• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2005.11a
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• pp.240-241
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• 2005

비 직선적 정(+) 저항온도계수 특성을 갖는 PTC thermistor는 전이온도(큐리점) 부근에서 온도변화에 대하여 극히 큰 저항 값의 변화를 나타내는 산화물계반도체 저항기(또는 발열체)로써, 일반적으로 반도체의 온도-저항 특성과 같이 상온영역에서 온도의 상승과 함께 부성저항 특성을 나타내다가 온도가 점점 증가하여 큐리점 부근에 도달하면 저항이 급격히 증가하는 독특한 특성을 갖는다. Perovskite 구조의 $BaTiO_3$를 주성분으로 미량의 Dopant를 첨가하여 도전성을 갖게 한 N형 반도체의 일종으로 저항-온도 특성 전류-전압 특성, 전류감쇄 특성 등을 이용하여 과전류 보호회로, 히터, TV 소자회로(degausser), 모터기동회로, 온도센서, 정온발열기기 등으로 널리 사용된다. 본 연구는 큐리점 부근의 급격한 저항변화 현상과 결정입계의 전위장벽 형성 및 그에 따른 정온발열 기능의 상관성으로부터 그 응용성을 조사하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2016.11a
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• pp.191.1-191.1
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• 2016

본 연구에서는 알루미늄 합금의 PEO(Plasma Electrolytic Oxidation) 피막 형성 거동을 PEO 처리 용액 조성, 온도 및 합금 성분에 따른 전압-시간 곡선을 관찰하여 분석하였다. 알루미늄 합금의 PEO 피막 형성거동은 NaOH 농도, 전해질 온도, 인가 전류밀도 및 합금성분에 따라 다양하게 나타났다. 본 연구에서는 직류 정전류법을 이용하여 Al1050, Al5052, Al6061 합금 표면에 PEO 피막을 형성시켰으며, PEO 피막의 형성이 시작되는 전압 및 발생된 아크의 크기 및 모양을 관찰하여 PEO 피막 형성 거동을 연구하였다. 연구결과 PEO 처리 중의 전해액의 온도가 낮고 전류밀도가 높을수록 시편 표면에서 짧은 시간 내에 아크가 발생하였으며, 전압-시간 곡선은 빠른 속도로 PEO 피막생성 전압에 도달하여 유지되는 거동을 보였다. 동일한 용액조성, 용액온도, 용액 교반속도 및 인가전류밀도에서 관찰된 PEO 피막 형성 거동은 동일시편을 PEO코팅 후 에칭하여 반복 실험할 경우에도 큰 편차를 보였으며, 이로부터 시편의 조성이나 불순물의 존재 등이 크게 영향을 주는 것을 알 수 있었다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2013.07a
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• pp.510-511
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• 2013

3상 인버터 출력단 센싱에 옵셋이 발생할 경우 DC 전류에 출력 주파수에 해당하는 리플 성분이 발생하게 된다. 리플의 크기는 옵셋의 크기에 비례하여 커지게 된다. 센싱 단자 등의 H/W적인 문제로 옵셋이 발생할 경우 DQ축 전류 및 DC 전류에 리플이 발생하게 되고 이는 필터 리액터, 변압기 등의 온도 상승 및 IGBT Stack의 온도 상승 등 인버터 시스템에 악영향을 유발시킬 뿐만 아니라 DC 소스원에도 악영향을 발생시킬 가능성이 존재한다. 따라서, 본 논문에서는 옵셋의 영향을 줄여 시스템을 안정적으로 동작시키기 위해 옵셋 보상 방법을 제안하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2018.11a
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• pp.213-214
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• 2018

본 논문에서는 전기자동차 온-보드 충전기용 단상 cycloconverter-type high frequency link 컨버터의 전력 제어성능과 동적 응답특성을 개선하기 위하여 예측전류제어 기법을 적용한다. 배터리를 충전 및 방전하기 위하여 전력계통에 연결되는 V2G 충전기는 전압 변동, 고조파 왜곡 등의 외란 발생에도 강인한 동적 응답 특성을 유지하여야 한다. 예측전류제어 기법이 적용된 제어기는 계통 외란이 존재하는 경우에도 전력 레퍼런스를 빠르게 추적하고 정확한 듀티를 생성할 수 있으므로 우수한 동적 및 과도 응답특성을 갖는다. 제안하는 제어기의 성능과 파라미터 변동에 대한 민감도는 PSIM 시뮬레이션을 이용하여 평가되며, 여러 계통외란 상태에서 PI 제어기와 비교된다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.6 no.3
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• pp.194-199
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• 1997

We fabricated MIM (Metal-Insulator-Metal) antifuses with Al/a-Si/Mo structure and then examined the I-V characteristics and on-state resistance distribution of antifuses. The leakage current of antifuses is below $1Pa/{\mu}m^2$, and programming voltage lies within 10 to 11 V. After programming, on-resistance of antifuses is mostly 10-20$\Omega$ and 20% of these have above 100$\Omega$. In order to reduce on-resistance and the deviation of this distribution, we tried to inject current again into already programed antifuses (we call this re-programming method). From this method, the resistance of antifuses with above 100Ω can be reduced to below 50$\Omega$. When antifuses are programmed by re-programming method, these antifuses have more uniform and lower on-resistance than programmed with one-pulse.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.17 no.8
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• pp.1885-1890
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• 2013

In this paper, the electrical properties of nanoscale junctionless p-channel MuGFET at cryogenic temperature have been analyzed experimentally. The experiment was performed using a cryogenic probe station which uses the liquid Helium. It has been observed that the drain current oscillation at low drain voltage and cryogenic temperature was more pronounced in junctionless transistor than in accumulation mode transistor. The reason for more marked oscillation is due to the smaller electrical cross section area of the inversion channel which is formed at the center of silicon film in junctionless transistor. It was also observed that the drain current and maximum transconductance were increased as the measurement temperature increased. This is resulted from the increase of hole mobility and the decrease of the threshold voltage as the measurement temperature increases. The drain current oscillation due to the quantum effects can be occurred up to the room temperature when the device size scales down to the nanometer level.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1997.07d
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• pp.1289-1291
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• 1997

전류 센싱 MOSFET의 센싱 셀과 메인 셀의 온저항 모델을 달리 세워 원자재 산포에 따른 소자의 특성 산포 분량의 원인을 규명하였다. 에피의 농도와 두께가 증가할수록 센싱 셀의 온저항이 메인셀보다 작아지며 농도와 두께의 변화가 있을때의 온저항 변화율도 작은것으로 나타났다. 원자재 산포에 의한 SENSE FET 특성 산포를 줄이기 위해서는 정사각형 형태의 SENSE cell 배치가 효과적이며 센스 셀과 메인 셀의 간섭을 방지하기 위해서는 센싱 저항을 센스 셀의 온저항의 1/10 이하로 설계하고 간격이 최소한 에피 두께 이상이 되어야함을 밝혔다.

• Proceedings of the Korea Institute of Fire Science and Engineering Conference
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• 2013.11a
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• pp.63-64
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• 2013

개발된 Plug-In MCCB를 저압용 부스바에 설치하여 온도 특성을 분석한 결과 모든 상(phase)에서 기준 범위보다 적은 값을 나타냈고, 가장 높게 측정된 곳의 온도 역시 $13.7^{\circ}C$ 이었다. 또한 단시간 전류 시험 및 기계적 동작 시험 후의 온도 상승 시험에서도 $18.5^{\circ}C$로 측정되어 모든 부분의 특성이 양호한 것을 알 수 있다.

• Fire Science and Engineering
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• v.28 no.5
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• pp.8-13
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• 2014

The purpose of this study is to analyze the damage pattern when overcurrent is applied to a thermal magnetic type molded case circuit breaker (MCCB) using a Primary Current Injection Test System (PCITS). When an overcurrent of 150 A was applied to the PCITS for 5 seconds with the trip bar of an MCCB being damaged, it was found that the surface of the temperature control device (bimetallic strip) positioned at the right was significantly carbonized. When an overcurrent of 300 A was applied to the PCITS for 5 s under the same conditions, the entire temperature control device was deteriorated, becoming flattened and in close contact with the MCCB. When an overcurrent of 450 A was applied to the PCITS for 5 s, the coil of the temperature control device was melted and disconnected. In addition, it was observed that the contacts, the enclosure and upper cover were deformed and there was a trace of carbonization on them. When approximately 3 s had elapsed after an overcurrent of 600 A was applied, white smoke occurred inside the MCCB and a flame was radiated out, after which the overcurrent supply stopped with "phutt" (whomp) sound. It was observed that when the same type of MCCB is damaged by a general flame, the surfaces of its handle, terminal, arc divider (extinguisher) and temperature control device were carbonized uniformly. In addition, it was found that the trip bar of the operating mechanism was melted down and the metal operation pin was moved while being tripped.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2015.08a
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• pp.216.1-216.1
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• 2015

본 연구에서는 용액 공정 기반 AZTO (Aluminum-Zinc-Tin Oxide, AlZnSnO) 박막 트랜지스터를 제작하여 Al (Aluminum) 도핑과 열처리 온도의 가변을 통한 특성 향상을 확인하였다. ZTO 용액의 Zn:Sn 비율(4:7)을 고정하고 Al 도핑(0~8.3%)과 열처리 온도($350{\sim}550^{\circ}C$)를 가변하였다. 실험 결과 Al 도핑이 증가할수록 드레인 전류는 감소하고 문턱 전압이 양의 방향으로 이동하면서 포화 이동도와 아문턱 기울기가 감소하였다. 열처리 온도가 증가할 때는 드레인 전류가 증가하고 문턱 전압은 음의 방향으로 이동하며 이동도와 아문턱 기울기가 증가하였다. Al 도핑은 강한 금속-산소 결합에 의해 oxygen vacancy와 전자 농도가 감소하게 하여 드레인 전류, 이동도, 아문턱 기울기의 감소와 양의 방향 문턱 전압 이동을 야기한다. 열처리 온도가 높아지면 반도체 층의 분자 구조가 더 밀집되고 oxygen vacancy 가 증가하며, 이는 전자 농도의 증가로 이어져 Al 도핑의 효과와 반대의 경향을 보인다. 실험 결과를 통해 Al:Zn:Sn=0.5:4:7의 비율과 $350^{\circ}C$ 열처리 조건에서 문턱 전압과 이동도, 아문턱 기울기, 전류 온오프 비($I_{on}/I_{off}$)가 각각 3.54V, $0.16cm^2/Vs$, 0.43 V/dec, $8.1{\times}10^5$으로 우수한 특성을 확인하였다.