• 한국추진공학회지
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• 제26권6호
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• pp.21-27
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• 2022

C_f/SiC 복합재는 저밀도, 높은 기계적 강도, 우수한 열 안정성을 가지고 있어 로켓 추진기관, 항공 및 군사 분야 등의 고온 응용 산업에 유망한 재료이다. 그러나 용융 실리콘 함침(Liquid Silicon Infiltration, LSI) 공정을 통해 제작된 복합재는 잔존하는 Si에 의하여 물리적, 열적 특성이 저하된다. 본 논문에서는 LSI 공정을 통해 제작된 C_f/SiC 복합재의 내부 Si을 제거하기 위한 방안으로 탈규소화(de-siliconization) 공정을 도입하였다. 최대 5분 동안 옥시아세틸렌 토치 테스트를 진행하고 시편의 산화된 표면과 단면은 3D scanning, X-ray diffraction(XRD), 광학현미경(OM), 전자주사현미경(SEM)으로 분석하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.1710-1712
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• 1999

암모니아가스에 민감한 In이 도핑된 ZnO(ZnO:In) 박막을 In 박막$(100{\AA})$ 및 ZnO박막$(3000{\AA})$의 연속적인 증착과 열처리공정을 통하여 제조하고, 이와 같은 방법으로 Al과 In이 도핑된 ZnO (ZnO:Al, In) 박막을 In 박막과 ZnO:Al 박막의 연속적인 증착과 같은 조건에서의 열처리를 통하여 제조하였다. 기판은 $1000{\AA}$의 산화막이 열적으로 성장되어 있는 Si 기판을 사용하였다. In/ZnO 및 In/ZnO:Al 박막 이중층의 열처리온도에 따른 구조적 및 전기적 특성을 x-선회절기, 주사전자현미경, 오제전자분광법 및 4점측정시스템을 통하여 조사하였다. 이들 막에 대하여 열처리온도에 따른 암모니아가스에 대한 감도, 선택성 및 시간응답특성을 구하였다. 열처리온도 $400^{\circ}C$, 동작온도 $300^{\circ}C$에서 100 ppm의 암모니아가스를 주입한 결과 140 %의 최대감도를 나타내었으며 CO, $NO_x$ 가스에 대한 감도는 아주 낮은 것으로 나타났다.

• 한국재료학회지
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• 제12권11호
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• pp.865-869
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• 2002

We investigated the reaction stability of titanium, cobalt and their bilayer films with side-wall spacer materials of SiO$_2$ for the salicide process. We prepared Ti 350 $\AA$, Co 150 $\AA$, Co 150 $\AA$/Ti 100 $\AA$ and Ti 100 $\AA$/Co 150 $\AA$ films on 1000 $\AA$-thick thermally grown SiO$_2$ substrates, respectively. Then the samples were rapid thermal annealed at the temperatures of $500^{\circ}C$, $600^{\circ}C$, and $700^{\circ}C$ for 20 seconds. We characterized the sheet resistance of the metallic layers with a four-point probe, surface roughness with scanning probe microscope, residual phases with an Auger depth profilometer, phase identification with a X-ray diffractometer, and cross-sectional microstructure evolution with a transmission electron microscope, respectively. We report that Ti reacted with silicon dioxide spacers above $700^{\circ}C$, Co agglomerated at $600^{\circ}C$, and Co/Ti, Ti/Co formed CoTi compound requiring a special wet process.

• 전자공학회논문지A
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• 제32A권11호
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• pp.35-43
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• 1995

To obtain high quality of $Ta_{2}O_{5}$ film, two dielectric layers of $Si_{3}N_{4}$ and $Ta_{2}O_{5}$ were subsequently formed on Si wafer. Silicon nitride films were thermally grown in 10 Torr ammonia ambient by R.F induced heating system. The thickness of thermally grown $Si_{3}N_{4}$ film was able to be controlled in the range of tens $\AA$ due to the self-limited growth property. $Ta_{2}O_{5}$ film of 200$\AA$ thickness was then deposited on the as-grown $Si_{3}N_{4}$ film about 25$\AA$ thickness by sputtering method and annealed at $900^{\circ}C$in $O_{2}$ ambient for 1hr. Stoichiometry film was prepared by the annealing in oxygen ambient. Despite the high temperature anneal process, silicon oxide layer was not grown at the interface of the layered films because of the oxidation barrier effect of Si$_{3}$N$_{4}$ film. The fabricated $Ta_{2}O_{5}$/$Si_{3}N_{4}$ film showed low leakage current less than several nA and high dielectric breakdown strength.

• 한국환경과학회지
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• 제26권11호
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• pp.1201-1208
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• 2017

Oxidative degradation of chlorinated ethenes was carried out using heat-activated persulfate. The activation rate of persulfate was dependent on the temperature and the activation reaction rate could be explained based on the Arrhenius equation. The activation energy of persulfate was 19.3 kcal/mol under the assumption that the reaction between the sulfate radical and tricholoroethene (TCE) is very fast. Activation could be achieved at a moderate temperature, so that the adverse effects due to high temperature in the soil environment were mitigated. The reaction rate of TCE was directly proportional to the concentration of persulfate, indicating that the remediation rate can be controlled by the concentration of the injected persulfate. The solution was acidized after the oxidation, and this was dependent on the oxidation temperature. The consumption rate of persulfate was high in the presence of the target organic, but the self-decomposition rate became very low as the target was completely removed.

• 한국추진공학회지
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• 제20권3호
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• pp.25-31
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• 2016

본 연구에서는 항공우주, 유도탄, 자동화 산업에 널리 적용되는 금속복합화약 ZPP(Zirconium Potassium Perchlorate)의 제조공정 과 특성평가를 고찰하였다. 기본적으로 PMD에 사용되는 고체 점화제는 금속연료와 산화제 그리고 유기 고분자물질(결합재)로 구성되며, 이들 원료들을 균질하게 혼합하기 위하여 precipitation process를 사용하였다. 원료 물질의 특성 및 열적 반응 해석을 통한 최적 조성비를 설계하였으며, 이들의 입도, 형상, 열량 분석 등의 특성 평가를 수행하여 결과를 비교하였다.

• 한국콘텐츠학회:학술대회논문집
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• 한국콘텐츠학회 2003년도 춘계종합학술대회논문집
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• pp.291-297
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• 2003

정보통신기술의 발전으로 과학기술정보의 다양화, 심층화, 고급화 요구가 증대되고 있으며, 미래 지향적 산업을 위한 과학기술정보기반 구축의 필요성이 날로 커지고 있다. 선진국들은 과학기술분야의 문헌데이터베이스 뿐만 아니라 물성데이터베이스도 개발하여 인터넷을 통해 서비스 하고 있다. 국내에서는 문헌데이터베이스의 구축 및 유통은 정착되어 가는 단계이나 물성데이터베이스에 대한 연구는 매우 미흡하다. 따라서 과학기술분야 정보기반 구축을 위해서도 물성데이터베이스 개발 및 연구가 절실히 필요하다. 본 연구에서는 미래 첨단산업분야인 초전도 재료물성 데이터베이스를 개발하였다. 초전도체 산화물의 열적, 기계적 특성 및 초전도 물성 등에 대한 데이터가 제공되며, 서지정보, 물질정보, 물성정보로 나누어 데이터베이스를 설계하였다.

• 폴리머
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• 제24권2호
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• pp.276-280
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• 2000

폴리아크릴로니트릴 (PAN) 직물을 매트릭스로 하여 전도성고분자인 폴리피롤(PPy)과 전도성 복합재료 직물을 제조하였다. 복합재료의 제조는 PAN 직물을 피롤과 산화제를 포함하는 용액에 일정 시간동안 함침하여 직물상에서 전도성 고분자의 중합을 in-situ로 유도하는 방법을 이용하였다. 복합재료의 물성을 최적화 하기 위한 반응 조건을 설정하였으며, 이때 arylsulfonate 계통의 도판트를 부가적으로 첨가하여 이들이 복합재료의 물성에 미치는 영향을 검토하였다. 본 연구에서 실험한 다양한 종류의 도판트 중에서 antraquinonesulfonate (AQSA)가 부가적으로 첨가된 전도성 PAN 직물이 가장 우수한 전기전도도와 열적 안정성 및 세탁 견뢰도를 나타내었다.

• 한국수소및신에너지학회논문집
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• 제14권4호
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• pp.298-304
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• 2003

The thermal behavior of $NiFe_2O_4$ prepared by a solid-state reaction was investigated for $H_2$ generation by the thermochemical cycle. The reduction of $NiFe_2O_4$ started from $800^{\circ}C$, and the weight loss was 0.2-0.3 wt% up to $1000^{\circ}C$. In the $H_2O$ decomposition reaction, $H_2$ was generated by oxidation of reduced $NiFe_2O_4$. The crystal structure of $NiFe_2O_4$ maintained during the redox reaction of 5 cycles. From this observation, the lattice oxygen in $NiFe_2O_4$ is released without the structural change during the thermal reduction and oxygen deficient $NiFe_2O_4$ can be restored to the spinel structure of $NiFe_2O_4$.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.179-179
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• 2010

다양한 분야에서 확산 방지막은 소자의 신뢰성 향상에 중요한 역할을 하고 있다. 최근 반도체에 적용되기 시작한 구리 배선 형성 공정에서도 실리콘이나 실리콘 산화막으로 구리가 확산하는 것을 방지하는 기술이 중요한 부분을 차지하고 있다. 기존 physical vapor deposition (PVD)법을 이용한 $TaN_x$ 확산 방지막 형성 기술이 성공적으로 적용되고 있으나 반도체의 최소선폭이 지속적으로 감소함에 따라 한계에 다다르고 있다. 20 nm 급과 그 이하의 구리 배선을 위해서는 5 nm 이하의 매우 얇고 높은 피복 단차율을 가진 확산 방지막 형성 기술이 요구된다. 또한, 요구 두께의 감소에 따라 더 우수한 확산 방지 특성이 요구된다. Atomic layer deposition (ALD)은 박막의 정교한 두께 조절이 가능하며 높은 종횡비를 가지는 구조에서도 균일한 박막 형성이 가능하다. 이번 연구에서는 다른 질소 함량을 가진 $TaN_x$ 박막을 Tertiarybutylimido tris (ethylamethlamino) tantalum (TBITEMAT) 전구체와 $H_2+N_2$ 반응성 플라즈마를 사용하여 plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) 법으로 형성하였다. 박막 내질소 함량에 따라 $TaN_x$의 상 (phase)과 미세구조 변화가 관찰되었고, 이러한 물성의 변화는 확산 방지 특성에 영향을 주었다. TEM (Transmission electron microscopy)과 SEM (scanning electron microscope), XPS (x-ray photoelectron spectroscopy)를 통해 $TaN_x$의 물성을 분석하였고, 300 도에서 700 도까지 열처리 후 XRD (x-ray deffraction)와 I-V test를 통해 확산 방지막의 열적 안정성이 평가되었다. PEALD를 통해 24 nm 크기의 trench 기판 위에 약 4 nm의 $TaN_x$ 확산 방지막이 매우 균일하게 형성할 수 있었으며 향후 구리 배선에 효과적으로 적용될 것으로 예상된다.