• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권6호
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• pp.458-464
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• 1998

This paper gives characterization of substrate and PZT(53/47) thin film deposited by metalorganic decomposition, which is concerned in deposition process and device fabrication process, to fabricate micro electro mechanical system (MEMS) device with piezoelectric material. The PZT thin films deposited by MOD at 700^{\circ}C$ for 30 minutes had a polycrystallinity, that is, no substrate dependence, while different interface were developed depending on the bottom electrodes. Such a structural variation could influence on not only the properties of the PZT film but also etching process for fabricating MEMS devices. Therefore the electrode structure is a very important factor in the deposition of the PZT film during etching process by HF acid for MEMS device with piezoelectric material. Piezoelectric coefficients of the PZT films on the different substrates were 40 and 80 pm/V at an applied voltage of 4V. Based in these results, it was possible for deposition of the PZT film by MOD to apply MEMS device fabrication process based on piezoelectricity after selection of proper bottom electrode.

• 한국재료학회지
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• 제5권8호
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• pp.1045-1049
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• 1995

유기금속분해법(MOD, Metal Organic Decomposition)에 의하여 ITO 박막을 제조하고 SnO$_2$의 조성과 소성온도의 변화에 따른 박막의 특성변화를 고찰하였다. SnO$_2$의 양이 변하여도 ITO는 In$_2$O$_3$의 결정구조를 유지하고 있었으며, 이로부터 Sn이 In자리를 치환하여 고용체를 형성함을 알 수 있었다. SnO$_2$를 9wt.% 첨가 하였을때 비저항이 2.5$\times$$10^{-3}$$\Omega$-cm로 가장 낮은 값을 보였으며, 이는 타 연구자들의 결과치 보다 약 10배정도 큰 값이다. 이러한 비저항값의 차이는 작은 입경으로 인한 이동도의 감소 때문인 것으로 판단되었다. 투광도는 SnO$_2$의 첨가량 및 소성온도에 크게 의존하지 않았으며 가시영역에서 90% 이상을 보였다. 광흡수단으로부터 계산된 optical energy gap은 4.51-4.96eV 이었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권4호
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• pp.311-316
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• 2010

$Zr_{0.7}Sn_{0.3}TiO_4$ (ZST) thin films were fabricated by metal-organic decomposition, and their dielectric properties were investigated in order to evaluate their potential use in passive capacitors for rf and analog/mixed signal integrated circuits. The ZST thin film annealed at the temperature of $800^{\circ}C$ showed a dielectric constant of 27.3 and a dielectric loss of 0.011. The capacitor using the ZST film had quadratic and linear voltage coefficient of capacitance (VCC) of -65 ppm/$V^2$ and -35 ppm/V at 100 kHz, respectively. It also exhibited a good temperature coefficient of capacitance (TCC) value of -32 ppm/$^{\circ}C$ at 100 kHz.

• 대한환경공학회지
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• 제28권11호
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• pp.1207-1212
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• 2006

본 연구는 담수 퇴적물 중 유기물의 척도가 되는 화학적산소요구량, 염양염류인 총질소와 총인 및 금속류인 철과 망간에 대해 국내 외 분석법을 적용하여 분석을 실시함으로서 각 분석법간의 상관성을 파악하고 그 적용성을 알아보고자 하였다. 화학적산소요구량은 국내 해양환경공정시험방법과 일본의 위생시험법을 적용하였는데 두 방법 모두 측정범위가 넓고, 생물학적산소요구량이나 유기물질과 상관관계가 좋은 과망간산칼륨법을 이용하고 있기 때문에 분석법간 편차가 크지 않음을 확인하였다. 총질소와 총인의 경우 국내 식품공전에 의한 시험법과 일본의 위생시험법을 적용하여 분석을 실시하였다. 총질소는 두 방법 모두 중화 적정법이지만 시료 분해 및 증류 과정의 차이에 의해 일본의 위생시험법에 의한 분석 값이 약간 낮은 경향을 보였다. 총인의 경우 두 방법 모두 질산과 과염소산에 의한 분해 후 값을 측정하는 방법으로 비슷한 결과를 보였다. 철과 망간과 같은 금속류의 실험은 크게 용출방법과 산분해법을 실시하였다. 용출법에서 얻은 결과값은 산분해한 값에 비하여 적은 값을 나타내었는데 그 이유는 용출조건보다 산분해 조건에서 금속류가 더 잘 녹아나오기 때문이다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제27권4호
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• pp.226-231
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• 2014

Thin thermistor films of solutions with nickel and manganese oxides were prepared by metal-organic decomposition (MOD). The structural properties of the thin films were investigated as a function of annealing temperature. Field emission scanning electron microscope (FE-SEM) results indicated that the thin films had a thin thickness, smooth and dense surface. The crystallization temperature of $414.9^{\circ}C$ was confirmed from thermogavimetric-differential thermal analysis (TG-DTA) curve. A single phase of cubic spinel structure was obtained for the thin film annealed from $700^{\circ}C$ to $800^{\circ}C$, which was confirmed from the X-ray diffraction (XRD). From the selected area electron diffraction (SAED) in high resolution transmission electron microscope (HRTEM), the nano grains (2~3 nm) of spinel phase with (311) and (222) planes were detected for the thin film annealed at $500^{\circ}C$, which could be applicable to read-out integrated circuit (ROIC) substrate of the uncooled microbolometer with low processing temperature.