• Journal of Institute of Control, Robotics and Systems
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• v.8 no.9
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• pp.812-817
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• 2002

This paper presents a development of high accuracy aligner and describes a method to find the orientation of a substantially circular disk shaped wafer with at least one flat region on an edge thereof. In the developed system, the wafer is spun one 360 degree turn on a chuck and the edge position is measured by a linear array to obtain a set of data points at various wafer orientation. The rotation axis may differ from wafer center by an unknown eccentricity. The flat angle is found by fitting a cosine curve to the actual data to obtain a deviation. The maximum deviation is then corrected for errors due to a finite number of data points and wafer eccentricity by calculating an adjustment angle from data points on the wafer fiat. After determining the flat angle the wafer is spun to the desired orientation. The wafer eccentricity can be calculated from four of the data points located away from the flat edge region. and the wafer is then centered.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.7 no.3
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• pp.287-294
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• 1996

An optical phase modulator is fabricated in GaAs/AlGaAs doble heterostructure wafer grown by MOCVD. A self-aligned process, in which the same photoresist pattern is used for both the waveguide etching and the insulation layer formation, is developed and is found to be very useful, Fabry-Perot interference technique is applied to the measurement and the phase modulation efficiency is measured to be 22.5$^{\circ}$/Vmm at 1.31 ${\mu}{\textrm}{m}$ for TE polarization.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2001.05a
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• pp.269-272
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• 2001

실리콘 마이크로머시닝 기술과 바이폴라 공정으로 집적화된 압력센서를 제작하고 동작특성 평가를 수행하였다. 센서부 보상파라미터를 추출하였고 트리밍 공정을 통하여 출력전압의 보상을 수행하였다. 센서 특성은 압저항 위치, 마스크 정렬 오차, 다이어프램 정밀두께제어 정도, 보호막의 과도식각 정도 등에 의하여 민감하게 좌우됨을 알 수 있었다. 웨이퍼별 샘플추출을 통하여 센서부 감도는 평균 0.653mV/kPa, 감도의 온도계수는 -2078.8ppm/℃, 옵셋 전압은 30.78mV, 옵셋전압의 온도계수는 32.11㎶/℃로 측정되었다. 추출된 샘플의 다이어프램 두께오차는 27±2.5㎛였다. 센서부 특성평가 결과를 통하여 신호처리회로의 옵셋 및 스팬보상, 온도보상을 위한 트리밍 공정을 수행한 결과 개발사양을 만족하는 결과를 얻을 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.11a
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• pp.418-419
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• 2007

플라즈마 열화학기상 증착법으로 Fe-Ni-Co 3원계 측매합금을 이용하여 $442^{\circ}C$의 저온에서 다중벽 탄소나노튜브를 합성하였다. 수소의 유량이 일정할 때 아세틸렌의 유량이 감소함에 따라 성장속도가 증가하였다. 합성된 탄소나노튜브는 약 8.4 nm의 직경과 $5.5\;{\mu}m$의 길이를 보였으며, 기판에 대해 수직으로 성장되었다. 4인치 웨이퍼 위에서도 전면적에서 균일한 성장을 보였다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.47 no.1
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• pp.1-10
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• 2009

As a demand for the portable device requiring smaller size and better performance is in hike, reducing the size of conventionally used planar 2 dimensional chip cannot be a solution for the enhancement of the semiconductor chip technology due to an increase in RC delay among interconnects. To address this problem, a new technology - "3 dimensional (3D) IC chip stack" - has been emerging. For the integration of the technology, several new key unit processes (e.g., silicon through via, wafer thinning and wafer alignment and bonding) should be developed and much effort is being made to achieve the goal. As a result of such efforts, 4 and 8 chip-stacked DRAM and NAND structures and a system stacking CPU and memory chips vertically were successfully developed. In this article, basic theory, configurations and key unit processes for the 3D IC chip integration, and a current tendency of the technology are explained. Future opportunities and directions are also discussed.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.06a
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• pp.207-207
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• 2010

알루미늄 양극산화 기술은 저가로 공정이 가능하고, 경제적이며 규칙적인 배열의 나노 미터 크기의 미세기공을 형성할 수 있다는 장점을 가지고 있다. 인가전압, 양극산화 용액의 종류, 용액의 농도 및 온도 등의 양극산화 조건을 변화시킴에 따라 나노 기공의 직경 및 길이, 밀도 조절이 용이하다. 알루미늄 판 (aluminum plate)을 이용한 양극산화 기술은 상대적으로 많이 알려져 있으나 알루미늄 박막을 이용한 양극산화기술은 아직도 확립되어 있지 않다. 본 실험에서는 실리콘 기판에 Al을 $5000{\AA}$와 $8000{\AA}$으로 증착시켜서 기판으로 이용하였다. 아주 얇은 두께의 Al은 작은 변화에도 민감하게 반응하기 때문에 공정 변수인 온도와 전압의 정밀한 제어가 되어야 나노 기공의 크기 조절이 가능한 것을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.11a
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• pp.415-415
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• 2008

수분을 첨가한 열화학기상증착으로 $850^{\circ}C$에서 길게 수직 성장한 다중벽 탄소나노튜브를 합성하였다. 실리콘 웨이퍼에 열 증착기로 Al 15 nm를 입히고 그 위에 촉매 층으로 Fe 0.5 nm 를 증착한 기판을 사용하였다. 탄소나노튜브의 성장에는 분위기 가스로 Ar을, 성장 가스로 $C_2H_2$를 사용하였다. 이들 가스를 이용한 합성 중에 약 100 ppm 전후의 수분을 첨가함으로써 탄소나노튜브의 성장 길이를 10 배 가량 증가시켰다. 이것은 합성 중의 수분 첨가로 인해 금속촉매 입자들의 활동성이 증가하였기 때문이다. 수분의 첨가량를 달리하여 합성한 탄소나노튜브의 길이와 정렬도를 관찰하기 위해 주사전자현미경 (scanning electron microscopy, SEM)을 이용하였고, 탄소나노튜브의 정확한 지름과 벽의 개수를 파악하기 위해 투과전자현미경 (transmission electron microscopy)을, 결정성을 파악하기 위해 Raman 분광기를 사용하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.220-220
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• 2008

물 첨가 열화학기상증착을 이용하여 750도에서 길고 수직 성장한 다중벽 탄소나노튜브를 합성하였다. 사용된 기판으로는 우선 실리콘 웨이퍼에 열 증착기로 확산 방지층으로 Ti 50 nm를 입히고 그 위에 Al 15 nm를 입히고 난 후 촉매 층으로 Invar 36 (63 wt% Fe, 37 wt% Ni)을 1 nm 얇게 증착하였다. 탄소나노튜브의 성장에 사용된 가스는 Ar, $C_2H_2$ 이다. Ar은 분위기 가스로 사용되었고, $C_2H_2$는 탄소나노튜브의 성장에 관여하는 가스이다. 또한, 합성중에 약간의 물을 첨가함으로 기존의 탄소나노튜브 성장 길이보다 10배 가량 더 성장 하였다. 이것은 합성 중의 물 첨가로 인해 촉매 입자들의 활동성이 기존에 비해 더 증가했다는 것을 보여준다. 합성된 탄소나노튜브의 길이와 정렬도를 보기 위해 주사전자현미경 (scanning electron microscopy, SEM)을 이용하였고, 탄소나노튜브의 지름과 벽의 개수를 파악하기 위해 투과전자현미경 (transmission electron microscopy)을 이용하였다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.11 no.2
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• pp.49-55
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• 2001

ZnO films were fabricated on p-type Si(100) wafer ITO glass and quartz glass by the sol-gel process using zinc acetate dihydrate as starting material. A homogeneous and stable solution was prepared by dissolving the zinc acetate dihydrate in a solution of 2-methoxyethanol and monoethanolamine (MEA). ZnO films were deposited by spin-coating at 2800 rpm for 25 s and were dried on a hot plate at $250^{\circ}C$ for 10 min. Crystallization of the films was carried out at $400^{\circ}C$~$800^{\circ}C$ for 1 h in air. X-ray diffraction (XRD) analysis, scanning electron microscopy (SEM), UV-vis transmittance spectroscopy, FTIR transmittance spectroscopy and Photoluminescence (PL) spectroscopy measurements have been used to study the structural and optical properties of the films. ZnO films highly oriented along the (002)plane were obtained. In all cases the films were found to be transparent (above 70%) in visible range with a sharp absorption edge at wavelengths of about 380nm, which is very close to the intrinsic band-gap of ZnO(3.2 eV). The low temperature band-edge photoluminescence revealed a complicated multi-line structure in terms of bound exciton complexes and the phonon replicas.

• Journal of the Korea Society for Simulation
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• v.26 no.4
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• pp.43-49
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• 2017

With the advances in and expansion of the semiconductor and display businesses in Korea the demand of the engineers in such fields is increasing. Keeping pace with the trend, the semiconductor courses in undergraduate not only include the newest technologies in addition to the fundamental theories but fabrication related technologies as well in order to produce engineers with practical knowledge. However, since semiconductor fabrication requires expensive equipment and materials in a clean room, laboratory class can't be provided in undergraduate. To overcome this limitation actual fabrication processes are recorded in video and played in class. In addition, 3D visualization of fabrication processes can be used.