• Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
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• 2003.11a
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• pp.89-90
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• 2003

석탄화력발전소에서는 다양한 유해물질이 발생한다 먼지, 미세먼지, 유해중금속, 황산화물(SOx), 질산화물(NOx) 등이 그것인데, 이중 황산화물과 질산화물등은 기존 방지장치로 비교적 제어가 용이하다. 반면에, 미세먼지와 유해중금속은 대기중으로 상당량이 배출되어 인체에 심각한 피해를 끼치고 있다. 우리나라 대기환경보전법에서는 대기오염물질을 가스상 물질과 입자상 물질로 구분하고 있다. 이중 입자상물질은 그 입도의 분포가 수십 나노미터에서 수십 마이크론까지 광범위하고 입도에 따른 환경위해성도 다르다. (중략)

• The Korean Publising Journal, Monthly
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• s.47
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• pp.22-23
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• 1989

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.20 no.3
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• pp.571-576
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• 2016

Asymmetric double gate(DG) MOSFET has the different top and bottom gate oxides thicknesses. It is analyzed the deviation of subthreshold swing(SS) and conduction path for the ratio of top and bottom gate oxide thickness of asymmetric DGMOSFET. SS varied along with conduction path, and conduction path varied with top and bottom gate oxide thickness. The asymmetric DGMOSFET became valuable device to reduce the short channel effects like degradation of SS. SSs were obtained from analytical potential distribution by Poisson's equation, and it was analyzed how the ratio of top and bottom oxide thickness influenced on conduction path and SS. SSs and conduction path were greatly influenced by the ratio of top and bottom gate oxide thickness. Bottom gate voltage cause significant influence on SS, and SS are changed with a range of 200 mV/dec for $0<t_{ox2}/t_{ox1}<5$ under bottom voltage of 0.7 V.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.18 no.12
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• pp.2939-2945
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• 2014

This paper has analyzed the change of threshold voltage for oxide structure of symmetric and asymmetric double gate(DG) MOSFET. The asymmetric DGMOSFET can be fabricated with different top and bottom gate oxide thickness, while the symmetric DGMOSFET has the same top and bottom gate oxide thickness. Therefore optimum threshold voltage is considered for top and bottom gate oxide thickness of asymmetric DGMOSFET, compared with the threshold voltage of symmetric DGMOSFET. To obtain the threshold voltage, the analytical potential distribution is derived from Possion's equation, and Gaussian distribution function is used as doping profile. We investigate for bottom gate voltage, channel length and thickness, and doping concentration how top and bottom gate oxide thickness influences on threshold voltage using this threshold voltage model. As a result, threshold voltage is greatly changed for oxide thickness, and we know the changing trend greatly differs with bottom gate voltage, channel length and thickness, and doping concentration.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.19 no.3
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• pp.161-168
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• 2008

We propose a novel bistable nematic liquid crystal cell, which has a dual-frequency liquid crystal material and pixel-isolating polymer wall formed by an anisotropic phase separation of a mixture of liquid crystals and UV-curable pre-polymers. The proposed cell has two stable states of left- and right-handed ${\pi}$-twist. The switching between the two states is achieved by using a sequential waveform of low and high frequencies. A transmissive bistable liquid crystal display is designed, which achieves high contrast ratio by using the proposed cell and optical films.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.19 no.1
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• pp.156-162
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• 2015

This paper has analyzed how conduction path and electron concentration for the device parameters such as oxide thickness, channel doping, and top and bottom gate voltage influence on subthreshold swing of asymmetric double gate MOSFET. Compared with symmetric and asymmetric double gate MOSFET, asymmetric double gate MOSFET has the advantage that the factors to be able to control the short channel effects increase since top and bottom gate oxide thickness and voltages can be set differently. Therefore the conduction path and electron concentration for top and bottom gate oxide thickness and voltages are investigated, and it is found the optimum conditions that the degradation of subthreshold swing, severe short channel effects, can reduce. To obtain the analytical subthreshold swing, the analytical potential distribution is derived from Possion's equation. As a result, conduction path and electron concentration are greatly changed for device parameters, and subthreshold swing is influenced by conduction path and electron concentration of top and bottom.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2015.05a
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• pp.821-823
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• 2015

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상하단 게이트 산화막 두께에 대한 드레인 유도 장벽 감소 현상에 대하여 분석하고자한다. 드레인 유도 장벽 감소 현상은 단채널 MOSFET에서 드레인전압에 의하여 소스측 전위장벽이 낮아지는 효과를 정량화하여 표현한다. 소스 측 전위장벽이 낮아지면 결국 문턱전압에 영향을 미치므로 드레인전압에 따른 문턱전압의 변화를 관찰할 것이다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 상단과 하단의 게이트 산화막 두께를 다르게 제작할 수 있는 특징이 있다. 그러므로 본 연구에서는 상단과 하단의 게이트 산화막 두께변화에 따른 드레인 유도 장벽 감소 현상을 포아송방정식의 해석학적 전위분포를 이용하여 분석하였다. 결과적으로 드레인 유도 장벽 감소 현상은 상하단 게이트 산화막 두께에 따라 큰 변화를 나타냈다. 또한 도핑농도에 따라 드레인유도장벽감소 현상이 큰 영향을 받고 있다는 것을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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• 2004.10a
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• pp.721-723
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• 2004

두 개의 서로 다른 통신망, HSDPA(High Speed Downlink Packet Access)를 지원하는 W-CDMA망과 IEEE 802.16e를 지원하는 HPi(High Speed Portable Internet)망을 동시에 지원하는 이중모드 BS(Base Station)에서 MS(Mobile Station)가 현재 사용하고 있는 통신 프로토콜 상에서 사용자 폭주나 망의 이상으로 인한 QoS 저하를 탐지해서 더 좋은 QoS를 보장받도록 하기 위해서 MS를 재구성한다. 본 논문에서는 MS 재구성 과정 중에 이전 경로 상에서 받지 못한 데이터를 새로운 경로에서 손실 없이 받을 수 있도록 하기 위한 이중모드를 지원하는 기지국 내에서의 핸드오프 기법을 제안하고 있다.

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2010.11a
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• pp.1501-1502
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• 2010

DualCore 혹은 MultiCore 플랫폼의 보급에 따라 높은 시간복잡도를 갖는 응용들도 사용자의 컴퓨터나 단말에서 수행되어 다양한 서비스를 제공할 수 있게 되었다. 본 논문에서는 관광 스케줄을 효율적으로 결정하기 위한 다중목적지 방문 문제에 대해 이중 쓰레드에 기반한 서치 스페이스 탐색 알고리즘을 구현한다. 이는 Traveling Salesman Problem의 한 종류로서 O(n!) 시간 복잡도를 갖고 있으며 검색시의 독립성때문에 각 쓰레드는 병렬적으로 최적의 스케줄을 탐색할 수 있다. 또 현재까지 발견된 최적값을 기반으로 부분 경로의 비용이 이미 최적값을 넘는 경우는 하위 탐색을 제거하여 상당한 성능의 향상을 가져온다. 2.4 GHz Intel(R) Core DuoCPU와 3 GB 메모리로 구성된 플랫폼 상에서 구현된 서비스는 11개의 목적지에 대한 방문 스케줄을 생성함에 있어서 단일 쓰레드 버전은 14.196초, 이중 쓰레드 버전은 6.411초, 제약조건을 포함한 이중 쓰레드 버전은 0.14초에 최적의 스케줄을 찾아낼 수 있다.

• The Optical Journal
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• s.122
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• pp.41-43
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• 2009

본 연구에서는 최근에 민수용으로 활용 빈도가 높은 $320{\times}240$ 어레이를 갖는 비냉각 검출기에 적합하도록 F/1.0. 이중배율 광학계를 설계제작하여 열영상을 획득하고 광학성능을 확인하기 위하여 최소분해가능온도차(MRTD; Minimum Resolvable Temperature Difference) 값을 측정하고 사람과 차량의 탐지를 추정하였다.