically based models are the ambient and stress bias conditions of TCAD tool. As an analysis results, shallow trench structure were intended to be electric functions of passive as device dimensions shrink, the electrical characteristics influence of proposed STI structures on the transistor applications become stronger the potential difference electric field and saturation threshold voltage, are decreased the stress effects of active region. The fabricated device of based on analysis results data were the almost same characteristics of simulation results data.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.39 no.1
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• pp.12-17
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• 2002

In this paper, an effective ionization coefficient for 4H-SiC is extracted in the form of c .E$^{m}$ from ionization coefficients of electron and hole. Analytical expressions for critical electric field and breakdown voltage of 4H-SiC p$^{+}$n junction are derived by employing the effective ionization coefficient. The analytic results agree well with the experimental ones reported within 10% in error for the doping concentration in the range of 10$^{15}$ cm$^{-3}$ ~10$^{18}$ cm$^{-3}$ . .