• The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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• v.58 no.11
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• pp.2185-2191
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• 2009

Wind power and photovoltaic(PV) generation systems are the fastest growing sources of renewable energy. The nonlinear devices, such as power electronic converter or inverter, of wind power and PV generation systems are the source of harmonics in power systems. The harmonic-related problems can have significant detrimental effects in the power system, such as capacitor heating, data communication interference, rotating equipment heating, transformer heating, relay misoperation and switchgear failure. There is a greater need for harmonic analysis that can properly maintain the power quality. By measuring harmonics of existing wind power and PV generation systems as harmonics modeling, the studies were made to see the harmonic impact of grid-connected wind power and PV generation systems.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.61.1-61.1
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• 2013

최근 지구온난화 및 원유 공급 감소 또는 고갈로 에너지 효율성 높고 저탄소 녹색성장을 주도할 수 있는 철도산업에 대한 관심이 고조되고 있다. 초고속 자기부상철도는 에너지 효율이 높은 경제적인 교통수단으로써, 단위 수송당(인-km) 온실가스 배출량이 자동차의 38%, 항공기의 17%에 불과하고, 같은 궤도운송시스템인 고속철도에 비해서도 77%에 불과하고 단위수송당 에너지 소비율이 항공기의 80% 수준에 불과하므로, 화석에너지의 고갈이 예상되는 미래에 장거리 고속 이동 수단으로써 중요성이 확대되고 있다. 또한, 비접촉 추진 방식이므로 바퀴 접촉식 고속철도에 비해서 유지보수 비용이 저렴하고(34%에 불과) 고속철도에 비해 10dB 이상 소음 발생이 적은 수명주기 비용 및 환경측면에서 기존 철도시스템에 비해서 경쟁력이 있으므로 시급한 개발과 활용이 요구되고 있다. 본 연구에서는 초고속 자기부상철도 연구와 관련된 국내외 연구동향과 함께, 국가연구개발사업으로 추진중인 초고속 자기부상철도 핵심기술개발사업에 대해 살펴보았다. 또한, 미래기술로 각광을 받고 있는 튜브트레인 기술에 대해서도 알아보았다.

• 한국벤처창업학회:학술대회논문집
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• 2023.11a
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• pp.43-47
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• 2023

인간은 만물의 영장류이다. 그러나 피할 수 없이, 부모의 불완전성과 사회적·환경적 이유들로 인해 아이는 의존적 욕구와 본능적 욕구의 좌절을 겪을 수밖에 없다. 이 두려움으로부터 자신을 보호하고, 부분적으로라도 욕구의 충족을 얻을 방법을 습득한다. 이 방법이 방어기제이며, 이것이 개인의 성격 특성으로 나타난다. 특히 사회적·도덕적으로 용납되지 못하는 성적 충동, 공격적 욕구, 미움, 원한 등은 하나의 위험으로 인식되고 불안을 일으킨다. 1번 유형 개혁가, 이들은 높은 이상을 실현하기 위해서 끊임없이 노력하는 활동가이다. 이들의 교류방식은 자신의 견해가 옳다고 여기기 때문에 이런 신념이 강할수록 상대방을 가르치고, 고쳐주려고 한다. 2번 유형 조력가는 쉽게 다른 사람과 친해지는 장점이 있다. 3번 유형 성격 성취가는 사회 속에서 성공을 바란다. 4번 유형 성격 예술가, 깊은 직관력으로 창조적인 영감과 기쁨을 찾는다. 5번 유형 관찰가, 이들의 본질은 깨달음이다. 6번 유형 충성가, 이들의 본질은 두려움과 의심을 극복함으로써 드러난다. 7번 유형 열정가, 침체된 분위기를 고조시키는 재능을 가지고 있다. 8번 유형 도전가, 돌려서 이야기하는 사람을 좋아하지 않는다. 9번 유형 중재자. 다른 사람과 갈등이 있으면 다른 사람의 입장을 먼저 생각한다.

• The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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• v.10 no.1
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• pp.13-20
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• 2015

Existing LDMOS power amplifier that used class-AB and doherty system shows 55% of efficiency in 60MHz narrow band. Because RRH has been applied to power amplifier at base station. It is required that over 100MHz expanded band and more than 60% high efficiency power amplifier. In this paper we designed class-J power amplifier using LDMOS FET which has over 60% high efficiency characteristic in 200MHz. The output matching circuit of designed class-J power amplifier has been optimized to contain pure reactance at second harmonic load and has low quality factor Q. As a measurement result of the amplifier, when we input continuous wave signal, we checked 62~70% of power added efficiency(PAE) in 2.06~2.2GHz including WCDMA frequency as a 10W class-J power amplifier.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.21 no.2
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• pp.121-128
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• 2010

This paper presents a design of a 100 W high-efficiency power amplifier, whose operational frequency band expands from 30 to 512 MHz, using negative feedback network, push-pull structure, broadband RF choke, and transmission line transformer for balun configuration. The push-pull amplifier has been tuned for higher output power using a shunt capacitor as a matching component at its load especially for high-frequency region. The implemented power amplifier exhibited a very flat power gain of $18.34{\pm}0.9\;dB$ throughout the operating frequency band and very high power-added efficiency(PAE) of greater than 40% at an output power of 100 W. It also showed second- and third-harmonic distortion levels of below -34 dBc and -12 dBc, respectively, through the entire operating frequency band.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.26 no.3
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• pp.276-282
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• 2015

Until recently, power amplifiers using LDMOS were Class-AB and Doherty type, and showed 55 % efficiency for narrowband of 60 MHz bandwidth. However, owing to the RRH application of base stations power amplifier module, a bandwidth expansion of at least 100 MHz and high efficiency power amplifiers of at least 60 % power efficiency are required. In this study, a Class-J power amplifier was designed by optimizing an output matching circuit so that the second harmonic load will contain a pure reactance element only and have broadband characteristics by using GaN HEMT. The measurements showed that a 45 W Class-J power amplifier with a power added efficiency of 60~75 % was achieved when continuous wave signals were input at 1.6~2.3 GHz, including W-CDMA application.

• 한국방재학회:학술대회논문집
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• 2011.02a
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• pp.216-216
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• 2011

목포는 지형 특성상 도시기반이 낮게 조성되어 있어 폭풍해일에 의한 영향이 그리 크지 않더라도 조위가 크게 상승하는 대조기에 해안 저지대에서는 침수범람이 빈번하게 발생하는 지역이다. 특히 1997년 8월 태풍 WINNIE(9713)와 2004년 7월 태풍 MINDULLE(0407)의 간접영향시기가 대조기 고조와 중첩됨에 따라 목포 내항 및 북항 일대에 해수범람 피해가 발생한 바 있으며, 이러한 피해에 대응하여 목포 해안시설물 표고는 1997년 이전의 D.L.(+)480~500cm(목포지방해양수산청, 1998)를 D.L.(+)550cm로 증고한 상태이다. 태풍이 발생하여 내습하는 시기에 해당하는 2010년 7월~9월까지 목포지역 조석예보표(www.khoa.go.kr)에 따르면 거의 매달 500cm 이상의 조위가 예측(최고 511cm, 2010년 8월 11일)되었고, 2004년 범람이 발생한 7월과 8월에는 5.2m 이상의 조위가 3회 이상 예측된 바 있다. 또한 2000년 이후 목포지역의 태풍에 의한 해일고가 매년 50cm 내외로 기록(최고 59 cm, 태풍 RUSA(0215)됨을 고려할 때 D.L.(+)550cm의 목포 해안시설물 표고는 범람피해로부터 안전을 확보하기에는 어려움이 있을 것으로 우려된다. 특히, 최근 2년 동안은 우리나라에 직접 영향을 미친 태풍이 없었으나, 올해 8월 중순에는 대조기에 태풍 DIANMU(1004)가 내습하여 남해안 일대에 피해가 발생하였고, 올해 9월 초에 서해안으로 상륙한 태풍 KOMPASU(1007)는 강한 세력을 유지하면서 북상하여 서해안 일대 및 수도권에 큰 피해가 발생하였다. 만약 태풍 KOMPASU(1007)가 태풍 DIANMU(1004)가 내습했던 대조기 또는 9월 중순의 대조기에 내습했다고 가정한다면, 목포와 같은 서남해안의 저지대는 물론 많은 해안지역에 엄청난 피해가 발생했을 것으로 사료된다. 이에 본 연구에서는 관련연구와 자료분석을 통해 목포해역의 침수범람 위험성을 파악하고, 올해 발생한 태풍의 수치모의 적용을 통해 위험성을 검토하고자 한다.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.24 no.8B
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• pp.1464-1471
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• 1999

A wide-band high power amplifier to use for radiated electromagnetic field immunity testing of EMS(Electromagnetic Susceptibility) standards has to meet IEC1000-4-3 specification in the frequency bandwidth of 80MHz to 1000MHz. The power amplifier to be described in this paper consists of driving and power stages with wide-band matched circuits by estimated impedances. The mismatching protection circuit is inserted in it to prevent from damage of power device when the output port of power amplifier is opened or shorted by user's mistake. The characteristics of the power amplifier are obtained output power over 100watts, gain over 40dB and flatness of $\pm$0.3dB in the frequency range of 80 ~300MHz. The harmonics suppression characteristics is measured over 20dBc. This wide-band high power amplifier can be useful fur radiated electromagnetic field immunity testing of IEC 1000-4-3 standard.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.5 no.1
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• pp.144-151
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• 1994

We designed and fabricated a $2{\times}4$ symmetric self electro-optic effect device array using GaAs/ AIo.04 G$\DeltaR$), and optical bistability loop width ($\Delta$). The average values of the elements of the $2{\times}4$ S-SEED array were CR~13.1, R~24%, and $\Delta$~91%. It was found that the AFP cavity structure enhances the self-biased optical bistability in ESQW-SEED under no external bias. That is due to the decreased intrisic region thickness in AFP-SEED structures, and which increases the built-in electric fields. The zero-biased S-SEED showed CR of ~4.7, R~9%, and $\Delta$~22%.X>~22%.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1998.02a
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• pp.109-109
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• 1998

최근 들어 MOCVD 법으로 성장시킨 GaN, InGaN, AIGaN를 이용한 광소자 ( (LED, LD)와 전자소자(FET, MODFET)에 대한 관심이 고조되면서, MOCVD 법 을 이용한 GaN 중심의 질화물 반도체 성장에 관심이 집중되고 있다. 금번 실험에 사용된 MOCVD 장비는 수직형 MOCVD 장비이다. 특히, wafer c carner를 1$\alpha$)() rpm이상의 고속으로 회전시킬 수 있는 장치로서 원료 가스의 반웅 기 내에서의 흐름을 균일하게 하여 uniformity가 높은 질화물 반도체를 성장시킬 수 있다 .. GaN 에피충은 c-plane 사파이어를 기판으로 하여 11 00 "C 이상의 고온 에서 수소를 이용하여 기판을 cleaning하고, 500 "C 부근에서 핵생성충올 성장시 킨 후 1050 "C에서 trimethylgallium(TMGa)과 NI-h를 이용하여 성장시켰다. n n -GaN를 성장시키기 위해서는 SiH4을 사용하였으며, InGaN의 경우는 t trimethylindium(TMIn)을 In원 료 가스로 하여 635 - 725 "C 범 위 에 서 성 장시 켰 다. 성 장된 undoped GaN, n-GaN, InGaN는 X -ray di잔raction(XRD), H떠l m measurement, Photoluminescence(PU동올 이용하여 결정성과 전기적 및 광학적 특성올 고찰하였다 .. 2ttm 두께로 성장된 undoped G값V박막의 경우 Hall 측정결과 6 6 X lOI6/e며 정도의 낮은 도핑 농도를 보였으며, V!lII ratio(2500 - 5000)증가에 따라 결정성이 향상됨을 GaN (102)면의 X -ray e -rocking분석올 통하여 확인하 였다 .. n-GaN의 경우 SiH4양올 3 - 13 sccm으로 증가시킴에 따라 n -type 도명농 도가 선형적으로 증가하였고, 1017/c며 범위 내로 도평이 된 경우 상온에서 300 e마 N Ns 이상의 high mobility를 얻올 수 있었다 .. PL 관측 결과로부터 Si 도핑으로 인 하여 GaN bandedge emission이 강화됨을 알 수 있었다 .. InGaN 박막의 경우 성 장온도를 낮춤에 따라서 m의 양을 증가시킬 수 있었다. 또한 유량비(TMIn I T TMGa)가 1에 가까운 경 우에서도 온도를 635 "C 정도로 낮훈 경우 410 nm정도에 서 PL bandedge peak올 얻을 수 있었으며, 이 때의 반치폭은 50 meV정도의 낮 은 값을 보였다. 반치폭은 50 meV정도의 낮 은 값을 보였다.