• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.425-425
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• 2010

유기 발광 소자는 차세대 디스플레이 소자와 조명 광원으로서 많은 응용성 때문에 활발한 연구가 진행되고 있다. 하지만 청색 유기 발광 소자는 적색과 녹색 유기발광소자들에 비해 상대적으로 발광효율이 낮고 색 순도가 떨어지며 수명이 짧기 때문에 전색 유기발광소자를 구현하는데 문제가 있다. 이런 문제점을 해결하기 위하여 청색 유기 발광소자의 재료 개발, 다층 이종구조 및 형광/인광성 물질의 도핑에 대한 연구가 진행되고 있다. 이와 더불어 색안정성과 색순도가 향상된 진청색 고효율 청색 유기발광소자는 백색유기발광소자의 응용성 때문에 이에 대한 연구가 주목을 받고 있다. 본 연구에서는 청색 유기 발광 소자의 발광효율을 높이고 색안정성과 색순도를 향상하기 위해 4,4'-Bis (2,2'-diphenyl-ethen-1-yl)biphenyl (DPVBi) 와 4,4'-Bis(carbazol-9-yl) biphenyl (CBP)로 구성된 나노크기의 폭을 가진 우물 형태의 이중 발광층 구조를 사용한 청색 유기발광소자를 제작하였다. 제작된 청색유기발광소자의 전기적 성질과 광학적 성질을 조사하여 색안정성 및 색순도 향상 메카니즘을 관찰하였다. DPVBi/CBP 이중 발광층을 가지는 청색 유기발광소자에서 CBP의 HOMO 에너지 준위의 값이 3.2 eV로 매우 크기 때문에 정공을 막는 정공 장벽층의 역할을 하게 되어 정공이 발광층에 머무르게 된다. 또한 DPVBi의 LUMO 값의 크기 5.8 eV, CBP의 LUMO 값의 크기는 6.3 eV이므로 상대적으로 CBP의 전자에 대한 주입장벽이 크기 때문에 발광층에 머무르는 전자의 양이 증가된다. 청색 발광층에 사용된 이중 발광층은 단일 발광층에 비해 더 많은 전자와 정공이 존재하기 때문에 전자-정공 재결합 확률을 높였으며 재결합 영역이 발광층 중심의 이중발광층 계면으로 이동하여 발광 영역이 국소화되어 전압변화에 따른 색의 변화가 적고 색순도가 더욱 향상되었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2007.08a
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• pp.379-379
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• 2007

• Polymer(Korea)
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• v.38 no.4
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• pp.544-549
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• 2014

Double layered film consisting of polyimide/polysiloxane and interface with nano domain structure was fabricated through stepwise layer formation and subsequent aging steps. During aging of film, nano phase separation occurred between the top layer polysiloxane and the upper layer of polyimide, which was observed by transmission electron microscope (TEM). A stable and uniform polysiloxane layer was obtained, showing the reproducible pressure-sensitive adhesion (PSA) property with the peel strength of 8-13 g/inch at even $300^{\circ}C$. In addition, the resulting polymide/polysiloxane film was thermo-stable up to $435^{\circ}C$, providing the promising properties suitable for application in microelectronics processing.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2015.08a
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• pp.201.2-201.2
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• 2015

현대 디지털 사회에서 고효율 에너지와 파워소스에 관한 요구가 커짐에 따라 차세대 에너지 저장 소자에 대한 연구가 계속되고 있다. 그 중 리튬이온 배터리, 슈퍼커패시터, 그리고 연료 전지들이 우리의 일상생활에서 점점 더 중요하게 자리잡아가고 있는데 이런 다양한 에너지 저장소자 중 슈퍼커패시터가 많은 관심을 받고 있다. 이는 긴 수명, 빠른 충-방전 속도, 높은 에너지 밀도, 그리고 안전함 때문이다. 슈퍼커패시터는 에너지 저장 메커니즘에 따라 두 가지로 분류될 수 있는데 전기이중층 커패시터(EDLC)와 슈도커패시터(pseudocapacitor)로 나누어질 수 있다. 슈도커패시터는 active 물질과 전해질 이온 간의 전기화학적 반응으로 인해 EDLC보다 더 많은 에너지를 저장할 수 있다. 그러므로 지금까지 새로운 형태의 슈도용량성 물질을 만들기 위한 노력이 집중되고 있다. 본 연구에서는 전기화학적증착 방법을 통해 graphene-like ${\beta}$-nickel hydroxide (${\beta}-Ni(OH)_2$) 나노판 구조를 전도성 직물에 합성하였다. ${\beta}-Ni(OH)_2$ 슈도커패시터의 유연하고 효율적인 비용의 전극으로서 높은 비정전용량, 우수한 전기화학 가역성, 그리고 뛰어난 사이클 안정성을 보였다. 이런 쉬운 방법으로 유연한 전도성 직물에 합성된 metal hydroxide/oxide 나노구조는 웨어러블 에너지 저장소자와 변환소자 분야에 사용될 것으로 기대된다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2008.05a
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• pp.709-712
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• 2008

본 연구에서는 이중게이트 MOSFET 제작시 가장 중요한 요소인 채널도핑농도가 전송특성에 미치는 영향을 분석하고자 한다. 이를 위하여 분석학적 전송모델을 사용하였으며 분석학적 모델을 유도하기 위하여 포아슨방정식을 이용하였다. 나노구조 이중게이트 MOSFET에서 문턱전압이하의 전류전도에 영향을 미치는 열 방사전류와 터널링전류에 대하여 분석하였으며 본 연구의 모델이 타당하다는 것을 입증하기 위하여 서브문턱스윙값과 채널도핑농도의 관계를 이차원 시뮬레이션 값과 비교하였다. 결과적으로 본 연구에서 제시한 전송특성모델이 이차원 시뮬레이션모델과 매우 잘 일치하였으며 이중게이트 MOSFET의 구조적 파라미터에 따라 전송특성을 분석하였다.

• Polymer Science and Technology
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• v.19 no.1
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• pp.25-34
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• 2008

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.42 no.7 s.337
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• pp.5-12
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• 2005

The device performance of nano-scale center-channel (CC) double-gate (DG) MOSFET structure was investigated by numerically solving coupled Schr$\"{o}$dinger-Poisson and current continuity equations in a self-consistent manner. The CC operation and corresponding enhancement of current drive and transconductance of CC-NMOS are confirmed by comparing with the results of DG-NMOS which are performed under the condition of 10-80 nm gate length. Device optimization was theoretically performed in order to minimize the short-channel effects in terms of subthreshold swing, threshold voltage roll-off, and drain-induced barrier lowering. The simulation results indicate that DG-MOSFET structure including CC-NMOS is a promising candidates and quantum-mechanical modeling and simulation calculating the coupled Schr$\"{o}$dinger-Poisson and current continuity equations self-consistently are necessary for the application to sub-40 nm MOSFET technology.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.15 no.7
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• pp.1537-1542
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• 2011

In this paper, the subthreshold characteristics have been analyzed for various oxide thickness of double gate MOSFET(DGMOSFET) using Poisson's equation with nonuniform doping distribution. The DGMOSFET is extensively been studying since it can shrink the short channel effects(SCEs) in nano device. The degradation of subthreshold swing(SS) known as SCEs has been presented using analytical for, of Poisson's equation with nonuniform doping distribution for DGMOSFET. The SS have been analyzed for, change of gate oxide thickness to be the most important structural parameters of DGMOSFET. To verify this potential and transport models of thus analytical Poisson's equation, the results have been compared with those of the numerical Poisson's equation, and subthreshold swing has been analyzed using this models for DGMOSFET.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.20 no.5
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• pp.81-86
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• 2019

Metal oxide/graphene composites have been known as promising functional materials for advanced applications such as high sensitivity gas sensor, and high capacitive secondary battery. In this study, tin dioxide ($SnO_2$) nanostructures were grown on chemically synthesized graphene nanosheets using a two-zone horizontal furnace system. The large area graphene nanosheets were synthesized on Cu foil by thermal chemical vapor deposition system with the methane and hydrogen gas. Chemically synthesized graphene nanosheets were transferred on cleaned $SiO_2$(300 nm)/Si substrate using the PMMA. The $SnO_2$ nanostuctures were grown on graphene nanosheets at $424^{\circ}C$ under 3.1 Torr for 3 hours. Raman spectroscopy was used to estimate the quality of as-synthesized graphene nanosheets and to confirm the phase of as-grown $SnO_2$ nanostructures. The surface morphology of as-grown $SnO_2$ nanostructures on graphene nanosheets was characterized by field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM). As the results, the synthesized graphene nanosheets are bi-layers graphene nanosheets, and as-grown tin oxide nanostructures exhibit tin dioxide phase. The morphology of $SnO_2$ nanostructures on graphene nanosheets exhibits complex nanostructures, whereas the surface morphology of $SnO_2$ nanostructures on $SiO_2$(300 nm)/Si substrate exhibits simply nano-dots. The complex nanostructures of $SnO_2$ on graphene nanosheets are attributed to functional groups on graphene surface.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.54 no.1
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• pp.93-98
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• 2010

In this work, the electrochemical properties of surface treated multi-walled carbon nanotubes (MWNTs) were studied. Nitrogen and oxygen functional groups of the MWNTs were introduced by urea and acidic treatment, respectively. The surface functional groups of the MWNTs were confirmed by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) measurements and zeta-potential method. The characteristics of $N_2$ adsorption isotherm at 77 K, specific surface area, and total pore volumes were investigated by BET eqaution, BJH method and t-plot method. Electrochemical properties of the functionalized MWNTs were accumulated by cyclic voltammetry at the scan rates of 50 $mVs^{-1}$ and 100 $mVs^{-1}$ in 1M $H_2SO_4$ as electrolytes. As a result, the functionalized MWNTs led to an increase of capacitance as compared with pristine MWNTs. It was found that the increase of capacitance for urea treated MWNTs was attributed to the increase in density of surface functional groups, resulting in improving the wettability between electrode materials and charge species.