• 제목/요약/키워드: 읽기모드

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그림 자료의 제시여부와 읽기모드에 따른 인지부하와 GSR의 차이 (Impact of Picture and Reading Mode on Cognitive Load and Galvanic Skin Response)

  • 류지헌
    • 감성과학
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    • 제13권1호
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    • pp.21-32
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    • 2010
  • 이 연구는 그림 자료의 근접성(고근접 vs. 저근접)에 따른 제시여부와 읽기모드(단순읽기 vs. 요약읽기)에 따른 학습자의 인지부하 차이를 검증하기 위한 것이다. 특히, 이 연구에서는 전기피부반응을 통하여 인지부하의 정도를 측정하였다. 실험참가자는 34명(통제집단=17명, 실험집단=17명)이었으며 고근접 조건과 저근접 조건에 대한 반복구획요인설계를 적용하였다. 또한 각 실험조건에서 측정된 과제난이도 지각점수를 공변량으로 투입하여 학습자의 사전지식에 의한 영향력을 통제하였다. 그림 자료의 근접성의 정도에 따라서 고근접 그림 자료와 저근접 그림 자료가 순차적으로 제시되었다. 처음에는 단순읽기 모드가 제시되었고 이후에 요약읽기를 수행하였다. 전기피부반응은 단순읽기와 요약읽기에서 모두 측정되었다. 이 연구의 종속변수는 전기피부반응과 지각된 난이도였다. 연구결과에 따르면 고근접 자료가 제시된 조건에서는 유의미한 차이를 발견할 수 없었다. 그러나 저근접 조건에서는 그림 자료의 제시여부 및 읽기모드 사이에서 유의미한 차이가 있었다. 즉, 저근접 조건에서는 텍스트만 제시하는 것보다는 그림 자료가 제시될 때 전기피부반응이 올라갔다. 또한 단순 읽기 보다 요약읽기에서 더 높은 전기피부반응이 측정되었다. 이 연구의 결과는 저근접 그림은 인지부하를 유발하는 요인이 될 수 있으며 읽기모드가 복잡해지면 인지부하가 높아질 수 있음을 보여주는 것이다. 동일한 자료를 활용한다고 하더라도 인지과정의 복잡성 정도에 따라서 인지부하가 달라질 수 있다는 것이다. 그러나 학습성취과 같은 과제수행 요인과 더 높은 난이도에서의 인지부하 측정에 대한 후속연구가 필요하다.

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8086 프로세서용 인 써키트 에뮬레이터의 제작에 관한 연구

  • 강중용
    • 전기의세계
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    • 제37권1호
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    • pp.55-62
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    • 1988
  • 본 연구에서는 현재 IBM PC등에 사용되는 8088프로세서의 16비트버젼인 8086프로세서의 ICE를 설계 제작하였다. 8088프로세서와 8086프로세서는 그 내부 기능이 동일하기 때문에 어셈블러나 링커등의 소프트웨어 개발장비들을 IBM PC에서 지원받을 수 있으므로 IBM PC에 연결된 ICE는 전체적으로 하나의 MDS시스템을 구성할 수 있다. 제작된 ICE는 1) 테스트하려는 시스템의 메모리에 대한 읽기 및 쓰기, 2) 테스트프로그램의 실제 조건에서의 수행, 3) 디버깅 기능, 4) ICE의 메모리 영역을 테스트하려는 시스템에서 활용하도록하는 기능 등을 수행할 수 있도록 하였다. 또 8086프로세서는 싱글프로세서모드와 멀티프로세서모드의 두가지 동작 모드가 있는데 싱글프로세서모드에서 동작될 수 있도록 설계되었으며 ICE의 기능 수행을 위한 논리 회로의 구성과 이해에 주안점을 두었다.

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BCD 공정기반의 고속 EEPROM IP 설계 (Design of High-Speed EEPROM IP Based on a BCD Process)

  • 김일준;박헌;하판봉;김영희
    • 한국정보전자통신기술학회논문지
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    • 제10권5호
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    • pp.455-461
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    • 2017
  • 본 논문에서는 읽기 모드에서 BL (Bit Line)의 전압을 DL (Data Line)에 전달하는 시간을 줄이기 위해 기생하는 커패시턴스가 큰 distributed DB 센싱 방식 대신 기생하는 커패시턴스가 작은 local DL 센싱 방식을 제안하였다. 그리고 읽기 모드에서 NMOS 스위치를 빠르게 ON 시키는 BL 스위치 회로를 제안하였다. 또한 BL 노드 전압을 VDD-VT로 선 충전하는 대신 DL 클램핑 회로를 사용하여 0.6V로 클램핑 하고 차동증폭기를 사용하므로 읽기 모드에서 access 시간을 35.63ns로 40ns를 만족시켰다. $0.13{\mu}m$ BCD 공정을 기반으로 설계된 512Kb EEPROM IP의 레이아웃 면적은 $923.4{\mu}m{\times}1150.96{\mu}m$($=1.063mm^2$)이다.

Logic 공정 기반의 비동기식 1Kb eFuse OTP 메모리 IP 설계 (Design of an Asynchronous eFuse One-Time Programmable Memory IP of 1 Kilo Bits Based on a Logic Process)

  • 이재형;강민철;김려연;장지혜;하판봉;김영희
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제13권7호
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    • pp.1371-1378
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    • 2009
  • 본 논문에서는 로직 공정 기반의 저전력 eFuse OTP 메모리 셀을 제안하였다. eFuse OTP 메모리 셀은 프로그램과 읽기 모드에 최적화되도록 각각의 트랜지스터를 사용하였으며, WL과 BL의 기생적인 커패시턴스를 줄이므로 읽기 모드에서의 동작 전류를 줄였다. 그리고 저전력, 저면적의 eFuse OTP 메모리 IP 설계를 위하여 비동기식 인터페이스, 분리된 I/O, 디지털 센싱 방식의 BL 감지 증폭기 회로를 사용하였다. 모의실험 결과 읽기 모드에서의 동작전류는 VDD, VIO 각각 349.5${\mu}$A, 3.3${\mu}$A로 나왔다. 그리고 동부하이텍 0.18${\mu}$m generic 공정으로 설계된 eFuse OTP 메모 리 IP의 레이아웃 면적은300 ${\times}$557${\mu}m^2$이다.

HDTV용 고속 라인 메모리 회로 설계에 관한 연구 (A Study on the Design of High speed LIne Memory Circuit for HDTV)

  • 김대순;정우열;김태형;백덕수;김환용
    • 한국통신학회논문지
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    • 제17권5호
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    • pp.529-538
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    • 1992
  • 최근들어 HDTV를 위한 영상 신호처리 기술이 급속히 발전하고있다. 이러한 신호처리 기술의 향상에 따라 영상신호용 특수 기억소자의 개발이 요구되고 있다. 본 논문에서는 입력 스트로브로 부터 정보를 반아 기억하는 CMOS 플립플롭을 채용한 데이타 래치 방식과 HDTV 신호에 적합한 엑세스 시간을 얻기 위하여 새로운 읽기 방식이 고안 되었다. 기존의 쓰기 방식과 비교하여 데이터 래치 방식은 완전한 쓰기 동작을 위하여 비트라인 쓰기와 메모리셀 쓰기의 2개의 과정이 필요하고 같은 번지의 동시 입출력이 가능하다. 또한 스태틱 칼럼 모드를 응용한 읽기 방식과 분리된 읽기 워드라인을 채용하여 읽기 동작시 빠른 정보 감지가 가능하다.

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WebDAV기반 협업시스템 클라이언트의 설계 (Design of a Collaborative System Client based on WebDAV)

  • 신원준;황의윤;김진홍;문남두;이명준
    • 한국정보과학회:학술대회논문집
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    • 한국정보과학회 2004년도 가을 학술발표논문집 Vol.31 No.2 (3)
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    • pp.478-480
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    • 2004
  • 네트워크의 발달로 인하여 지역적으로 원거리에 위치한 다수의 사용자들이 공동 작업을 수행할 수 있는 다양한 기술들이 개발되었다. 공동작업을 지원하는 협업시스템은 HTTP 프로토콜을 사용하거나 또는 각자의 고유한 통신 프로토콜들을 정의하여 구현하였다. 이러한 방법은 협업시스템 간의 상호 운용성이 결여되는 문제를 발생시켰다. W3C의 IETF에서는 협업지원을 위한 WebDAV 명세가 발표되었다. WebDAV는 웹상의 공동 저작활동을 지원하기 위한 표준프로콜로서, 원거리에 있는 사용자들 간에 인터넷상의 파일을 편집하고 관리할 수 있도록 해주는 HTTP의 확장이다. 이를 이용하여 협업시스템을 구성하면 협업시스템 간의 상호 운용성을 높일 수 있을 것이 다. 협업시스템의 클라이언트는 협업지원 서버의 자원들을 효율적으로 이용할 수하고 팀원들 간의 상호작용이 원활 하게 이루어 져야한다. 이러한 요구 조건을 고려하여 본 논문에서는 WebDAV 프로토콜을 이용한 협업시스템의 클라이언트를 설계하였다. 고급기능으로 사용자가 협업지원 서버의 파일을 편집할 때 자동으로 저작프로그램을 연결하고 저작프로그램을 종료할 때 파일의 변화된 내용과 파일의 버전관리를 실시간으로 서버에 적용될 수 있게 디자인하였다. 또한 드래그앤드롭(Drag & Drop)을 통한 파일이동을 지원하고 파일의 읽기모드와 쓰기모드를 지원하는 기능을 설계하였다.

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저면적.저전력 1Kb EEPROM 설계 (Design of Low-Area and Low-Power 1-kbit EEPROM)

  • 여억녕;양혜령;김려연;장지혜;하판봉;김영희
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제15권4호
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    • pp.913-920
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    • 2011
  • 본 논문에서는 수동형 900MHz RFID 태그 칩용 로직 공정 기반 저면적.저전력 1Kb EEPROM를 설계하였다. 1Kb 셀 배열 (cell array)은 1 워드 (word)의 EEPROM 팬텀 셀 (phantom cell)을 2차원 배열 형태인 (16행 ${\times}$ 16열) ${\times}$ 4블록으로 구성하였으며, 4개의 메모리 블록이 CG (Control Gate)와 TG (Tunnel Gate) 구동회로를 공유하므로 저면적 IP 설계를 하였다. TG 구동회로를 공유하기 위해 소자간의 전압을 신뢰성이 보장되는 5.5V 이내로 유지하면서 동작 모드별 TG 바이어스 전압을 스위칭해 주는 TG 스위치 회로를 제안하였다. 그리고 4 메모리 블록 중 하나의 블록만 활성화하는 partial activation 방식을 사용하므로 읽기 모드에서 전력소모를 줄였다. 그리고 하나의 열 (column)당 연결되는 셀의 수를 줄이므로 읽기 모드에서 BL (Bit-Line)의 스위칭 시간을 빠르게 하여 액세스 시간 (access time)을 줄였다. Tower $0.18{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 (32행 ${\times}$ 16열) ${\times}$ 2블록과 (16행 ${\times}$ 16열) ${\times}$ 4블록의 2가지 배열 형태의 1Kb EEPROM IP를 설계하였으며, (16행 ${\times}$ 16열) ${\times}$ 4블록의 IP가 (32행 ${\times}$ 16열) ${\times}$ 2블록의 IP에 비해 레이아웃 면적은 11.9% 줄였으며, 읽기 모드 시 전력소모는 51% 줄였다.

MIRIS에서 적외선 관측용 이미지 센서의 제어를 위한 FPGA 개발

  • 방승철;이대희;위석오;가능현;차상묵;박영식;남욱원;정웅섭;이창희;문봉곤;박성준;이덕행;표정현;한원용
    • 한국우주과학회:학술대회논문집(한국우주과학회보)
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    • 한국우주과학회 2010년도 한국우주과학회보 제19권1호
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    • pp.25.2-25.2
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    • 2010
  • MIRIS는 과학기술위성 3호의 주 탑제체로 우주 및 지구의 적외선 관측을 위한 두 개의 카메라 시스템을 가지고 있으며 이를 위한 적외선 검출용 이미지 센서가 각각 장착되어 있다. 이미지 센서를 통해 검출된 이미지 데이터를 읽기 위해 고속의 데이터 처리가 요구되어 FPGA 구성방식으로 전용 제어기를 구성하였다. 우주 및 지구의 적외선 관측용 이미지 센서는 구성 및 동작방법이 달라 요구기능을 만족하는 각각의 전용 이미지 센서 제어기를 개발했다. FPGA를 이용한 이미지 센서 제어기에는 검출된 이미지를 읽기위한 센서 제어 신호발생기, 아날로그 이미지 신호를 디지털 정보로 변환하는 ADC 제어용 신호 발생기, ADC의 출력 신호를 고속의 직렬 통신선로로 출력 하는 기능 외에 동작 모드 및 동작 상태 입력용 DSP 인터페이스, 고속의 직렬 통신 선로에 MIRIS 상태정보 삽입 기능, 제어기의 기능을 원격지에서 확인 할 수 있는 이미지 패턴 생성기능 등을 가지고 있다. 특히, 이미지를 읽기 위한 동작 시에만 클록 주파수를 인가하는 방법으로 FPGA 내부 회로를 구성하여 전류의 소모량을 최소화 하였다.

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새로운 감폭 회로를 사용한 CMOS RFID 트랜스폰더 IC 설계 (Design of a CMOS RFID transponder IC using a new damping circuit)

  • 박종태;유종근
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제38권3호
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    • pp.57-57
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    • 2001
  • 본 논문에서는 RFID를 위한 읽기 전용 CMOS 트랜스폰더를 one-chip으로 설계하였다. 리더에서 공급되는 자기장으로부터 트랜스폰더 칩의 전원을 공급하기 위한 전파정류기를 NMOS 트랜지스터를 사용하여 설계하였으며, 데이터 저장 소자로는 64비트의 ROM을 사용하였다. 메모리에 저장되어 있는 ID 코드는 Manchester 코딩되어 front-end 임피던스 변조 방식으로 리더에 전송된다. 임피던스 변조를 위한 감폭회로로는 리더와 트랜스폰더 사이의 거리가 변해도 일정한 감폭율을 갖는 새로운 감폭회로를 사용하였다. 설계된 회로는 0.65㎛ 2-poly, 2-metal CMOS 공정을 사용하여 IC로 제작되었다. 칩 면적은 0.9㎜×0.4㎜이다. 측정 결과 설계된 트랜스폰더 IC는 인식거리 내에서 약 20∼25%의 일정한 감폭율을 보이며, 125㎑의 RF에 대해 3.9kbps의 데이터 전송속도를 보인다. 트랜스폰더 칩의 전력소모는 읽기 모드시 약 100㎼이다. 인식거리는 약 7㎝이다.

CMOS 이미지 센서용 NMOS-Diode eFuse OTP 설계 (Design of an NMOS-Diode eFuse OTP Memory IP for CMOS Image Sensors)

  • 이승훈;하판봉;김영희
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제20권2호
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    • pp.306-316
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    • 2016
  • 본 논문에서는 프로그램 선택 소자는 채널 폭이 큰 NMOS (N-channel MOSFET) 트랜지스터 대신 DNW (Deep N-Well) 안에 형성된 채널 폭이 작은 isolated NMOS 트랜지스터의 body인 PW (P-Well)과 source 노드인 n+ diffusion 영역 사이에 형성된 기생하는 접합 다이오드를 사용하는 NMOS-Diode eFuse OTP (One-Time Programmable) 셀을 제안하였다. 제안된 eFuse OTP 셀은 프로그램 모드에서 NMOS 트랜지스터에 형성되는 기생하는 접합 다이오드를 이용하여 eFuse를 blowing 시킨다. 그리고 읽기 모드에서는 접합 다이오드를 이용하는 것이 아니고 NMOS 트랜지스터를 이용하기 때문에 다이오드의 contact voltage 강하를 제거할 수 있으므로 '0' 데이터에 대한 센싱불량을 제거할 수 있다. 또한 읽기 모드에서 채널 폭이 작은 NMOS 트랜지스터를 이용하여 BL에 전압을 전달하므로 OTP 셀의 blowing되지 않은 eFuse를, 통해 흐르는 읽기 전류를 $100{\mu}A$ 이내로 억제하여 blowing되지 않은 eFuse가 blowing되는 문제를 해결할 수 있다.