• Journal of the Korean Society of Safety
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• v.23 no.6
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• pp.70-75
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• 2008

The values of the AIT(Autoignition temperature) for fire and explosion protection are normally the lowest reported. The minimum autoignition temperature behavior(MAITB) of flammable liquid mixtures is exhibited when the AIT of mixture is below the AIT of the individual components. The MAITB is an interesting experimental features, which can be significant from the perspective of industrial safety. In this study, the AITs of m-xylene+n-butyric acid and ethylbenzene+n-butanol systems were measured using ASTM E659-78 apparatus. The AITs of m-xylene, n-butyric acid, ethylbenzene and n-butanol which constituted two binary systems were $587^{\circ}C$, $510^{\circ}C$, $475^{\circ}C$ and $340^{\circ}C$ respectively. The m-xylene+n-butyric acid system is exhibited MAITB at 0.3 mole fraction of m-xylene, and its minimum autoignition temperature was $460^{\circ}C$.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2011.10a
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• pp.15.2-15.2
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• 2011

비휘발성 저항 메모리소자인 resistance random access memory (ReRAM)는 간단한 소자구조와 빠른 동작특성을 나타내며 고집적화에 유리하기 때문에 차세대 메모리소자로써 각광받고 있다. 현재, 이성분계 산화물, 페로브스카이트 산화물, 고체 전해질 물질, 유기재료 등을 응용한 저항 메모리소자에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그 중 ZnO를 기반으로 하는 amorphous InGaZnO (a-IGZO) 박막은 active layer 로써 박막트랜지스터 적용 시 우수한 전기적 특성을 나타내며, 빠른 동작특성과 높은 저항 변화율을 보이기 때문에 ReRAM 에 응용 가능한 재료로써 기대되고 있다. 또한 가시광선 영역에서 광학적으로 투명한 특성을 보이기 때문에 투명소자로서도 응용이 기대되고 있다. 본 연구에서는 indium tin oxide (ITO) 투명 전극을 적용한 ITO/a-IGZO/ITO 구조의 투명 소자를 제작하여 저항 메모리 특성을 평가하였다. Radio frequency (RF) sputter를 이용하여 IGZO 박막을 합성하고, ITO 전극을 증착하여 투명 저항 메모리소자를 구현하였고, resistive switching 효과를 관찰하였다. 또한, 열처리를 통해 a-IGZO 박막 내의 Oxygen vacancy와 같은 결함의 정도에 따른 on/off 저항의 변화를 관찰할 수 있었다. 제작된 저항 메모리소자는 unipolar resistive switching 특성을 보였으며, 높은 on/off 저항의 차이를 유지하였다. Scanning electron microscope (SEM)을 통해 합성된 박막의 형태를 평가하였고, X-ray diffraction (XRD) 및 transmission electron microscopy (TEM)을 통해 결정성을 평가하였다. 제작된 소자의 전기적 특성은 HP-4145 를 이용하여 측정하고 비교 분석하였다.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.58 no.6
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• pp.528-534
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• 2014

In some binary solution, closed miscibility loop of temperature-composition phase diagram occurs where both an upper critical solution temperature and a lower critical solution temperature exist. It is known that this phenomena occurs if specific interaction between molecules exists. There are several ways describing the specific interaction. In this work it is assumed that the total number of specific interactions is distributed according to binomial distribution. In this case, exact mathematical conditions for closed miscibility loop phase behavior are derived when the specific interaction is applied to regular solution theory, quasichemical theory and Flory-Huggins lattice theory. And we investigated the effect of parameters on the phase diagram. The phase diagram of water-nicotine is calculated and compared with experimental data.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2012.05a
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• pp.78.1-78.1
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• 2012

비 휘발성 저항 메모리소자인 resistance random access memory (ReRAM)는 빠른 동작특성과 저 전압 특성을 나타내고 비교적 간단한 소자구조로 고집적화에 유리하여 기존의 DRAM과 flash 메모리, SRAM 등이 갖고 있는 한계를 극복할 수 있는 차세대 메모리소자로써 각광받고 있다. 현재, 이성분계 산화물, 페로브스카이트 산화물, 고체 전해질 물질, 유기재료 등을 응용한 저항 메모리소자에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그 중 ZnO 를 기반으로 하는 amorphous InGaZnO (a-IGZO) 박막은 저온에서 대면적 증착이 가능하며 다른 비정질 재료에 비해 높은 전하 이동도를 갖기 때문에 박막트랜지스터 적용 시 우수한 전기적 특성을 나타낸다. 또한 빠른 동작특성과 높은 저항 변화율을 보이기 때문에 ReRAM에 응용 가능한 재료로써 기대되고 있다. 본 연구에서는 MOM(metal/oxide/metal) 구조를 기반한 TiN/a-IGZO/ITO 구조의 소자를 제작하여 저항 메모리 특성을 평가하였다. IGZO 박막은 radio frequency (RF) sputter 를 이용하여 ITO/glass 기판 위에 증착하였다. MOM 구조를 위한 상부 TiN 전극은 e-beam evaporation 을 이용하여 증착하였다. 제작된 저항 메모리소자는 안정적인 unipolar resistive switching 특성을 나타내었으며, TiN 상부전극과 IGZO 계면 간의 Transmission Electron Microscopy (TEM) 분석을 통해 전압 인가 후 전극 금속 물질의 박막 내 삽입으로 인한 금속 필라멘트의 형성을 관찰 할 수 있었다. 합성된 박막의 형태와 결정성은 Scanning electron microscope (SEM)와 X-ray Diffraction (XRD)을 통해 평가 하였으며, 제작된 소자의 전기적 특성은 HP-4145 를 이용하여 측정하고 비교 분석하였다.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.5 no.4
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• pp.706-713
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• 1994

Isothermal vapor-Liquid equilibrium data have been measured for binary systems MTBE-methanol, MTBE-n-heptane, and methanol-n-heptane at $45^{\circ}C$ and $65^{\circ}C$ by using head space gas chromato-graphy (H.S.G.C). Among these systems a minimum azeotrope was observed in both of MTBE-methanol system and n-heptane-methanol system. Particularly n-heptane-methanol system has a heterogeneous minimum azotrope since it has an immisible region. These equilibrium data were correlated with the excess Gibbs energy model, and the thermodynamic consistency test was also carried out by using Redlich-Kister equation.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.37 no.12
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• pp.1204-1211
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• 2000

Mn-Zn 페라이트 소결체와 SiO$_2$-PbO-ZnO 삼성분계 유리와의 계면반응에서 페라이트와 유리에 각각 첨가된 ZnO가 계면반응에 미치는 영향을 조사하였다. SiO$_2$-PbO-ZnO 삼성분계 유리에 첨가된 ZnO 함량이 낮은 경우 페라이트와의 접합계면에서 생성되는 중간상은 Pb$_2$(Mn,Fe)$_2$Si$_2$O$_{9}$와 Pb$_{8}$(Mn,Fe)Si$_{6}$O$_{21}$의 고용체였으며, ZnO 농도가 증가함에 따라 중간상은 사라졌다. 유리속의 ZnO 성분이 증가함에 따라 페라이트 소결체 쪽의 계면부근에 Zn의 농도가 증가하는 특이한 분포가 나타났다. 이는 유리 속에 첨가된 Zn 이온의 높은 활동도로 인해 페라이트에 포함된 Zn 이온의 용해반응이 선택적으로 억제되어 나타난 것으로 생각된다. 페라이트에 첨가된 ZnO 함량이 낮은 경우 SiO$_2$-PbO 이성분계 유리와의 접합계면에서 페라이트의 용해에 따른 침식과 입계를 통한 유리의 침투가 심하게 일어났으며, ZnO 함량이 증가함에 따라 계면을 통한 상호확산과 반응이 억제되었다.

• Proceedings of the Korea Concrete Institute Conference
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• 2008.04a
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• pp.517-520
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• 2008

In this study, corrosion resistance of steel in cracked-reinforced concrete was performed according to experimental method. Mixed design is OPC, 30% PFA, 60% GGBS and 10% SF, respectively. Moreover, corrosion resistance test was measured using ultra testing machine for 0.3mm crack induction. The corrosion resistance of blended concrete shows the results following OPC > 10%SF > 30% PFA > 60% GGBS after 60days curing. In case of mass loss test, embedded reinforcement in OPC concrete surveyed the minimum corrosion and appeared better corrosion resistance than blended concrete. As a result, corrosion resistance of sound concrete is higher than cracked concrete. Moreover, corrosion resistance of binary concrete is lower than OPC.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.32 no.3
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• pp.249-259
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• 1988

The solvent effects of MeOH-solvent dimers were studied via AM1 Hamiltonian and supermolecule methods. Methanol, ethanol, acetone, dimethylsulfoxide, N,N-dimethylformamide, tetrahydrofuran, dioxane, and acetonitrile were considered as solvent molecules. Optimized geometries, electron densities, molecular energies, and hydrogen-bonding energies of monomers and dimers were calculated. We found that the stabilization energies contributed to the hydrogen-bonding were decreased in the order of dimethylsulfoxide > ethanol > N,N-dimethylformamide > acetone > methanol > tatrahydrofuran > dioxane > acetonitrile, and this order was explained by using the change of electron density and energy partition functions.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.103-103
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• 2010

최근 산화물 반도체 기반의 박막 트랜지스터에 대한 연구가 활발히 진행되고 있으며 이는 공간 점유와 시각적 제약을 해소하려는 시장의 요구에 의해 주도되고 있다. 특히, 2004년 Hosono 그룹에서 비정질 InGaZnO (IGZO) 박막을 이용한 TFT소자 제작을 발표하고 우수한 특성을 확인한 후 산화물 TFT 소자기술에 대한 전 세계적인 연구개발의 계기가 마련되었다. 그러나 다성분계 화합물로 이루어진 산화물 반도체의 경우 복잡한 성분 조합과 조절이 어렵고, 장비의 제약으로 인해 상업화에 어려움을 겪고 있다. 따라서 이성분계 물질인 산화아연의 경우 아직까지 상업화 이점이 남아있으며, 우수한 전기적 성질과 광학적 장점이 있기에 그 가능성은 더욱 커지고 있다. 그럼에도 불구하고 산화아연계 박막 트랜지스터의 경우 바이어스에 의해 동작전압이 이동하는 DC신뢰성의 문제점이 남아 있고, 이를 해결하기 위해 안정적인 절연막 또는 보호막을 도입하려는 연구가 많이 시도되고 있다. 본 연구에서는 산화아연기반의 박막 트랜지스터에 Hf이온을 도핑하여 DC 신뢰성을 향상시키는 연구를 진행하였다. Bottom gate 형식의 HfZnO TFT를 제작하였고 전이 특성을 살펴본 결과 Hf의 함량이 늘어날수록 이동도는 감소하는 경향이 나타났다. 또한 Hf의 미량 도핑에도 불구하고 산소결핍에 의한 결함 생성을 억제하여 DC신뢰성이 상당히 향상되었으며, 이는 특히 산화물 반도체와 절연막 사이의 결함을 억제하여 생긴 결과로 생각된다.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.24 no.6
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• pp.444-451
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• 1980

In order to further elucidate the process of electron solvation in liquids, the medium effect, as the difference between the free energy of $H^+$ in aqueous and non-aqueous states (${\Delta}{\Delta}G_0$), of THF-water mixtures has been investigated. (${\Delta}{\Delta}G_0$) were determined by electromotive force masurements of the cell Pt$H_2Q$, Q, HCI, THF, $H_2O$|KC1 | $Hg_2Cl_2$|Hg(Pt), where $H_2Q$ and Q are hydroquinone and quinone respectively. The effect of dielectric constant on the difference of free energy and the absorption energy of solvated electrons have been studied. For the consideration of these effect the polymerization of water in THF has been studied. Near infrared spectrum of O-H stetching energy has been used to measure the extent of water aggregates. The expermental results indicate that at least in some composition of binary mixtures the electrons or other ions are solvated preferentially with one component of solvents.