• 제목/요약/키워드: 이중상

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학술논문 - 한국 북디자인 100년

  • 대한인쇄문화협회
    • 프린팅코리아
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    • 제13권4호
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    • pp.88-91
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    • 2014
  • 한국출판연구소(이사장 김종수)는 최근 '출판연구' 21호를 발간했다. 이중 한국출판평론상 한국출판학술상 수상작인 박대헌 완주 책박물관 관장이 쓴 '한국 북디자인 100년'을 소개한다.

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오피니언 - 잔류농약 걱정! 이제 그만 하시죠?

  • 임무혁
    • 자연과 농업
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    • 통권260호
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    • pp.14-17
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    • 2010
  • 시중 유통농산물의 잔류농약은 전혀 걱정할 필요가 없다. 지난 10년 동안 잔류농약검사결과를 보면 유통농산물중 기준초과되는 것은 1.5% 정도이고, 이중 대부분은 법 상으로 허용이 안된 농산물에 농약을 사용했기 때문에 아주 엄격한 기준으로 부적합된 것이다.

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차량 RKE 리더기용 PIFA형 스파이럴 안테나의 설계 (Design of PIFA type Spiral Antenna for Vehicle RKE Reader)

  • 오동준;윤호진;정봉식
    • 융합신호처리학회논문지
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    • 제9권2호
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    • pp.135-140
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    • 2008
  • 본 논문에서는 자동차에 사용되는 RKE(Remote Keyless Entry) 시스템용인 중심주파수가 315MHz, 433MHz 및 447MHz이 스파이럴 안테나를 PCB(Printed Circuit Board)상에 설계하고자 한다. 안테나는 선로 급전하였으며, 급전부에는 중심주파수 조정과 임피던스 정합이 용이하도록 PIFA(Planar Inverted-F Antenna) 구조를 적용하였다. 안테나는 PCB상에 인쇄되며 PCB 면적의 5% 정도인 $30mm{\times}20mm$ 이내의 크기를 갖도록 설계하였고, PCB상의 회로소자 ECU (Electronic Control Unit) 케이스, ECU가 장착되는 차체의 영향을 고려하여 설계하였다. 또한 스파이럴 선로상에 칩 인덕터를 삽입하여 315MHz와 447MHz에서 이중공진을 일으키는 이중대역 스파이럴 안테나를 설계하였다. 최종 설계된 안테나는 측정을 통해 안테나 사양을 만족함을 확인하였고, 안테나를 ECU에 장착하여 실험한 결과, 전방향에서 20m이상의 수신거리를 가지면서 정상적으로 동작함을 확인하였다.

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도핑분포함수에 따른 비대칭 MOSFET의 문턱전압이하 스윙 분석 (Analysis of Subthreshold Swing for Doping Distribution Function of Asymmetric Double Gate MOSFET)

  • 정학기
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제18권5호
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    • pp.1143-1148
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    • 2014
  • 본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널 내 도핑분포함수의 변화에 따른 문턱전압이하 스윙의 변화를 분석하였다. 이중게이트 MOSFET의 특성을 결정하는 가장 기본적인 요소는 채널의 크기 즉, 채널길이, 채널두께 등과 채널의 도핑분포함수이다. 도핑분포는 채널도핑 시 사용하는 이온주입법에 의하여 결정되며 일반적으로 가우스분포함수에 준한다고 알려져 있다. 포아송방정식을 이용하여 전하분포를 구하기 위하여 가우스분포함수을 이용하였다. 가우스분포함수는 반드시 상하 대칭이 아니므로 채널길이 및 채널두께, 그리고 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상하단 게이트 전압 변화 등에 따라 문턱전압이하 스윙 값은 크게 변화할 것이다. 이에 본 연구에서는 가우스분포함수의 파라미터인 이온주입범위 및 분포편차에 따른 문턱전압이하 스윙의 변화를 관찰하고자 한다. 분석결과, 문턱전압이하 스윙은 도핑분포함수 및 게이트 전압 등에 따라 크게 영향을 받는 것을 관찰할 수 있었다.

Co 단일막과 Co/Ti 이중막을 이용한 Co-실리사이드의 형성 연구 (Formation of Co-silicides using Co Single Layer and Co/Ti Bilayer)

  • 장지근;엄우용;장호정;홍성수;송진태
    • 한국재료학회지
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    • 제6권7호
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    • pp.692-699
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    • 1996
  • nptype Si(100)웨이퍼를 precleaning하고 HF 용액에 dip etching한 후 E-beam dvaporator에 장착하여 Co 단일막($170\AA$, $340\AA$)과 Co/Ti 이중막($200\AA$/ $(50-100)\AA$)을 성장시켰다. 시편의 RTA 과정에서는 N2분위기에서 direct annealing 방식으로 열처리 온도와 시간을 변화시켜가며 Co-silicidation 공정을 수행하였다. Co 단일막으로 형성된 Co-실리사이드의 면저항은 $500^{\circ}C\leq$T$\leq$$850^{\circ}C$범위에서 열처리 온도와 시간의 변화에 관계없이 거의 일정한 값을 나타내었다. Co/Ti 이중막의 경우 Co-실리사이드의 형성온도가 Co 단일막의 경우에 비해 높게 나타나고 낮은 비저항의 CoSi2를 얻기 위해서는 $800^{\circ}C$이상의 온도로 열처리해야 함을 알 수 있었다. XRD 분석결과, Co 단일막으로부터 얻어진 CoSi2는 (111) 및 (220) 결정상을 나타내었으나, Co/Ti 이중막에 의한 CoSi2는 (200)결정상만이 나타나서 Si(100)기판과 에피층을 이루고 있음을 알 수 있었다. 본 실험에서 CoSi2의 비저항은 약 $18\mu$$\Omega$.cm로 나타났으며, TEM 및 AES 분석으로부터 Co/Ti bilayer-실리사이드가 다량의 Si과 Ti 외에 소량의 Co가 섞여있는 표면 복합층과, Si과 Co만이 존재하는 내부 에피층으로 구성됨을 확인하였다.

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이중상 구조를 가진 보강성 충전제의 물리적 특성 연구 (A Study on the Physical Properties of Reinforcing Fillers with Dual Phase Structure)

  • 이석;박남국
    • 공업화학
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    • 제9권4호
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    • pp.608-613
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    • 1998
  • 본 연구의 목적은 순수 카본블랙과 이중상 구조의 카본블랙 (DPCB)이 함유되어 있는 고무조성물의 물리적 특성에 대하여 조사하였다. DPCB는 FT-IR분석결과 1100~1200 파장에서 실리카 표면에 존재하는 Si-O 피크를 나타냈다. DPCB와 유기 실란커프링제 (Si69)를 함유하는 고무조성물의 가황속도는 순수 카본블랙을 함유한 고무조성물에 비해 지연되었다. Si69를 함유한 DPCB의 300% 모듈러스와 상호작용계수 ($a_f$)는 순수 카본블랙보다 높게 나타났으며, 내마모특성 지표인 피코 무게감소량은 일정하게 나타났다. DPCB의 $0^{\circ}C$에서의 tan ${\delta}$는 DPCB 50 phr 기준 실란커플링제를 2.0% 사용한 수준에서 순수 카본블랙보다 우수하였으며, $60^{\circ}C$에서의 tan ${\delta}$는 실란커프링제의 사용량이 증가 할수륵 감소하였다. 결국 본 연구에 사용된 DPCB는 일정한 마모저항을 유지하면서 회전저항을 개선하는데 적합하다고 생각한다.

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이중주입 초음파분무법에 의한 메틸암모늄 할로젠화 납 페로브스카이트 박막의 제조 (Preparation of methylammonium lead halide perovskite thin films by dual feed ultrasonic spray method)

  • 김록윤;김태희;박경봉
    • 한국결정성장학회지
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    • 제29권1호
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    • pp.6-11
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    • 2019
  • 본 연구에서는 페로브스카이트 태양전지의 광흡수체로 사용되는 메틸암모늄 할로젠화 납(methylammonium lead halide, $MAPbX_3$, X = I, Br) 페로브스카이트(perovskite) 박막을 이중주입 초음파분무법을 이용하여 제조하였다. 이중주입 초음파 분무법을 통해 $60^{\circ}C$ 이하의 기판온도에서 분무한 후, $75^{\circ}C$에서 5분간 최종열처리 후 $MAPbI_3$ 단일상을 제조할 수 있었다. $80^{\circ}C$ 이상의 온도에서 분무 증착 시에는 페로브스카이트 상의 분해로 인해 구형의 결정립이 막대형태의 프렉탈(fractal) 구조로 변화되었다. $MAPbI_3$ 용액과 $MAPbIBr_2$ 용액의 이중주입을 통해, $MAPbI_3$ 박막에 비해 높은 $100^{\circ}C$의 열처리로 $MAPbI_{3-x}Br_x$ 박막을 제조할 수 있었다.

슬괵건을 이용한 전방 십자 인대 재 재건술 (Revision Anterior Cruciate Ligament Surgery Using Hamstring Autograft)

  • 인용;박원종;권오수;서영완;임동선
    • 대한관절경학회지
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    • 제7권2호
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    • pp.183-188
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    • 2003
  • 목적 : 전방 십자 인대 재 재건술 시행시 자가 슬괵건을 이식건으로 사용하고 대퇴 및 경골 터널은 이중으로 고정하는 방법으로 시행하여 그 치료 결과를 보고하고자 한다. 대상 및 방법 : 2000년 5월부터 2002년 7월까지 슬괵건을 이용한 전방 십자 인대 재 재건술을 시행 받고 1년이상 추시가 가능하였던 6예를 대상으로 하였다. 6예 모두 남자였으며 평균 연령은 28.3세였다. 1차 재건술 후 재 재건술까지 기간은 평균 28.9개월이었으며 재 재건술 전까지 평균 수술 횟수는 1.7회였다. 슬괵건은 네 겹으로 준비하여 이용하였으며 기존 대퇴 터널이 재 재건술에 영향을 주는 경우 대퇴 터널을 40 mm 깊이로 만들고 횡고정 핀 고정후 흡수성 간섭 나사로 이중 고정하였다. 경골 터널은 Intrafix로 고정하였고 기존 터널의 영향이 있는 경우 screw-washe로 이중 고정하였다. 술후 평가는 Lysholm 점수, IKDC (International Knee Documentation Committee) 평가 기준, KT-2000 관절계를 이용하여 평가하였다. 결과 : 최종 추시상 Lysholm 점수는 술전 77.2점에서 술후 87.7점으로 호전되었고 IKDC 평가 기준상 술전 B 1예, C 4예, D 1예에서 술후 A 1예, B 4예, C 1예로 5예$(83\%)$에서 B이상의 결과를 보였다. KT-2000 관절계를 이용한 최대 도수 부하 검사상 술전 평균 4.5 mm에서 술후 1.8 mm로 호전되었다. 결론 : 전방 십자 인대 재 재건술시 슬괵건은 좋은 이식물로 사료되며, 수술시 기존 터널의 영향이 있는 경우 이중 고정 방법은 좋은 방법으로 사료된다.

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Oblique-angle sputtering에 의한 Indium tin oxide 이중층 반사방지막 특성에 관한 연구

  • 김용준;;김선보;이준신
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.297.1-297.1
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    • 2016
  • 높은 굴절률(n_H) 의 ITO films 위에 homoepitaxial 성장 기술로 낮은 굴절률(n_L) 의 ITO를 이중으로 증착한 반사방지막을 연구하였다. 우리는 기판 상에 vapor flux 입사 각도 및 columnar 성장막과 경사각 사이의 상관 관계에 기초하여 낮은 굴절률의 ITO 박막을 Oblique-angle sputtering을 사용하여 증착하였다. Oblique-angle 증착동안 columns 경사각이 incident flux angle 의 증가에 따라 linear 하게 증가했다. 반대로 incident flux angle 이 증가할때 ITO 박막의 굴절률은 현저하게 감소하였는데, 이는 원자의 shadowing effect와 표면 diffusion으로 인하여 필름내의 porosity를 증가시킨 것으로 보여진다. 이러한 결과로 homoepitaxial으로 성장시킨 ITO 이중층 구조 반사방지막 특성이 향상되었으며, 유리 기판 위에서 weight average reflectance가 n_L=1.72, n_H=1.90 에서 6.57%를 달성하였다.

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