ETRI Journal
- Volume 11 Issue 4
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- Pages.67-74
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- 1989
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- 1225-6463(pISSN)
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- 2233-7326(eISSN)
GaAs/A1GaAs HEMT구조의 2DEC 측정
- Published : 1989.12.31
Abstract
n-GaAs/A1GaAs계의 화합물 반도체 접합에 형성되는 이차원 전자 가스를 캐패시턴스-전압(C-V), 각도 의존 자기저항(SdH), 전자 빔 반사(EBER)등의 측정 방법을 통하여 A1GaAs 조성비(x)는 0.281, 전도대와 가전도대의 밴드 불연속은 각각 밴드 갭(
Keywords