• Title/Summary/Keyword: 유전체 분석

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PEROXIDASE ACTIVITY ASSOCIATED WITH Puccinia sorghi INFECTION IN MAIZE (옥수수에 있어서 녹병감염에 관한 Peroxidase의 활성)

  • Kim Soon Kwon;Brewbaker James L.;Hasegawa Yoichi
    • Korean journal of applied entomology
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    • v.17 no.4 s.37
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    • pp.193-199
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    • 1978
  • Five parents and their 10 $F_1$ crosses of maize (Zea mays L.) were tested by means of diallel analysis for the inheritance of peroxidase activity following Puccinia sorghi rust infection. Peroxidase activity was measured at day zero and at 2 days and 8 days after inoculation. Peroxidase activity was increased significantly by P. sorghi infection in all 15 genotypes after 8 days, but not after 2 days. Highly significant differences in peroxidase activity were detected among the 15 genotypes. The highly genera] resistant inbred, CM105, and its hybrids showed exceptionally high peroxidase activity in both healthy and infected plants. However, another highly resistant inbred, Oh545, showed exceptionally low peroxidase activity. Significant general combining ability (GCA) and specific combining ability (SCA) means quares were detected for peroxidase activity independent of disease. GCA mean spuares, however, were consistently a major contiribution to the inheritance of peroxidase activity in the infected plants whereas SCA men square contributions were minor. Rust resistant maize plants controlling mongenic dominant $Rp_1^d$gene showed stronger peroxidase reroxidase responses than their susceptible counterparts in the gel electrophoresis and densiometric tracings. The increased peroxidase activity occurred in both major leaf peroxidases, $Px_3\;and\; Px_7$.

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Fabrication of Stress-balanced $Si_{3}N_{4}/SiO_{2}/Si_{3}N_{4}$ Dielectric Membrane (스트레스균형이 이루어진 $Si_{3}N_{4}/SiO_{2}/Si_{3}N_{4}$ 유전체 멤브레인의 제작)

  • Kim, Myung-Gyoo;Park, Dong-Soo;Kim, Chang-Won;Kim, Jin-Sup;Lee, Jung-Hee;Lee, Jong-Hyun;Sohn, Byung-Ki
    • Journal of Sensor Science and Technology
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    • v.4 no.3
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    • pp.51-59
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    • 1995
  • Stress-balanced flat 150 nm-$Si_{3}N_{4}$/300 nm-$SiO_{2}$/150 nm-$Si_{3}N_{4}$ dielectric membrane on silicon substrate has been fabricated. Analyses of stress-deflection and stress-temperature, and visual inspection for the strain diagnostic test patterns were performed in order to characterize stress properties of the membrane. The $SiO_{2}$ layers sandwiched between two $Si_{3}N_{4}$ layers were deposited by three different techniques(PECVD, LPCVD, and APCVD) for the purpose of investigating the dependence of stress on the deposition methods. Some extent of tensile stress in the membrane was always observed regardless of the deposition methods, however it could be balanced against silicon substrate by post-wet oxidation in $1,150^{\circ}C$. Stress-temperature characteristics of the membranes showed that APCVD-LTO was better as mid-$SiO_{2}$ layer than PECVD - or LPCVD - $SiO_{2}$ when there was no oxidation process.

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A study on the new oscillator using low noise amplilfier (저 잡음 증폭기를 이용한 새로운 발진기에 관한 연구)

  • 하성재;지칠영;이용덕;홍의석
    • The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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    • v.26 no.7B
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    • pp.880-883
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    • 2001
  • 본 논문에서는 위상 잡음을 개선하기 위해서 Lesson의 위상 잡음 모델을 분석하여 이를 개선시키는 발진기의 구조를 제안하였다. 제안된 구조는 유전체 공진기를 사용한 대역통과 여파기, 평형 저 잡음 증폭기와 출력 전력을 격리시키기 위한 Branch-Line 전력 분배기로 구성되었다. 제안된 구조를 갖는 발진기는 12.653GHz에서 18.5dBm의 출력을 나타내었으며 위상잡음 특성은 중심주파수에서 10kHz 떨어진 곳에서 -82.6dBc/Hz를 나타내었다.

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분광 엘립소메츠리에 의한 반도체소재의 특성분석

  • Kim, Sang-Gi;Lee, Won-Hyeong;Gwon, O-Jun
    • ETRI Journal
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    • v.10 no.3
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    • pp.221-229
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    • 1988
  • 반도체 소자의 성능과 신뢰성은 소자제조시 사용한 소재의 특성에 의존하므로 소재의 특성을 정확히 규명하는 일은 대단히 중요하다. 소재 특성화 방법중 분광 엘립소메츠리에 의한 기본소재 및 유전체 박막의 광학적 성질을 비접촉, 비파괴적, in-situ 상태에서 결정할 수 있다. 본 고에서는 소재의 광학적 특성화를 위해 분광 엘립소메츠리의 기본원리 및 측정방법, 반도체 소재 특성화의 응용 등에 대해 상세히 논의하였다.

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Characteristics of Embedded Capacitor with Various Electrode Structures (전극구조에 의한 임베디드 캐패시터의 특성 개선)

  • Hong, Soon-Kwan;Nam, Myung-Woo
    • Proceedings of the KAIS Fall Conference
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    • 2008.11a
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    • pp.60-62
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    • 2008
  • 본 논문에서는 PCB(Printed Circuit Board) 기판의 내부에 만들어지는 임베디드 캐패시터에서 정전용량 밀도를 높이고 고주파 특성을 향상시키기 위한 방안을 연구하였다. 전극의 형태 및 유전체와의 적층구조를 변형하면서 임베디드 캐패시터의 특성변화를 분석하였으며, 이를 통하여 정전용량 밀도 및 고주파 특성을 개선할 수 있었다.

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후기 유전체 시대의 생명정보학과 데이터베이스의 연구방향

  • Ryu, Geun-Ho
    • Journal of Scientific & Technological Knowledge Infrastructure
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    • s.12
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    • pp.108-117
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    • 2003
  • 대용량의 생명정보 데이터의 분석과 새로운 지식 추출을 지원하기 위해 생명정보 데이터의 저장과 관리를 책임지는 데이터베이스의 역할은 생명정보학 분야에서 더욱 중요해 지고 있다. 그러나 최근 새롭게 출현한 생명정보 데이터의 저장 관리는 생명 정보 데이터의 고유한 특성과 이러한 데이터의 특성을 이해하기 위한 생물학적 지식의 요구로 인해 많은 문제점과 어려움이 발생되고 있다. 따라서 이 원고에서는 생명정보 데이터를 관리하기 위해 데이터베이스 분야의 최근 연구 현황과 연구방향을 제시한다.

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플라즈마 공정 모니터링용 사중극자 질량 분석기의 필라멘트 파손분석

  • Ha, Seong-Yong;Kim, Dong-Hun;Ju, Jeong-Hun
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2015.08a
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    • pp.93.2-93.2
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    • 2015
  • 플라즈마를 포함한 반응성 가스 공정 분석용 사중극자 질량분석기의 필라멘트의 파손양상을 조사하였다. 또한 유전체 증착층이 이온원 성능에 미치는 영향을 분석하기 위하여 이온원의 일반적인 가동 전압 조건에서 Poisson방정식을 이용하여 전위를 수치 해석으로 구하였다. 사용중 파손된 필라멘트의 파단면을 주사전자현미경으로 관찰결과, 수직으로 절단되는 양상과 직경이 점차 작아지면서 erosion되는 두가지 양상을 보였다. 또한 파단면은 표면균열과 패시팅(faceting) 현상을 보였다. 필라멘트 사용시 가장 큰 문제는 패시팅(faceting)이다. 대부분의 결정에서는 다른 결정면보다 에너지 준위가 낮은 결정면이 존재한다. W 원자는 고온에서 확산 또는 증발하여 표면에서 다시 응축할 때 표면 에너지를 최소화하기 위한 독특한 평형 형상이 만들어 지는데 이것이 패시팅의 구동력이다. 이때 국부적으로 단면적이 감소하는 곳이 생기는데, 이 지점이 집중적으로 가열되고 증발이 가속화하여 파손된다. 파단면을 EDS 분석결과, 산화물을 포함한 F, Fe 및 C이 검출되었다. 이 F과 C는 공정중 사용된 CF4의 분해에 의한 것으로 생각되며, 파손된 필라멘트를 Ar 유도결합 플라즈마로 처리한 결과 이 F, Fe 및 C의 양이 감소하였다.

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