The accelerated degradation phenomena in amorphous silicon thin film transistors due to both electrical stress and visible light illumination under the elevated temperature have been investigated systematically as a function of gate bias, light intensity, and stress time. It has been found that, in case of electrical stress, the thrshold voltage shifts of a-Si:H TFT's may be attributed to the defect creation process at the early stage, while the charge trapping phenomena may be dominant when the stressing periods exceed about 2 hours. It has been also observed that the degradation in the device characteristics of a-Si:H TFT's is accelerated due to multiple stress effects, where the defect creation mechanism may be more responsible for the degradation rather than the charge trapping mechanism.
We have fabricated a LDD structured polysilicon thin film transistor with low leakge current and the optimized LDD length has been obtained. The device performance is improved is improved by hydrogen passivation process. The on.off current ratio of poly0Si TFT s with $0.5{\mu}m$ and $1.0{\mu}m$ LDD length is much higher than that of conventional structured device due to the decrease of leakege current. The optimized LDD length may be $0.5{\mu}$ from the experimental data such as on/off current ratio, threshold voltage and hydrogenation effect.
The demands placed on portable wireless communication equipment include low cost, low supply voltage, low power, dissipation, low noise, high frequency of operation, and low distortion. These design requirements cannot be met satisfactorily in many cases without the use of RF inductors. However, implementing the inductor on-chip has been regarded as an impractical task because of excessive substrate capacitance and substantial resistive losses due to metallization and the conductive silicon substrate. Hence, there is a great incentive to design, optimize, and model spiral inductors on Si substrate. So, we analyzed a chip inductors using electromagnetic analysis and established a set of design rules for rectangular spiral inductors.
본 논문에서는 다양한 정보 획득을 목적으로 설계되는 카메라의 핵심 부품인 영상센서의 종류별 동작 특성에 대해 분석하였다. 카메라의 영상센서는 기본적으로 카메라 광학계 설계에 영향을 받으며, 운용의 편이성, 획득 영상의 품질 및 사용되는 환경에 따라 적당한 영상센서가 선택되어 사용된다. 용도에 따라 탑재체에 할당된 무게 및 크기가 제한되므로, 적당한 광학계의 크기와 목표 영상 획득을 위해 센서의 화소면 크기가 결정된다. 가시광선 영역에서는 CCD(Charge Coupled Device), CMOS(complementary metal-oxide semiconductor) 및 NMOS 등의 종류별 영상센서가 사용될 수 있으며, 충분한 광량 확보를 위해서는 넓은 크기의 화소를 보유한 센서가 필요하지만, 이 경우 광학계의 크기와 무게가 증가하여 한정된 자원이 허락된 탑재체 설계에 부담이 된다. 제어단 설계시 빛의 수광 능력이 좋은 CCD 영상 센서를 사용할 경우 좀 더 복잡하고 비교적 높은 소비전력이 요구되는 전자부가 설계되며, 상대적으로 간단한 제어단이 요구되는 CMOS 센서의 경우, 빛의 수광 능력이 CCD에 비해 떨어진다는 단점이 있다. 이 논문에서는 두 가지 영상 센서의 특성 분석을 통해 영상 시스템 설계시 영상 센서 선택에 필요한 고려 사항에 대해 분석하였고, 효율적인 영상 시스템 설계 방안에 대해 서술하였다.
위성에 사용되는 전자광학카메라는 통상 광기계부와 광전자부 그리고 데이터 전송부로 구성된다. 본 논문에서는 광전자부의 일부 유닛인 카메라제어기의 개발내용을 다루었다. 카메라전자 제어기는 위성체로부터의 명령을 기반으로 광전자부의 가장 중요한 역할인 영상촬영을 비롯한 광전자부 전체의 동작제어, 내부의 텔레미트리 송신 그리고 전자광학카메라의 포커싱 등을 수행하게 된다. 논문에서는 먼저 광전자부 전체 블록 내에서, 개발중인 카메라제어기의 구조 및 기능 등에 대해 설명한다. 그리고 전자 제어신호에 의한 영상밴드간의 커플링을 없애기 위한 밴드간에 전기적으로 분리된 인터페이스에 대한 설명 및 초기 부팅과정과 포커싱제어와 관련된 설계내용 및 시험결과를 기술하였다.
A normally open thermopneumaticc-actuated microvalve has been fabricated and their properties are investigated. The advantages of the proposed microvalve are of the low cost fabrication process and the transparent optical property using polydimethylsiloxane (PDMS) and indium tin oxide (ITO) glass. The fabricated microvalves with in-channel configuration are easily integrated with other microfluidic devices on the same substrate. The fabrication process of thermopneumatic-actuated microvalvesusing PDMS is very simple and its performance is very suitable for a disposable lab-on-a-chip. The PDMS membrane deflection increases and the flow rates of the microchannel with microvalvels decrease as the applied power to the ITO heater increases. The powers at flow-off are dependent on the membrane thickness and the applied inlet pressure but are independent of the channel width of microvalves. The flow rate is well controlled by the switching function of ITO heater and the closing/opening times are around 20 sec and 25 sec, respectively.
A thermopneumatic-actuated polydimethylsiloxane (PDMS) micropump has been fabricated and their properties are characterized. The diffusers are used as a flow-rectifying element instead of passive check valves. The advantages of the proposed microvalve are of the low cost fabrication process and the transparent optical property using PDMS and indium tin oxide (ITO) glass. We presented the PDMS micropump that is easily integrated with the in-channel PDMS microvalves on the same substrate. The flowrate of the micropump increases linearly as the applied pulse voltage to the ITO heater increases. The fabricated ITO heater resistance is 6.54k$\Omega$. The peak of the flow rate is observed at the duty ratio of 10% for the applied pulse voltage of 55V at 6Hz and the maximum flow rate of 78nl/min is measured.
In recent years, the smart card is widely applied for wireless communication, tracking, transportation logistics, diagnostic monitoring, access control and security. RF-ID system is universally applicable. Passive RF-ID system consists of reader and passive tag. The reader transmits energy and simple information to a tag by wireless and the power from the reader is transformed for controller, FRAM and Bluetooth module. In this paper, proposed for the improvement of wireless power transmission and demonstrated the propriety through experiments in several conditions.
RF-ID system is one of the very interesting field not only in a technical and economical point of view but also that people are still trying to realize lossless power transmission. This paper has a purpose on the efficient power transmission at the passive type IDcard by using wireless power transmission system. The most difficult but important part of the passive type RF-ID system is building the system that supplies power from Reader-antenna to IDcard-antenna. To check what is the most efficient way to deliver power depending on what kind of specifications of the power-amp in reader, antenna and antenna in IDcard is for operating IDcard circuit efficiently receiving the power from reader-antenna. For this, we used 125kHz sinewave for RF signal as a basic specification, OP-amp for amplifying signal and power-amp for amplifying power, loop type antenna.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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