• Science of Emotion and Sensibility
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• v.13 no.1
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• pp.21-32
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• 2010

This study investigated the effects of contiguity and reading mode on cognitive load factors measured by Galvanic Skin Response(GSR). In this study two experimental conditions were imposed to participants to measure cognitive load with the high contiguity picture and low contiguity picture. Thirty-four college students participated to this experiment(experiment group=17, control group=17), and spilt-plot factorial design was applied to control individual difference in galvanic skin response. Tasks of this experiment were reading and summary. The dependent variables were skin conductance response, and perceived difficulty. The independent variables were the degree of contiguity of visual material(high contiguity vs. low contiguity). The major result of this study was identification of a significant difference of GSR with low contiguity condition. Indeed it was identified that more complex reading condition required more cognitive loads. This finding supported that different cognitive process might require different amounts of cognitive loads. For the further research, this study discussed the validity of applying physiological signals to assess cognitive loads and relationships the associated affective reactions.

• 전기의세계
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• v.37 no.1
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• pp.55-62
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• 1988

본 연구에서는 현재 IBM PC등에 사용되는 8088프로세서의 16비트버젼인 8086프로세서의 ICE를 설계 제작하였다. 8088프로세서와 8086프로세서는 그 내부 기능이 동일하기 때문에 어셈블러나 링커등의 소프트웨어 개발장비들을 IBM PC에서 지원받을 수 있으므로 IBM PC에 연결된 ICE는 전체적으로 하나의 MDS시스템을 구성할 수 있다. 제작된 ICE는 1) 테스트하려는 시스템의 메모리에 대한 읽기 및 쓰기, 2) 테스트프로그램의 실제 조건에서의 수행, 3) 디버깅 기능, 4) ICE의 메모리 영역을 테스트하려는 시스템에서 활용하도록하는 기능 등을 수행할 수 있도록 하였다. 또 8086프로세서는 싱글프로세서모드와 멀티프로세서모드의 두가지 동작 모드가 있는데 싱글프로세서모드에서 동작될 수 있도록 설계되었으며 ICE의 기능 수행을 위한 논리 회로의 구성과 이해에 주안점을 두었다.

• The Journal of Korea Institute of Information, Electronics, and Communication Technology
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• v.10 no.5
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• pp.455-461
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• 2017

In this paper, a local DL (Data Line) sensing method with smaller parasitic capacitance replacing the previous distributed DB sensing method with large parasitic capacitance is proposed to reduce the time to transfer BL (Bit Line) voltage to DL in the read mode. A new BL switching circuit turning on NMOS switches faster is also proposed. Furthermore, the access time is reduced to 35.63ns from 40ns in the read mode and thus meets the requirement since BL node voltage is clamped at 0.6V by a DL clamping circuit instead of precharging the node to VDD-VT and a differential amplifier are used. The layout size of the designed 512Kb EEPROM memory IP based on a $0.13{\mu}m$ BCD is $923.4{\mu}m{\times}1150.96{\mu}m$ ($=1.063mm^2$).

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.13 no.7
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• pp.1371-1378
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• 2009

We propose a low-power eFuse one-time programmable (OTP) memory cell based on a logic process. The eFuse OTP memory cell uses separate transistors optimized at program and read mode, and reduces an operation current at read mode by reducing parasitic capacitances existing at both WL and BL. Asynchronous interface, separate I/O, BL SA circuit of digital sensing method are used for a low-power and small-area eFuse OTP memory IP. It is shown by a computer simulation that operation currents at a logic power supply voltage of VDD and at I/O interface power supply voltage of VIO are 349.5${\mu}$A and 3.3${\mu}$A, respectively. The layout size of the designed eFuse OTP memory IP with Dongbu HiTek's 0.18${\mu}$m generic process is 300 ${\times}$557${\mu}m^2$.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.17 no.5
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• pp.529-538
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• 1992

Recently, image signal processing techniques for HDTV signal have been drastically developed. This kind of skill improvement on signal processing need specific memory device for video signal. in this paper, data latch scheme which implements CMOS flip-flop to hold Information from in-put strobe and new reading method is devised to attain a proper access time suitable for HDTY signal. Compared with conventional write scheme, data latch method has two procedures to complete write operation : bit line write and storage cell write, enabling concurrent I /0 operation at the same address. Also, fast read access is possible through the method similar to static column mode and the separated read word line.

• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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• 2004.10c
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• pp.478-480
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• 2004

네트워크의 발달로 인하여 지역적으로 원거리에 위치한 다수의 사용자들이 공동 작업을 수행할 수 있는 다양한 기술들이 개발되었다. 공동작업을 지원하는 협업시스템은 HTTP 프로토콜을 사용하거나 또는 각자의 고유한 통신 프로토콜들을 정의하여 구현하였다. 이러한 방법은 협업시스템 간의 상호 운용성이 결여되는 문제를 발생시켰다. W3C의 IETF에서는 협업지원을 위한 WebDAV 명세가 발표되었다. WebDAV는 웹상의 공동 저작활동을 지원하기 위한 표준프로콜로서, 원거리에 있는 사용자들 간에 인터넷상의 파일을 편집하고 관리할 수 있도록 해주는 HTTP의 확장이다. 이를 이용하여 협업시스템을 구성하면 협업시스템 간의 상호 운용성을 높일 수 있을 것이 다. 협업시스템의 클라이언트는 협업지원 서버의 자원들을 효율적으로 이용할 수하고 팀원들 간의 상호작용이 원활 하게 이루어 져야한다. 이러한 요구 조건을 고려하여 본 논문에서는 WebDAV 프로토콜을 이용한 협업시스템의 클라이언트를 설계하였다. 고급기능으로 사용자가 협업지원 서버의 파일을 편집할 때 자동으로 저작프로그램을 연결하고 저작프로그램을 종료할 때 파일의 변화된 내용과 파일의 버전관리를 실시간으로 서버에 적용될 수 있게 디자인하였다. 또한 드래그앤드롭(Drag & Drop)을 통한 파일이동을 지원하고 파일의 읽기모드와 쓰기모드를 지원하는 기능을 설계하였다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.15 no.4
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• pp.913-920
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• 2011

In this paper, a logic process based 1-kbit EEPROM IP for RFID tag chips of 900MHz is designed. The cell array of the designed 1-kbit EEPROM IP is arranged in a form of four blocks of 16 rows x 16 columns, that is in a two-dimensional arrangement of one-word EEPROM phantom cells. We can reduce the IP size by making four memory blocks share CG (control gate) and TG (tunnel gate) driver circuits. We propose a TG switch circuit to supply respective TG bias voltages according to operational modes and to keep voltages between devices within 5.5V in terms of reliability in order to share the TG driver circuit. Also, we can reduce the power consumption in the read mode by using a partial activation method to activate just one of four memory blocks. Furthermore, we can reduce the access time by making BL (bit line) switching times faster in the read mode from reduced number of cells connected to each column. We design and compare two 1-kbit EEPROM IPs, two blocks of 32 rows ${\times}$ 16 columns and four blocks of 16 rows ${\times}$ 16 columns, which use Tower's $0.18{\mu}m$ CMOS process. The four-block IP is smaller by 11.9% in the layout size and by 51% in the power consumption in the read mode than the two-block counterpart.

• Bulletin of the Korean Space Science Society
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• 2010.04a
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• pp.25.2-25.2
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• 2010

MIRIS는 과학기술위성 3호의 주 탑제체로 우주 및 지구의 적외선 관측을 위한 두 개의 카메라 시스템을 가지고 있으며 이를 위한 적외선 검출용 이미지 센서가 각각 장착되어 있다. 이미지 센서를 통해 검출된 이미지 데이터를 읽기 위해 고속의 데이터 처리가 요구되어 FPGA 구성방식으로 전용 제어기를 구성하였다. 우주 및 지구의 적외선 관측용 이미지 센서는 구성 및 동작방법이 달라 요구기능을 만족하는 각각의 전용 이미지 센서 제어기를 개발했다. FPGA를 이용한 이미지 센서 제어기에는 검출된 이미지를 읽기위한 센서 제어 신호발생기, 아날로그 이미지 신호를 디지털 정보로 변환하는 ADC 제어용 신호 발생기, ADC의 출력 신호를 고속의 직렬 통신선로로 출력 하는 기능 외에 동작 모드 및 동작 상태 입력용 DSP 인터페이스, 고속의 직렬 통신 선로에 MIRIS 상태정보 삽입 기능, 제어기의 기능을 원격지에서 확인 할 수 있는 이미지 패턴 생성기능 등을 가지고 있다. 특히, 이미지를 읽기 위한 동작 시에만 클록 주파수를 인가하는 방법으로 FPGA 내부 회로를 구성하여 전류의 소모량을 최소화 하였다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.38 no.3
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• pp.57-57
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• 2001

본 논문에서는 RFID를 위한 읽기 전용 CMOS 트랜스폰더를 one-chip으로 설계하였다. 리더에서 공급되는 자기장으로부터 트랜스폰더 칩의 전원을 공급하기 위한 전파정류기를 NMOS 트랜지스터를 사용하여 설계하였으며, 데이터 저장 소자로는 64비트의 ROM을 사용하였다. 메모리에 저장되어 있는 ID 코드는 Manchester 코딩되어 front-end 임피던스 변조 방식으로 리더에 전송된다. 임피던스 변조를 위한 감폭회로로는 리더와 트랜스폰더 사이의 거리가 변해도 일정한 감폭율을 갖는 새로운 감폭회로를 사용하였다. 설계된 회로는 0.65㎛ 2-poly, 2-metal CMOS 공정을 사용하여 IC로 제작되었다. 칩 면적은 0.9㎜×0.4㎜이다. 측정 결과 설계된 트랜스폰더 IC는 인식거리 내에서 약 20∼25%의 일정한 감폭율을 보이며, 125㎑의 RF에 대해 3.9kbps의 데이터 전송속도를 보인다. 트랜스폰더 칩의 전력소모는 읽기 모드시 약 100㎼이다. 인식거리는 약 7㎝이다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.20 no.2
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• pp.306-316
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• 2016

In this paper, an NMOS-diode eFuse OTP (One-Time Programmable) memory cell is proposed using a parasitic junction diode formed between a PW (P-Well), a body of an isolated NMOS (N-channel MOSFET) transistor with the small channel width, and an n+ diffusion, a source node, in a DNW (Deep N-Well) instead of an NMOS transistor with the big channel width as a program select device. Blowing of the proposed cell is done through the parasitic junction formed in the NMOS transistor in the program mode. Sensing failures of '0' data are removed because of removed contact voltage drop of a diode since a NMOS transistor is used instead of the junction diode in the read mode. In addition, a problem of being blown for a non-blown eFuse from a read current through the corresponding eFuse OTP cell is solved by limiting the read current to less than $100{\mu}A$ since a voltage is transferred to BL by using an NMOS transistor with the small channel width in the read mode.