• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2006.05a
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• pp.373-377
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• 2006

본 논문에서는 이동위성통신 DS/CDMA 시스템의 상향링크 채널에 대한 이중모드 통신방식을 제안하고, 제안 시스템의 성능을 해석하고 제안 시스템의 유용성도 확인하였다. 또한 이동위성통신 DS/CDMA 시스템에 큰 도플러 옵셋의 해결방안으로 Kajiwara가 제안한 이중채널 방식을 이용하여 이동위성채널에 널리 쓰이는 라이시안 페이딩 모델을 설정하였으며 변조 방식으로는 DCPSK 신호를 이동체의 속도와 전송률 에러의 성능을 비교 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2015.05a
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• pp.839-841
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• 2015

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널길이와 채널두께의 비에 따른 드레인 유도 장벽 감소 현상의 변화에 대하여 분석하고자한다. 드레인 전압이 소스 측 전위장벽에 영향을 미칠 정도로 단채널을 갖는 MOSFET에서 발생하는 중요한 이차효과인 드레인 유도 장벽 감소는 문턱전압의 이동 등 트랜지스터 특성에 심각한 영향을 미친다. 드레인 유도 장벽 감소현상을 분석하기 위하여 포아송방정식으로부터 급수형태의 전위분포를 유도하였으며 차단전류가 $10^{-7}A/m$일 경우 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상단게이트 전압을 문턱전압으로 정의하였다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 단채널효과를 감소시키면서 채널길이 및 채널두께를 초소형화할 수 있는 장점이 있으므로 본 연구에서는 채널길이와 두께 비에 따라 드레인 유도 장벽 감소를 관찰하였다. 결과적으로 드레인 유도 장벽 감소 현상은 단채널에서 크게 나타났으며 하단게이트 전압, 상하단 게이트 산화막 두께 그리고 채널도핑 농도 등에 따라 큰 영향을 받고 있다는 것을 알 수 있었다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.11 no.4
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• pp.833-839
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• 2007

In case of wireless sensor networks being applied to a target environment having continuous data transfer, high-speed data transmission and processing is necessary to meet increased bandwidth needs. This paper proposes a novel multipath routing algorithm to increase the bandwidth of continuous data stream for the wireless sensor network using dual channel routers. We evaluate performance of the proposed algorithm in the wireless sensor network using the dual channel touter based on ZigBee protocol. According to the experimental evaluation, the proposed algorithm showed outstanding performance enhancement with the bandwidth of 150kbps, which is about twice of existing single channel router.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2015.05a
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• pp.829-831
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• 2015

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널길이와 채널두께의 비에 따른 문턱전압 및 전도중심의 변화를 분석하고자한다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 상하단 게이트 전압에 의하여 전류흐름을 제어할 수 있어 단채널효과를 감소시킬 수 있다는 장점이 있다. 그러나 채널길이가 감소하면 필연적으로 발생하는 문턱전압의 급격한 변화는 소자 특성에 커다란 영향을 미치고 있다. 특히 상하단의 게이트 전압, 상하단의 게이트 산화막 두께 그리고 도핑분포변화에 따라 발생하는 전도중심의 변화는 문턱전압을 결정하는 중요 요소가 된다. 해석학적으로 문턱전압 및 전도중심을 분석하기 위하여 해석학적 전위분포를 포아송방정식을 통하여 유도하였다. 다양한 채널길이 및 채널두께에 대하여 전도중심과 문턱전압을 계산한 결과, 채널길이와 채널두께의 비 등 구조적 파라미터뿐만이 아니라 도핑분포 및 게이트 전압 등에 따라 전도중심과 문턱전압은 크게 변화한다는 것을 알 수 있었다.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.26 no.9A
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• pp.1592-1600
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• 2001

본 논문에서는 IMT-2000을 위한 이중 모드 패킷 전송 방식에 대한 성능을 분석하고, 동적 임계치 설정을 이용한 이중 모드 패킷 전송 방식을 제안한다. 먼저, 다양한 채널 환경과 트래픽 유형을 고려하여, 공용 채널과 전용채널 간의 모드 전환을 위한 임계치의 변화에 따른 성능의 변화를 고찰하였다. 성능 분석 결과, 채널 환경과 트래픽 형태에 따라서 스위칭 임계치 설정이 매우 중요하며, 성능에 큰 영향을 미치게 된다는 것을 알 수 있었다. 그리고, 이중 모드 방식에서 스위칭 임계치를 동적으로 설정하는 방식을 제안하고 시뮬레이션을 통해 성능을 분석하였다. 제안된 동적 임계치를 사용할 경우에 채널 상황이나 트래픽 특성 변화에 적응적으로 대처할 수 있어, 전반적으로 고정 임계치 방식보다 성능이 크게 개선됨을 알 수 있었다.

• Journal of Satellite, Information and Communications
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• v.11 no.4
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• pp.52-57
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• 2016

The backscatter signals are very weak so they can be easily interfered by signal interferences and channels. In this paper, we propose a two-level classification algorithm for backscatter communications which chooses the idle frequency channel based on cognitive radio systems. The two-level classification algorithm provides an optimal idle frequency channel by obtaining informations about idle frequencies, fading of the channels, and the channels' usage state by primary users. Our simulation results show the improvement of BER and received power performance in backscatter communications by using the proposed algorithm, and the improvement of the algorithm's performance in backscatter communications.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.19 no.1
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• pp.163-168
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• 2015

This paper analyzed the deviation of tunneling current for bottom gate voltage of sub-10 nm asymmetric double gate MOSFET. The asymmetric double gate MOSFET among multi gate MOSFET developed to reduce the short channel effects has the advantage to increase the facts to be able to control the channel current, compared with symmetric double gate MOSFET. The increase of off current is, however, inescapable if aymmetric double gate MOSFET has the channel length of sub-10 nm. The influence of tunneling current was investigated in this study as the portion of tunneling current for off current was calculated. The tunneling current was obtained by the WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin) approximation and analytical potential distribution derived from Poisson equation. As a results, the tunneling current was greatly influenced by bottom gate voltage in sub-10 nm asymmetric double gate MOSFET. Especially it showed the great deviation for channel length, top and bottom gate oxide thickness, and channel thickness.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.13 no.4
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• pp.629-635
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• 2009

The FSK duplex remote controlling wireless transmission units with a common local oscillator circuit for transmitter and receiver are designed and implemented in this paper. In the FSK full-duplex the channel frequency for Tx/Rx is allocated, a common switching oscillator circuit for Tx/Rx is designed in the FSK half-duplex scheme. Both of FSK units get functions of automatic channel detection for busy channels and channel configuration for an idle channel in order to reduce the RF channel interference and are designed as a remote controller with small-sized low power of 10mW and the 400MHz-colpitz type PLL configuration of 50kHz channel separation. The full-duplex Tx/Rx link frequency gets frequency difference of 42.8MHz, which is double of 21.4MHz IF frequency.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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• v.45 no.1
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• pp.51-58
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• 2008

We propose a new duplex which does not require guard resources in MIMO environments. In the proposed duplex, two virtual channels in spatial domain are generated by preceding and postcoding MIMO channels, not to use guard resources in either the time or frequency domain. The capacity can be improved by properly selecting precoder and postcoder. We show the improved capacity of the proposed duplex outperforms conventional duplexes even without guard resources.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.19 no.6
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• pp.1399-1404
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• 2015

This paper analyzed the phenomenon of drain induced barrier lowering(DIBL) for the ratio of channel length vs. thickness of asymmetric double gate(DG) MOSFET. DIBL, the important secondary effect, is occurred for short channel MOSFET in which drain voltage influences on potential barrier height of source, and significantly affects on transistor characteristics such as threshold voltage movement. The series potential distribution is derived from Poisson's equation to analyze DIBL, and threshold voltage is defined by top gate voltage of asymmetric DGMOSFET in case the off current is 10^-7 A/m. Since asymmetric DGMOSFET has the advantage that channel length and channel thickness can significantly minimize, and short channel effects reduce, DIBL is investigated for the ratio of channel length vs. thickness in this study. As a results, DIBL is greatly influenced by the ratio of channel length vs. thickness. We also know DIBL is greatly changed for bottom gate voltage, top/bottom gate oxide thickness and channel doping concentration.