• Title/Summary/Keyword: 이온범위

Search Result 1,244, Processing Time 0.029 seconds

레이저 변수가 마그네슘 원자의 다광자 이온화에 미치는 영향 연구

  • 김달우
    • Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
    • /
    • 1990.02a
    • /
    • pp.185-189
    • /
    • 1990
  • 고강도 레이저 장에서 마그네슘 원자의 다광자 이온화에 미치는 레이저 parameter의 영향을 Time-of-Flight spectrometer를 사용하여 분광학적 방법으로 연구하였다. 진공 챔버 속에서 파장 532nm와 1064nm인 레이저 펄스를 강도 1010-13W/'$ extrm{cm}^2$ 범위내에서 변화시키며 마그네슘 원자와 반응시켜서 Mg+ 및 Mg2+ 이온을 생성시켰으며 레이저의 파장, 강도 및 편광에 따른 광전자 스펙트럼을 구하였다. 또한, 전자 두 개를 방출하고 생성된 Mg2+ 이온의 발생 기구에 대하여 논하였다.

  • PDF

The anisotropic of threshold energy of impact ionization for energy band structure on GaAs (GaAs 에너지밴드구조에 따른 임팩트이온화의 문턱에너지 이방성)

  • 정학기;고석웅;이종인
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
    • /
    • 1999.05a
    • /
    • pp.389-393
    • /
    • 1999
  • The exact model of impact ionization events in which has influence on device efficiency, is to be necessary element for device simulation. Recently, a modified Keldysh formula with two set of power exponent of 7.8 and 5.6 is used to simulate carrier transport. This model is, however, not suitable as impact ionization model in low energy range since this ignore direction dependent properties of impact ionization. The impact ionization rate is highly anisotropic at low energy, while it becomes isotropic at higher energy range. Note that impact ionization events frequently occur in high energy range. For calculating impart ionization rate, we use full energy band structure derived from Fermi's golden rule and empirical pseudopotential method. We compare with calculated and experimental value, and investigate direction dependent conduction energy band structure along the direction of <100>, <110> and <111>. We know that the threshold energy of impact ionization is anisotropic and impact ionization rate is very deviated from modified Keldish formula, in relatively low energy range.

  • PDF

Room tempearture deposition of SiN film by using $SiH_4-NH_3-N_2$ plasma: Effect of duty ratio on Ion energy and Refractive index (펄스드 플라즈마를 이용한 $SiH_4-NH_3-N_2$에서의 SiN박막의 상온 증착 : Duty ratio 이온에너지와 굴절률에의 영향)

  • Lee, Hwa-Joon;Kim, Byung-Whan
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
    • /
    • 2009.06a
    • /
    • pp.206-207
    • /
    • 2009
  • PECVD를 이용하여 상온에서 Silicon nitride 박막을 제조하였다. 그리고 증착 중에 non-invasive ion energy analyzer를 이용하여 이온에너지와 이온에너지 flux룰 측정하였다. PECVD의 소스 파워는 500W, 바이어스 파워 100W으로 고정하고 주파수 250Hz으로 고정된 상태에서 펄스를 인가하여 duty ratio를 30-100%까지 변화시켰다. 작은 duty ratio 범위 (30-70%)에서 duty ratio가 감소할 때, 이온에너지와 이온에너지의 비가 감소하였다. 이 때 감소되는 굴절률은 저이온에너지 변수와 강한 연관성을 지니고 있었다. 굴절률은 1.65-2.46 사이에서 변화하였다.

  • PDF

Effect of duty ratio on refractive index silicon nitride films deposited by using a pulsed $SiH_4-N_2$ plasma (Pulsed $SiH_4-N_2$ 플라즈마를 이용하여 증착한 SiN 박막 굴절률에의 Duty ratio의 영향)

  • Kwon, Min-Ji;Kim, Byung-Whan
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
    • /
    • 2009.06a
    • /
    • pp.241-242
    • /
    • 2009
  • 펄스-플라즈마를 이용하여 상온에서 실리콘나이트라이드 박막을 제조하였다. 증착 중에 이온에너지 분석기를 이용하여 이온에너지와 이온에너지, flux를 측정하였다. Duty ratio는 30~90%까지 변화시키면서, 이온에너지와 굴절률의 관계를 연구하였다. Duty ratio의 감소에 따라 이온에너지는 증가하였다. 낮은 Duty ratio의 범위에서 이온에너지 flux의 변화가 현저하였다. 굴절율은 Duty ratio의 변화에 따라 복잡하게 변화하였지만 $N_h$과의 강한 상관성을 보였다. 전체 Duty ratio의 변화에 대해 굴절률은 1.819에서 1.846으로 미미하게 변화하였다.

  • PDF

Solar flare 발생시 GOES 위성의 X-ray flux자료를 이용한 이온권 변화

  • Kim, Jeong-Heon;Kim, Yong-Ha;Yun, Jong-Yeon;O, Seung-Jun
    • The Bulletin of The Korean Astronomical Society
    • /
    • v.37 no.2
    • /
    • pp.126.2-126.2
    • /
    • 2012
  • 최근 태양 극대기를 맞아 우주기상의 변화에 대처하기 위한 연구가 많이 진행되고 있다. 본 연구에서도 저 중위도 이온권 모델인 SAMI2와 SAMI3를 이용하여 solar flare 발생에 따른 이온권의 변화를 지켜보고자 하였다. 하지만 SAMI 모델에서는 F74113 Solar EUV reference spectrum을 이용하여 EUV flux에 의한 이온화만 고려되었을 뿐, X-ray flux에 의한 이온화는 고려되지 않았다. 태양 극대기동안 solar flare가 발생하였을 때, solar X-ray가 전리층에 미치는 영향이 매우 중요한만큼 solar X-ray에 의한 이온권의 변화를 적용시킬 필요가 있었다. 따라서 우리는 보다 정확한 solar flare 발생에 따른 이온권의 변화를 보기 위해 $1{\AA}{\sim}8{\AA}$범위의 X-ray관측자료를 제공하는 GOES 위성의 데이터를 직접 이용하고, 해당하는 파장의 cross section을 추가하여 SAMI 모델에 적용시켰다. solar flare 효과를 선택적으로 활용하는 개정된 SAMI 모델을 통해 각 flare 등급과 지속시간에 따른 이온권의 변화를 모델로써 확인하였다.

  • PDF

Modeling for Temperature Dependent Effective ionization Coefficient of Si $p^+n$ Junction Diodes (Si $p^+n$ 접합 다이오드의 온도를 고려한 유효 이온화 계수 모델링)

  • Chung Yong Sung
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
    • /
    • v.41 no.1
    • /
    • pp.9-14
    • /
    • 2004
  • In this paper, temperature dependence of effective ionization coefficient in Si is formulated as a single polynomial function of temperature, which allows analytical expressions for breakdown voltage of Si $p^+n$ junction as a function of temperature. The analytical breakdown voltages agree well with the simulation as well as the experimental ones reported within $3\%$ in error for the doping concentrations in the range of $10^{14}cm^{-3}{\~} 10^{17}cm^{-3}$ at 100K, 300K and 500K.

Analytical Breakdown Voltage for 4H-SiC ${p^+}$ Junction (4H-SiC ${p^+}$접합의 해석적 항복 전압)

  • Jeong, Yong-Seong
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
    • /
    • v.39 no.1
    • /
    • pp.12-17
    • /
    • 2002
  • In this paper, an effective ionization coefficient for 4H-SiC is extracted in the form of c .E$^{m}$ from ionization coefficients of electron and hole. Analytical expressions for critical electric field and breakdown voltage of 4H-SiC p$^{+}$n junction are derived by employing the effective ionization coefficient. The analytic results agree well with the experimental ones reported within 10% in error for the doping concentration in the range of 10$^{15}$ cm$^{-3}$ ~10$^{18}$ cm$^{-3}$ . .

Crystal Growth of rutiles doped with Impurity Ions by Floating Zone Method (부유대용융법에 의한 불순이온 주입된 $TiO_2$단결정 성장 연구)

  • 이성영;유영문;김병호
    • Proceedings of the Korea Crystallographic Association Conference
    • /
    • 1999.04a
    • /
    • pp.1-1
    • /
    • 1999
  • 부유대용융법에 의하여 불순이온의 종류와 각 이온의 주입 농도를 달리하는 Rutile 단결정을 성장하였다. 성장된 결정으로부터 제조한 박편시료를 이용하여 결정결함과 광투과도에 미치는 각 불순이온의 영향을 조사하였다. 결정성장용 주원료로 99.99%의 TiO2를 사용하고, 불순이온 주입을 위한 원료로서 99.99%의 Al2O3, H3BO3, Ga2O3, Sc2O3, V2O5, Fe2O3, ZrO2, Er2O3, Cr2O3를 각각 사용하였다. 불순이온의 종류에 따르는 영향을 조사하기 위하여 TiO2 99.8 atomic%-불순이온 0.2atomic%의 조성이 되도록 각 이온별로 원료를 정밀하게 평량하고 균일 혼합하였다. 불순 이온의 첨가량에 따르는 영향을 조사하기 위하여 Al2O3는 각각 pure, 0.2, 0.4, 0.6 atomic%를, Cr2O3는 pure, 0.003, 0.05, 0.2 atomic%를 각각 치환하여 원료를 조합하였다. 균일 혼합된 원료를 직경 8mm의 고무 튜브에 넣고 CIP(Cold Isostatic Press0에서 2000kg/$\textrm{cm}^2$의 압력으로 성형한 후 150$0^{\circ}C$에서 1시간 소결함으로서 결정성장용 다결정 원료를 합성하였다. 합성된 다결정을 double ellipsoidal mirror 내에 설치하고,halogen lamp로 가열하여 원료의 한쪽 끝을 용융한 다음, 20rpm의 회전속도, 3-5mm/hr의 성장속도로 하는 유속 1$\ell$/min의 O2 분위기속에서 부유대용융법에 의하여 결정을 성장하였다. 성장된 결정을 성장축에 수직한 방향으로 각각 절단, 연삭, 연마한 박편을 이용하여 편광하에서 low-angle grain boundaries 및 기타의 결정결함을 관찰하였으며, 0.3$\mu\textrm{m}$~0.8$\mu\textrm{m}$ 범위 및 0.6$\mu\textrm{m}$~3.4$\mu\textrm{m}$ 범위에서의 투과 및 흡수 스펙트럼을 측정하였다. 결정 성장 결과 B3+, Er3+, Cr3+ 이온은 Ti4+ 이온과 이온의 크기 차이가 심하여 결정의 정상적인 성장을 방해하는 물성을 나타냈고, V5+, Cr3+ 이온은 흑색의 결정, Fe3+ 이온은 적갈색의 결정으로 성장되었다. Al3+, Zr4+, Al3+의 순서로 투과도가 높아지는 것이 관찰되었다. 불순이온의 농도에 따른 영향으로서 Al3+ 이온의 경우 주입농도가 높아질수록 low angle boundary와 oxygen deficiency가 감소하였고, 투과율은 조금 감소하거나 큰 차이가 없는 것으로 나타났다. 반면에 Cr3+ 이온을 주입한 경우 0.003 atomic%에서 최적의 물성을 보였으며, 주입농도가 높아질수록 결정성장이 어려워지고 광의 투과도가 급격히 저하되었다.

  • PDF

SiN film deposition using by a Pulsed-PECVD at room-temperature : Effect of Duty ratio on Ion energy and Refractive index (Pulsed-PECVD를 이용한 SiN 박막의 $SiH_4-NH_3$에서의 상온 증착: Duty rntio의 이온에너지와 굴절률에의 영향)

  • Kim, Su-Yeon;Kim, Byung-Whan
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
    • /
    • 2009.06a
    • /
    • pp.221-222
    • /
    • 2009
  • SiN 박막을 Pulsed-PECVD를 이용하여 증착하였다. 박막특성으로는 굴절률, 플라즈마의 특성으로는 이온 에너지 분포를 duty ratio의 함수로 분석하였다. 50-100%의 범위에서 duty ratio의 감소에 따라 고 이온 에너지는 크게 증가하였으며, 반대로 저 이온 에너지는 감소되었다. 굴절률은 duty ratio의 감소에 따라 증가되었으며, 모든 duty ratio의 변화에서 1.75-1.81 사이에서 변화하였다. 40-90%의 duty ratio에서 저 이온 에너지 플럭스보다 고 이온 에너지 플럭스가 높았다. 한편, 굴절률의 변화는 $N_h$의 변화에 가장 밀접하게 연관되어 있음을 확인할 수 있었다.

  • PDF

A Study on the Phase Formation and Sequence in Co/Si System during Ion Beam Mixing (Ion Beam Mixing에 의한 Co/Si 계의 상 형성 및 전이에 관한 연구)

  • 최정동;곽준섭;백홍구;황정남
    • Journal of the Korean Vacuum Society
    • /
    • v.4 no.1
    • /
    • pp.26-31
    • /
    • 1995
  • 본 연구에서는 Co/Si 계에 대한 이온선 혼합실험을 온도와 이온선량을 변수로 하여 실시하였고, Co/Si 계에 대한 상형성 과정을 금속/Si 계에 대한 이온선 혼합시의 비정질상 및 결정상 형성예측 모델(ADF Model)과 초기 결정상 예측 모델(PDF Model)을 이용하여 해석하였다. 이온선 혼합은 80KeV 가속기를 이용하여 상온$-400^{\circ}C$의 온도 범위에서 1.0X1015Ar+/$\extrm{cm}^2$-2.0X1016Ar+/$\textrm{cm}^2$의 이온선량을 변화시키면서 실험하였으며 상분석은 투과전자현미경(TEM)과 X선 회절 분석을 이용하였다. Co/Si 계에서 이온선 혼합시 형성되는 초기 결정상은 Co2Si이며 이온선량의 증가에 따라 CoSi로 상전이하였다. 이러한 실험 결과는 비정질상 및 결정상 형성 예측 모델(ADF model)과 초기 결정상 예측모델(PDF model)의 예측결과와 매우 잘 일치하고 있다. 이상의 연구 결과로부터 ADF 모델과 PDF모델을 이용하여 박막에서 형성되는 상을 보다 정확히 예측할 수 있음을 알 수 있었다.

  • PDF