n-GaAs/A1GaAs계의 화합물 반도체 접합에 형성되는 이차원 전자 가스를 캐패시턴스-전압(C-V), 각도 의존 자기저항(SdH), 전자 빔 반사(EBER)등의 측정 방법을 통하여 A1GaAs 조성비(x)는 0.281, 전도대와 가전도대의 밴드 불연속은 각각 밴드 갭($E_g$)의 69%와 31%임을 알았고, 여기에 존재하는 이차원 전자가스의 면농도는 $5.4\times10^11cm^-2, 페르미 준위 $E_F$는 25mev임을 알았다. 또한 도핑 된 A1GaAs층에서 흔히 나타나는 Franz-Keldysh진동은 불순물의 활성화도가 작으면 형성되는 전기장의 약화로 나타나지 않는다는 것을 발견하였다.
MOSFET의 드레인 불순물 농도 분포는 hot carrier효과 및 드레인 누설전류 특성에서 중요한 요소가 된다. 특히 MOSFET의 게이트 아래 부분의 수평 농도는 게이트 전압에 의한 누설전류 특성에 큰 영향을 주는 것으로 알려져 있다.[1][2]. 보통의 수직농도분포는 SIMS기법, ARS 방법등을 이용하여 측정이 가능하다. 그러나, 수평 불순물 농도분포는 실험적으로 구하는 방법이 없었고 보통 이차원 공정 시뮬레이션(MINIMOS, SUPRA등)을 통하여 산출하였다. 최근 드레인의 수평 불순물 농도분포를 게이트와 드레인 사이의 용량 측정에 의해 구하는 방법이 제시되었다[3]. 이방법에서는 농도가 높은 경우에는 수평접합깊이를 절대적인 값으로 구하지 못하였다. 본 논문에서는 게이트-드레인간 용량 측정에 의해 수평접합깊이를 구하고 그 농도분포를 추출하는 방법을 제시하고, ASR방법에 의해 측정된 수직 불순물 농도분포와 비교하고 검토한다.
Spin-transfer torque is a useful tool to control the magnetic state in nanostructures. In magnetic tunnel junctions, the spin-transfer torque has two components, the in-plane spin torque and the perpendicular spin torque. While properties of the in-plane spin-transfer torque are relatively well understood, properties of the perpendicular spin-transfer torque still remain controversial. A recent experiment demonstrated that in asymmetric magnetic tunnel junctions, the bias voltage dependence of the perpendicular spin-transfer torque contains both linear and quadratic terms in the bias. However it still remains unexplored how the bias voltage dependence changes as a function of material parameters. In this paper, we systematically investigate the perpendicular spin-transfer torque in asymmetric magnetic tunnel junction by varying spin splitting energy, work function difference, and Fermi energy of the ferromagnetic metal leads.
In this study, we investigate the electrochemical performance of lithium terephthalate (LTA) battery using graphite coated metal current collector to overcome the disadvantages of organic batteries which is high interfacial resistance between current collector and electrode. The LTA anode material is synthesized by acid-based ion exchange reaction without impurities. The contact properties between stick-type LTA-based electrode and graphite coated current collector are estimated by the cross-section SEM and EIS. The graphite coated current collector significantly reduced the interfacial resistance of the LTA battery. The second discharge capacities of bare current collector LTA and graphite coated current collector LTA batteries are 107.6 mAh/g and 148.8 mAh/g at 0.1C, respectively. The graphite coated current collector LTA batteries show higher cycle life, higher discharge capacity, and higher rate-capability than bare LTA batteries.
We have investigated optical and structural properties of $Al_{0.3}Ga_{0.7}N$/GaN and $Al_{0.3}Ga_{0.7}N/GaN/Al_{0.15}Ga_{0.85}N/GaN$ heterostructures (HSs) grown by metal-organic chemical vapor deposition, by means of Hall measurement, high-resolution X-ray diffraction, and temperature- and excitation power-dependent photoluminescence (PL) spectroscopy. A strong GaN band edge emission and its longitudinal optical phonon replicas were observed for all the samples. At 10 K, a 2DEG-related PL peak located at ${\sim}\;3.445\;eV$ was observed for $Al_{0.3}Ga_{0.7}N$/GaN HS, while two 2DEG peaks at ${\sim}\;3.42$ and ${\sim}\;3.445\;eV$ were observed for $Al_{0.3}Ga_{0.7}N/GaN/Al_{0.15}Ga_{0.85}N/GaN$ HS due to the additional $Al_{0.15}Ga_{0.85}N$ layers. Moreover, the emission intensity of the 2DEG peak was higher in $Al_{0.3}Ga_{0.7}N/GaN/Al_{0.15}Ga_{0.85}N/GaN$ HS than in $Al_{0.3}Ga_{0.7}N$/GaN HS probably due to an effective confinement of the photo-excited holes by the additional $Al_{0.15}Ga_{0.85}N$ layers. The 2DEG-related emission intensity decreased with increasing temperature and disappeared at temperatures above 150 K. To investigate the origin of the new 2DEG peaks, the energy-band structure for multiple AlGaN/GaN HSs were simulated and compared with the experimental data. As a result, the observed high- and low-energy peaks of 2DEG can be attributed to the spatially-separated 2DEG emissions formed at different AlGaN/GaN heterointerfaces.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.11a
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pp.76-76
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2008
갈륨-질화물(GaN) 기반의 고속전자이동도 트랜지스터(high electron mobility transistor, HEMT)는 최근 마이크로파 또는 밀리미터파 등의 고주파 대역의 통신시스템에 널리 사용되는 전자소자이자, 차세대 고주파용 전력 소자로 각광받고 있다. AlGaN/GaN HEMT에서 AlGaN층과 GaN층의 이종접합 구조(heterostructure)는 두 물질 간의 큰 전도대의 불연속성으로 인해 발생하는 이차원 전자가스(two-dimensional electron gas, 2DEG) 채널을 이용하여 높은 전자이동도, 높은 항복전압 및 우수한 고출력 특성을 얻는 것이 가능하다. 그러나 이린 이론적인 우수한 특성에도 불구하고 실제 AlGaN/GaN HEMT 소자에서는 AlGaN 표면과 AlGaN과 GaN 층 사이 접합면, AlGaN과 GaN 벌크층에 존재하는 트랩의 영향으로 이론보다 낮은 DC 출력 특성을 갖는다. 본 논문에서는 표면, 접합면, 벌크 층에 존재하는 트랩들을 각각의 존재 유무에 따라 시뮬레이션 함으로써 각각의 트랩이 DC 특성에 미치는 영향에 대해서 알아본다. 또한 소스와 게이트, 드레인과 게이트간의 거리에 따라 표면 트랩에 따른 영향과 AlGaN층과 GaN 층의 두께를 변화시켜가면서 각 층의 두께에 따라 벌크 트랩이 DC 특성에 미치는 영향을 알아보았다. 본 논문에서 트랩에 따른 특성의 파악을 위해서 $ATLAS^{TM}$를 이용하여 전산모사 하였다.
Intact mature zygotic embryos or their excised cotyledons of ginseng, were cultured on media containing various growth regulators such as auxin (2,4D, IAA) and cytokinin(BAP kinetin). In the culture of intact zygotic embryos, auxin inhibited germination but cytokinin did not Somatic embryogenesis occurred only from those of ungerminated embryos. In the culture of cotyledon segment, medium without growth regulators was the most appropriate to somatic embryogenesis. Somatic embryos were produced sporadically over the surfaces of zygotic embryos on medium containing auxin, while on medium without growth regulators, or media containing cytokinin, somatic embryos formed only on the proximal region of cotyledon. on medium containing 2,4-D, somatic embryos originated from multiple cells which comprised epidermal and subepidermal layers of cotyledon, which resulted in poly-somatic embryogenesis. When these somatic embryos were cultured on the same medium, the primary somatic embryos procured secondary embryos, which arose from epidermal or subepidermal single cells.
This study aimed at improving the packaging technology of Yukwa to improve the quality and extend the shelflife using secondary packaging. After packaging the Yukwa using an OPP film, P2, P3, and P4 packaging materials were applied secondarily. Various films including (1) P1: OPP (oriented polypropylene), (2) P2: P1+OPP/LLDPE (linear low density polyethylene), (3) P3: P1+PET (polyethylene terephthalate)/NY (nylon)/CPP (cast polypropylene) and (4) P4: P1+PET/AL (aluminum)/NY/CPP (P4) were used for packaging Yukwa. The experiment was conducted at $25^{\circ}C$ for 12 weeks. P1 showed the highest acid value score (1.26 mg KOH/g), and P3 had the highest peroxide value score (32.91 meq/kg) among all packaging groups. Nevertheless, these values did not exceed the guideline values of 2.0 g KOH/g and 40 meq/kg specified in the Korean food code. The overall color difference showed a tendency for decreasing Hunter 'L' values and increasing 'a' and 'b' values; however, no noticeable difference in the outer appearance was observed in any of the packaging treatments except in the P1 for greater than 10 weeks of storage. Some texture defects were observed in the Yukwa when the moisture contents dropped below 5%. The P4 packaging treatment had the lowest moisture permeability and showed the least rheological deterioration change, followed by P3 and P2. In conclusion, the use of a secondary packaging with less gas and moisture permeability was more effective for maintaining the quality and extending the shelf-life of Yukwa than other types of packaging material.
In this paper, dynamic characteristics analysis of linear induction motor with joints in the secondary conductor is discussed. The time stepped finite element method and moving mesh technique are used for simulation. ${\nabla}{\phi}$ of jointed secondary conductor is defined for simulation, respectively. Simulation results have shown that joints in the secondary conductor affect thrust ripple and attractive force ripple.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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