• 대한소아치과학회지
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• 제27권3호
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• pp.410-418
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• 2000

치아수복시 마무리 과정에서의 연마는 수복물의 수명 및 심미성을 결정하는 중요한 과정으로서 연마시 마찰열의 발생으로 인하여 치수에 위해작용을 줄 수 있으므로 주의를 하여야 한다. 여러 가지 수복 재료를 연마하는 동안 치수내에서 발생하는 열의 변화를 수복물 종류, 이장재 종류, 잔존 상아질의 두께, 연마 시간의 차이에 따라 조사하고자 발치된 구치에 수복물을 충전한 후 aluminum-oxide coated disc를 이용하여 연마하는 과정에서 thermocouple을 이용하여 치수내 온도값을 측정하였으며, 이에 대한 통계적 분석을 시행하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 모든 경우에서 연마 시간이 증가함에 따라 치수내 온도가 증가하였으며, 아말감 연마시 다른 수복 재료에 비해 큰 온도 증가치를 보였으나 composite resin, glass ionomer cement, 그리고 compomer에서는 연마에 따른 온도 변화차가 관찰되지 않았다. 아말감 하방에 이장재를 사용한 경우에 이장재를 사용하지 않았을 경우에 비해 온도 증가량이 적었으며, 다른 수복재에서는 이장재 사용여부에 따른 온도 증가량의 차이는 존재하지 않았다. 본 실험에서 사용된 이장재 중 glass ionomer cement와 zinc phosphate cement에 비해 zinc oxide eugenol cement의 열 차단 효과가 가장 작았다. 수복물에 간헐적인 연마를 시행한 경우, 지속적인 연마를 시행한 경우에 비해 온도 증가량이 작았으며, 아말감 하방의 잔존 상아질의 두께가 감소하면 온도 증가량이 더 커졌으나, 다른 세 종류의 수복재에서는 잔존 상아질의 두께에 따른 차이가 발생하지 않았다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2003년도 추계학술대회 논문요약집
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• pp.88-88
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• 2003

• 한국정밀공학회지
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• 제20권3호
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• pp.42-49
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• 2003

In this paper, we provide the results of polishing temperature distribution by way of infrared ray measurement system as well as polishing resistance, which can be interpreted as tribological aspects of CMP, using force measurement system. The results include the trend of polishing temperature, its distribution profile and temperature change during polishing. The results indicate that temperature affects greatly to the removal rate. Polishing temperature increases gradually and reaches steady state temperature and the period of temperature change occurs first tens of seconds. Furthermore, the friction force also varies as the same pattern with polishing temperature from high friction to low. These results suggest that the first period of the whole polishing time greatly affects the nonuniformity of removal rate.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2011년도 추계학술발표대회
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• pp.24.1-24.1
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• 2011

CMP (Chemical Mechanical Planarization)는 고직접도의 다층구조의 소자를 형성하기 위한 표면연마 공정으로 사용되며, pattern 크기의 감소에 따른 공정 중요도는 증가하고 있다. 반도체 소자 제조 공정에서는 낮은 비용으로 초기재료를 만들 수 있고 우수한 성능의 전기 절연성질을 가지는 산화막을 만들 수 있는 단결정 실리콘 웨이퍼가 주 재료로 사용되고 있으며, 반도체 공정에서 실리콘 웨이퍼 표면의 거칠기는 후속공정에 매우 큰 영향을 미치므로 CMP 공정을 이용한 평탄화 공정이 필수적이다. 다결정 실리콘 박막은 현재 IC, RCAT (Recess Channel Array Transistor), 3차원 FinFET 제조 공정에서 사용되며 CMP공정을 이용한 표면 거칠기의 최소화에 대한 연구의 필요성이 요구되고 있다. 본 연구에서는 알칼리성 슬러리를 이용한 단결정 및 다결정 실리콘의 식각 및 연마거동에 대한 특성평가를 실시하였다. 화학적 기계적 연마공정에서 슬러리의 pH는 슬러리의 분산성, removal rate 등 결과에 큰 영향을 미치고 연마대상에 따라 pH의 최적조건이 달라지게 된다. 따라서 단결정 및 다결정 실리콘 연마공정의 최적 조건을 확립하기 위해 static etch rate, dynamic etch rate을 측정하였으며 연마공정상의 friction force 및 pad의 온도변화를 관찰한 후 removal rate을 계산하였다. 실험 결과, 단결정 실리콘은 다결정 실리콘보다 static/dynamic etch rate과 removal rate이 높은 것으로 나타났으며 슬러리의 pH에 따른 removal rate의 증가율은 다결정 실리콘이 더 높은 것으로 관찰되었다. 또한 다결정 실리콘 연마공정에서는 friction force 및 pad의 온도가 단결정 실리콘 연마공정에 비해 상대적으로 더 높은 것으로 나타났다. 결과적으로 단결정 실리콘의 연마 공정에서는 화학적 기계적인 거동이 복합적으로 작용하지만 다결정 실리콘의 경우 슬러리를 통한 화학적인 영향보다는 공정변수에 따른 기계적인 영향이 재료 연마율에 큰 영향을 미치는 것으로 확인되었으며, 이를 통한 최적화된 공정개발이 가능할 것으로 예상된다.

• 한국광학회지
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• 제21권5호
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• pp.190-194
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• 2010

본 연구에서는 측면연마 된 광섬유 브래그 격자를 측면 연마하고 폴리머 상부층(overlay)를 형성시켜 외부 굴절률과 온도를 동시 측정할 수 있는 광섬유 센서 소자를 제안하였다. 외부굴절률 변화에 민감하지 않는 광섬유 브래그 격자를 이용하여 온도를 측정하고 격자를 측면 연마한 후 폴리머 코팅에 의해 소산장 결합을 유도하여 외부 굴절률 변화를 측정하게 된다. 측면 연마된 광섬유 브래그 격자의 온도 민감도는 0.01 nm/oC로 측정되었고 폴리머 상부층의 온도 민감도는 -0.58 nm/oC로 측정되었고 선형구간 별(1.33-1.39, 1.39-1.42, 1.42-1.44) 굴절률 민감도는 498.8 nm/RIU, 694.9 nm/RIU, 1312 nm/RIU로 측정되었다.

• 대한소아치과학회지
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• 제26권2호
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• pp.365-376
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• 1999

수복물의 연마의 중요성에 대하여 많은 연구들이 이루어져 왔으며, 이는 수복물의 금속성질의 개선, 변연적합성의 증가 그리고 치태축적의 감소 등을 이유로 시행된다. 그러나 불행하게도 수복물에 대한 연마시 열의 발생으로 인하여 치수부위에 손상을 초래하므로 열의 발생을 최소화하려는 노력이 뒤따라야 할 것이다. 이에 본 연구에서는 수복물의 연마시 회전속도의 차이, 냉각제의 적용 유무, 여러 종류의 수복물의 차이, 간헐적인 연마와 연속적인 연마의 차이 그리고 잔존 상아질의 두께의 정도에 따른 치수내부에서의 열의 변화를 알아보기 위하여 발거된 구치에 5급 와동을 형성한 후 복합레진(Z100, 3M co), resin-modified GIC(Dyract, Fuji II LC) 그리고 아말감(Degussa) 등으로 충전하였으며, 다양한 조건에서의 연마를 시행, 치수내부에서의 열의 변화를 측정하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 1. Amalgam을 건조한 상태에서 연마시 다른 재료에 비해 가장 큰 치수내 온도 상승을 보였다(P<0.05). 그러나, Z100, Dyract Fuji II LC 간에는 간헐적 수복물 연마와 연속적인 수복물 연마 모두 어떤 경우든 유의차가 없었다(P>0.05). 2. 같은 조건으로 연마를 시행했을 때, 간헐적인 연마보다 연속적인 연마를 한 경우가 치수내 온도가 더 크게 상승하였다(P<0.01). 3. 아말감과 Dyract 에 있어서는 잔존 상아질의 차이에 따른 치수내 온도변화에 유의한 차이를 보였으나(P<0.01), Fuji II LC에 있어서는 유의성이 없었다(P>0.05). 4. 냉각제의 유무에는 관계없이 어떤 경우든 시간에 따른 온도 상승을 보였다. 그러나, 냉각제를 사용한 경우가 냉각제를 사용하지 않은 경우에 비해 온도 상승값이 훨씬 작았다(P<0.01).

• 한국정밀공학회지
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• 제10권1호
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• pp.147-152
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• 1993

The lapping characteristics of single crystal diamond are studied by considering the crystallographic anisotropy. It is introduced for lapping method to identify crystallographic orientantion by the X-ray diffraction and to measure lapping force ratio, lapping temperature and lapping wear. Diamound bonded wheels are used for lapping under dry condition. On the lapping {110} and {100} planes, it shows remarkable crystallographic anistropy. The lapping force ratio, temperature and wear become gerater with sliding direction along the <100> than along <110>. The results also show that the wear of diamond is influenced by mechanical work(tangential lapping force * lapping distance) as well by lapping speed.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2000년도 하계학술발표회
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• pp.12-13
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• 2000

광섬유형 센서는 전자기 간섭에 강하고 높은 감도와 원거리측정 등의 장점이 있어 이에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다. 온도센서의 경우 다양한 구조의 센서 구현이 용이하고 넓은 온도범위에서의 측정이 가능하다. 하지만 이러한 광섬유형센서는 대부분 온도변화를 물리량의 변화로 감지하기 때문에 작은 온도의 감지에는 구조적인 한계를 가지는 경우가 많으며 이러한 문제점을 개선하기 위하여 많은 연구가 시도되고 있다$^{[1]}$ . 본 논문은 이러한 점을 인지한 측면연마된 광섬유와 평면도파로 결합기형 고감도 온도센서에 관한 연구이다. 본 연구에서는 온도의 감지를 열광학 평면도파로의 열광학계수에 의존하기 때문에 물질의 변화에 따라 다양한 온도감도 조절과 높은 분해능을 가지는 센서의 구현이 가능하다. (중략)

• 한국정밀공학회지
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• 제21권11호
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• pp.46-52
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• 2004

CMP (Chemical-Mechanical Polishing) is a process in which both chemical and mechanical mechanisms act simultaneously to produce the planarized wafer. CMP process is an extensive usage and continuing high growth rates in the semiconductor industry. The understanding of the process, however, is much slower. The nature of material removal from the wafer is still undefined and ambiguous. Material removal rate according to the slurry flow rate is also undefined and ambiguous. Thus, in this study, the basic mechanism of material removal rate as slurry flow rate is defined in terms of energy supply and energy loss.

• 청정기술
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• 제10권3호
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• pp.139-148
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• 2004

스와프는 철강 제조 공정 중에 발생되는 금속 부산물로서 연마유의 함량이 10%이상 되므로 국내에서 지정폐기물로 분류된다. 연마유가 함유된 스와프를 재활용하기 위하여 초임계 이산화탄소를 이용하여 재생하였고, 온도(313.15K-323.15K), 압력(10MPa-30MPa)의 실험 조건이 연마유 추출 효율에 미치는 영향을 살펴보았다. 초임계 이산화탄소의 압력이 높을수록 높은 추출 효율을 보였고, 같은 압력을 기준으로 하였을 때는 온도가 높을수록 빠른 시간 내에 추출 공정이 완료됨을 확인하였다. 본 실험에서는 선형 탈착 kinetics가정의 단일 매개 변수 모델을 사용하여 재생 효율을 예측하였고, 이는 실험 결과와 비교적 잘 일치하였다.