• 제목/요약/키워드: 이성질화

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N-Butene으로부터 i-Butylene 합성을 위한 Pt/MoO3/SiO2 촉매의 표면 구조 변화 (Morphological change of Pt/MoO3/SiO2 for the Synthesis of i-Butylene from n-Butene)

  • 김진걸
    • 공업화학
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    • 제7권5호
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    • pp.861-868
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    • 1996
  • n-butene의 i-butene으로의 골격 이성질화 반응은 발열반응으로서 열역학적으로 저온($100^{\circ}C{\sim}150^{\circ}C$)에서 최고수율을 나타내며 반응 mechanism은 carbonium ion의 형성과 methyl기의 골격치환에 따른 2step으로 규정된다. 산처리되어 강산점을 가지는 zeolite, alumina와 비교하여, $Pt/MoO_3/SiO_2$ 촉매 사용시 $110^{\circ}C$ 등온 환원반응 실험으로 설명되는 Proton의 증가된 표면 이동 속도는 골격 이성질화 반응시 carbonium ion의 형성을 빠르게 촉진시킬 수 있으며, 이에 따라 $110^{\circ}C$에서 1-butene의 수율은 최대치로 나타나며 부산물은 생성되지 않는다. $110^{\circ}C$에서의 등온 환원반응에서 $Pt/MoO_3/SiO_2$$Pt/MoO_3/Al_2O_3$보다 높은 proton spillover 속도를 보이지만 약 90분 경과한 $MoO_3$ 표면의 proton 포화상태에서는 i-butene의 반응수율이 같고, $MoO_3$가 없는 zeolite, $Pt/SiO_2$보다 높은 전환율을 보이므로 proton spillover에 의한 carbonium ion의 생성이 반응속도를 조절하는 것으로 나타난다. $Pt/MoO_3/SiO_2$에서 산점의 증가, Pt 및 $MoO_3$ 함량의 증감은 i-butene 수율에 영향을 미치지 않으며, 이는 proton spillover에 의한 Pt 표면위의 carbonium ion의 형성이 속도 결정 단계이기 때문인 것으로 사료된다.

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식물성 오일 기반 바이오항공유 제조공정에서 수소첨가 업그레이딩을 위한 운전조건에 따른 탄화수소화합물의 특성 (Reaction characteristics of hydrocarbon fuels under various operation conditions of hydro-upgrading process for vegetable oil-based bio-jet fuel production)

  • 곽연수;장정희;김성탁;안민회;이은실;한기보;정병훈;한정식;전철환
    • 한국응용과학기술학회지
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    • 제35권3호
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    • pp.731-743
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    • 2018
  • 바이오항공유 제조 공정 내 수첨업그레이딩 공정의 운전조건 선정은 반응물로부터 얻고자 하는 주생성물인 탄화수소 화합물에 대하여 바이오항공유로서 원하는 탄소수 분포의 물성을 갖도록 하기위한 중요한 인자이다. 본 연구에서는 식물성 오일 유래 노말 파라핀계 탄화수소 화합물에 대한 수첨 업그레이딩 반응이 0.5 wt.% Pt/Zeolite 촉매 하에서 수행되었으며, 이를 통해 크래킹 반응과 이성질화 반응이 동반됨으로써 바이오항공유로서 물성을 갖는 탄소수 분포인 $C_8-C_{16}$에 해당하는 노말 파라핀계와 이소 파라핀계가 혼합된 탄화수소류 화합물이 제조되었다. 반응온도, 반응압력, 반응물 몰비와 공간속도를 변화하여 얻어진 생성물의 수율 및 조성을 분석하였다. 상기 공정 조건에 대한 정보는 수첨 업그레이딩 반응특성의 이해뿐 아니라 향후 증류를 통한 바이오항공유 제조에 도움을 줄 수 있다.

가열처리 및 저장조건에 따른 당근과 시금치퓨레의 Carotenoids 함량변화와 이성질화 형성에 관한 연구 (Changes in Carotenoids Contents in Pureed and Cooked Carrot and Spinach during Storage)

  • 김혜영;임양이
    • 한국식품조리과학회지
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    • 제19권1호
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    • pp.83-95
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    • 2003
  • Investigations were conducted on the changes in carotenoids content, and quantification of cis-trans-${\beta}$-carotene Isomers in pureed and cooked carrot and spinach during storage. The isomerization and degradation of carotenoids were monitored by high-performance liquid chromatography on a C$\_$30/ reversed-phase column with diode-array detection. The results showed that lutein, ail-trans-${\beta}$-carotene, ${\alpha}$-carotene, 9-cis-${\beta}$-carotene and 13-cis-${\beta}$-carotene were present in carrot and spinach. Zeaxanthin and cryptoxanthin were present in raw spinach. The contents of lutein, zeaxanthin, cryptoxanthin, ${\alpha}$-carotene and all-trans-${\beta}$-carotene in pureed and cooked carrot and spinach decreased with increasing storage period. The 9-cis and 13-cis carotenoid isomers were the major types formed in cooked carrot during storage. Cooking was not found to alter the carotenoid profile of the sample, but increased the total amount of carotenoids compared with pured ones. This increase could be explained that cooking itself increased the extraction efficiency and inactivated the enzymes degradating carotenoids.

사염화탄소와 트리페닐포스핀을 사용한 스테로이드 링 A 옥심의 벡크만 자리옮김반응 (Beckmann Rearrangement of Ring A Steroidal Oxime Using the Carbon tetrachloride-triphenylphosphine)

  • 김정균;최순규;박원우;이용태
    • 대한화학회지
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    • 제23권1호
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    • pp.42-45
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    • 1979
  • 벡크만 자리옮김반응의 실험조건은 대부분이 센산 (HCl, $H_2SO_4$, $PCl_5$등)이나, 고온과 같은 격렬한 반응조건을 사용하므로 이러한 조건은 자주 전위보다는 케토옥심의 이성질화를 일으킨다. $5{\alpha}$-cholestan-3-one oxime의 벡크만 전위에 온화하고 중성의 조건인 사염화탄소와 트리페닐포스핀을 사용하여 3-aza-A-homo-5${\alpha}$-cholestan-4-one을 얻었다. 이러한 새롭고, 온화하며 쉽고 빠른 베그만 전위를 소개하고 이러한 방법을 고전적인 벡크만 전위 시약인 폴리인산을 사용한 방법과 비교하였다.

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GaN계 질화합물 반도체의 습식식각 연구 (Studies on chemical wet etching of GaN)

  • 윤관기;이성대;이일형;최용석;유순재;이진구
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 1998년도 하계종합학술대회논문집
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    • pp.398-400
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    • 1998
  • In this paper, the etching studies for n-GaN were carried out using the wet chemical, the photo-enhanced-chemical, and the electro-chemical etching methods. The experimental results show that n-GaN is etched in diluted NaOH solution at room temperture and the etched thickness of NaOH and electron concentrations. Te etching rate of n-GaN samples with n.simeq.1*10$^{19}$ cm$^{-3}$ were used to compare the photo-enhanced-chemical etching with the electrochemical etching methods. The removed thickness was 680.angs./25min by the electrochemical etching methods. The removed thickness was 680 .angs./25min by the electrochemical etching method ad 784.angs./25min by the photoenhanced-chemical etching method. The patterns are 100.mu.m*100.mu.m rectangulars covered with SiO$_{2}$film. It is shown that the profile of etched side-wall of the pattern is vertical without dependance of the n-GaN orientations.

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기판과 성장조건에 따른 질화탄소막의 결정성장 특성 (Crystalline Properties of Carbon Nitride films According to Substrates and Growth Conditions)

  • 이지공;이성필
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제16권12호
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    • pp.1103-1109
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    • 2003
  • Crystalline carbon nitride films have been deposited by RF reactive magnetron sputtering system with negative DC bias. The carbon nitride films deposited on various substrates showed ${\alpha}$- C$_3$N$_4$,${\beta}$-C$_3$N$_4$ and lonsdaleite structures through XRD and FTIR We can find the grain growth of hexagonal structure from SEMI photographs, which is coincident with the theoretical carbon nitride unit cell. When nitrogen gas ratio is 70 % and RF power is 200 W, the growth rate of carbon nitride film on quartz substrate is about 2.1 $\mu\textrm{m}$/hr.

질화탄소막의 물리적 특성과 센서재료 응용에 관한 연구 (A Study on Physical Properties of Carbon Nitride Films and Application for Sensor Materials)

  • 김성엽;이지공;장중원;이성필
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제20권5호
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    • pp.436-442
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    • 2007
  • Physical properties and impedance-humidity characteristics of carbon nitride films were investigated for micro-humidity-sensors. Carbon nitride films were deposited in low temperature and low power for application of semiconductor fabrication process, and empirical equation was proposed for thickness evaluation. Deposited films had an uniform and compact surface comparing with previously reported results, which was expected a good candidate for humidity sensing materials. Carbon nitride humidity sensors based on Si substrate revealed good humidity-impedance characteristics with a wide range of relative humidity and showed low hysteresis.

결정성 질화탄소막의 습도 감지특성에 관한 연구 (A Study on the Humidity Sensing Properties of Crystalline Carbon Nitride Films)

  • 이지공;하세근;김정훈;이성필
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제17권5호
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    • pp.521-525
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    • 2004
  • Crystalline carbon nitride films were attempted for an application of humidity sensors. The films were deposited on $Al_2$O$_3$substrate having intermigrated electrodes by reactive rf magnetron sputtering system. The film revealed a good humidity-resistance characteristics as well as humidity-capacitance ones in the humidity range of 10∼95 RH(%). Temperature dependence was also investigated. These results suggest that the carbon nitride film has a possibility for new humidity-sensitive material.

PVD 법을 이용한 칼라코팅 기술 (Color Coating Technology by Using PVD Processes)

  • 이건환;이성훈;박상언;이종하
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.104-104
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    • 2009
  • 최근 국내외 휴대용 IT 관련 산업에서는 제품의 소형화에 경량화에 따른 기술 개발과 더불어 다양한 색상의 구현을 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 휴대용 전자 부품에 있어서 PVD 코팅은 고경도 박막을 금속 판재 및 플라스틱 기판 상에 증착하여 표면경도를 증대시켜 내구성 향상에 활용되고 있으며, 질화물 계열을 통하여 Yellow, Blue, Black, Red계 등의 색상 구현이 가능하여 현재 가장 큰 구매력의 원천으로 평가되고 있는 제품 디자인 분야에 응용이 되고 있다. 본 연구에서는 아크이온 플레이팅법과 스퍼터링법을 이용하여 고경질, 고내식 표면층 형성방법 및 다양한 칼라를 구현하는 방법에대한 연구를 수행하였다.

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반응성 스퍼터링으로 성장된 결정성 질화탄소막의 기계적 특성 (Mechanical Characteristics of Crystalline Carbon Nitride Films Grown by Reactive Sputtering)

  • 이성필;강종봉
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제15권2호
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    • pp.147-152
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    • 2002
  • Carbon nitride thin films were deposited by reactive sputtering for the hard coating materials on Si wafer and tool steels. When the nitrogen content of carbon nitride film on tool steel is 33.4%, the mean hardness and elastic modulus are 49.34 GPa and 307.2 GPa respectively. The nitrided or carburised surface acts as the diffusion barrier which shows better adhesion of carbon nitride thin film on the steel surface. To prevent nitrogen diffusion from the film, steel substrate can be saturated by nitrogen forming a Fe$_3$N layer. The desirable structure at the surface after carburising is martensite, but sometimes, due to high carbon content an proeutectoid Fe$_3$C structure may form at the grain boundaries, leaving the overall surface brittle and may cause defects.