• Journal of the Korea Convergence Society
• /
• v.7 no.5
• /
• pp.169-173
• /
• 2016

Anodic oxidation of aluminum has a sulfuric acid method and a oxalic acid method. Sulfuric acid concentration of the sulfuric acid method is 15~20 wt%. In the case of soft anodizing used in the $20{\sim}30^{\circ}C$ range, and voltage is the most used within a DC voltage 13~15V. In the case of hard anodizing used in the $0{\sim}-5^{\circ}C$ range. An aluminum oxide layer is made using sulfuric acid and oxalic acid. In this study, thermal fatigue of aluminum oxide layer which is made using sulfuric acid and oxalic acid is compared. Crack generating temperature of a sulfuric acid method and a oxalic acid method is $500^{\circ}C$ and $600^{\circ}C$. Thermal fatigue of aluminum oxide layer which is made using oxalic acid is better than thermal fatigue of aluminum oxide layer which is made using sulfuric acid. The characteristic of thermal fatigue can be explained by using thermal expansion coefficient of Al and Al2O3 and manufacturing temperature on Al anodizing. It was made possible through the convergent study to propose the manufacturing method of the anodic oxidation product used at a high temperature.

• Transactions of the Korean hydrogen and new energy society
• /
• v.16 no.4
• /
• pp.350-355
• /
• 2005

소형 PEMFC(Proton Exchange Membrane Fuel Cell)는 전기를 만들기 위해서 고순도의 수소를 필요로 한다. 각각의 마이크로 성형된 금속박판(스테인레스 스틸, 알루미늄)을 진공 브레이징법으로 접합하여 수소공급용 소형 개질기를 제작하였다. 마이크로 채널의 내부는 졸-겔법(스테인레스 스틸)과 양극산화법(알루미늄)으로 촉매를 지지하기 위한 다공성 $Al_2O_3$ 층을 형성시켰다. 스테인레스 스틸 박판은 에칭과 브레이징에 유리하였으나, 표면산화층 코팅을 균일하게 하여 안정적인 촉매반응을 유도하기 위한 균일한 표면 산화층 형성이 힘들었다. 반면 알루미늄 박판은 표면 산화층 형성이 상대적으로 용이했으며, 촉매를 상하지 않는 낮은 온도에서의 적층이 가능했다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
• /
• v.26 no.1
• /
• pp.35-39
• /
• 2019

To date, porous alumina structures have been implemented by electrochemical anodization technique. The anodizing methods can easy to make a porous aluminum oxide film with a regular arrangement, but oxide film with complex structure type such as pillar-on-pore is relatively difficult to implement. Therefore, this study aims to observe the change of anodized oxide pore size, thickness, and structure in a phosphoric acid solution according to applied anodization voltage conditions. For the implementation of hybrid composite oxide structures, it is possible to create by modulating anodization voltage. The experimental conditions were performed at the applied anodization voltage of 100 V and 120 V in 10% phosphoric acid solution, respectively. The experimental results were able to observe the structure of oxides in the form of porous and composite structures (pillar-on-pore), depending on each condition.

• Journal of the Korean institute of surface engineering
• /
• v.21 no.3
• /
• pp.130-141
• /
• 1988

최근에 와서 알루미늄소재의 양극산화피막 형성Mechanism에 관한 연구는 응용분야의 폭넓어지면서 많은 연구가 진행되고 있다. 최신분석 장비의 응용의 폭이 넓어짐으로 해서 연구의 깊이도 점차 증가되고 있는 실정이다. 따라서, 선진국 양극산화피막에 관한 연구는 어디까지 왔는가를 조명하므로 해서 그 응용의 기반을 확고히 하기 위해 본 Review를 연재하고자 한다. 본고에서는 가장 기본적인 연구과제와 양극화산화피막의 Morphology에 관한 내용이다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
• /
• 2009.10a
• /
• pp.205-206
• /
• 2009

다량의 석출물을 포함하고 있는 AC2A 합금을 $0^{\circ}C$에서 2.25M H2SO4에서 양극산화처리를 행하여 피막형성 거동을 관찰하였다. 주조용 알루미늄 합금은 다량의 석출물을 포함하고 있고 석출물들은 산화피막의 형성에 영향을 미치게 된다. 본 연구에서는 주조용 AC2A합금의 양극 산화 피막의 형성에 미치는 석출물들의 영향을 OM, SEM, LSCM을 사용하여 정밀하게 관찰해 보았다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
• /
• 2015.11a
• /
• pp.320-320
• /
• 2015

표면개질이란 재료 본연의 특성만으로 원하는 성능과 기능을 발휘할 수 없을 때 기재 표면에 열에너지, 응력 등을 부가하여 새로운 표면층을 형성하는 방법이다. 특히 양극산화 기술을 이용해 형성된 피막은 경도 및 내마모성 등 기계적 성질이 우수하고, 공정조건 등을 변화시켜 피막 두께와 형상 조절이 용이하여 센서, 필터, 광학용 박막 그리고 전해콘덴서 등에도 주로 사용되고 있다. 본 연구에서는 5083 알루미늄 합금을 이용해 해양환경에서 우수한 내구성을 보유할 수 있는 최적의 양극산화 공정시간을 선정하고자 캐비테이션 실험을 실시하였다. 실험 결과, 공정시간 40분에서 안정적인 산화피막 생성과 함께 탁월한 내캐비테이션 특성을 나타냈다.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
• /
• v.13 no.10
• /
• pp.4757-4761
• /
• 2012

LED chip on board(COB) package has been fabricated using aluminum substrate and aluminum anodization process. An alumina layer, used as a dielectric in COB substrate, is produced on aluminum substrate by selective anodization process. Also, selective anodization process makes it possible to construct a thermal via with a fully-filled via hole. Two types of the COB package are fabricated in order to analyze the effects of their substrate types on thermal resistivity and luminous efficiency. The aluminum substrate with the thermal via shows more improved measurement results compared with the alumina substrate. These results demonstrate that selective anodization process and thermal via can increase heat dissipation of COB package in this work. In addition, it is proved experimentally that these parameters also can be enhanced using efficient layout of multiple chip in the COB package.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2000.02a
• /
• pp.133-133
• /
• 2000

알루미늄 산화막은 알루미늄 전해 커패시터의 유전재료로 많이 사용되고 잇다. 기존의 생산 공정은 양극 산화법에 의한 산화막 형성으로 대부분이 이러한 습식 공정으로 생산되고 있다. 이 양극 산화법 방식은 장점도 있으나 폐기물이 많이 발생되는 단점이 있다. 본 연구에서는 폐기물의 발생을 획기적으로 줄일 수 있고 산화막 형성 효율을 높일 수 잇는 방식으로 activated reactive evaporation(ARE)을 도입하였다. 이 방식은 electron-beam에 의해 알루미늄을 증착시킬 때 plasma를 챔버 내에 발생시켜 활성 반응으로 알루미늄 원자가 산소와 반응하여 기판위에 Al2O3가 증착되는 것이다. 이 방식은 기계적 작동이 단순하고 증착이 되는 여러 변수들의 독립적 조절이 가능하므로 증착을 제어하기 쉽기 때문에 바로 산업 현장에서 적용될 수 있을 것으로 전망되어 본 연구에 도입하게 되었다. 기판은 유전용량을 증가시키기 위하여 알루미늄 원박을 에칭하였다. 이것은 기판으로 쓰일 알루미늄의 표면의 표면적을 증가시키기 위한 것으로, 알루미늄 전극의 표면적을 확대시키면 유전용량이 증가된다. 99.4%의 50$\mu\textrm{m}$와 60$\mu\textrm{m}$ 두께의 알루미늄 원박을 Ar 이온빔에 의해 1keV의 에너지로 20mA로 에칭을 하였다. 에칭 조건별로 에칭상태를 조사하였다. 에칭 후 표면 상태는 AFM으로 관찰하였다. 화성 실험은 진공 챔버 내의 진공을 약 10-7 torr까지 내린 후, 5$\times$10-5 torr까지 O2와 Ar을 주입시킨 다음 filament에서 열전자를 방출시키고 1.2 kV의 electrode에 의해 가속시켜 이들 기체들의 플라즈마를 발생시켰다. e-beam에서 증발된 알루미늄과 활성 반응을 이루어 기판에 Al2O3가 형성되었다. 여러 증착 변수들(O2와 Ar의 분압, 가속 전압, bias 전압 등)과 산화막의 상태 등을 XPS(X-ray photoelectron spectroscopy), AFM(Atomic Force Microscopy), XRD(X-Ray Diffraction), EXD로 조사하였다.

• Proceedings of the Korean Society for Technology of Plasticity Conference
• /
• 2007.10a
• /
• pp.166-167
• /
• 2007

본 연구에서는 Anodic Aluminum Oxide(AAO)-Nano Template 제조 시 알루미늄의 결정방위가 AAO 미세공 형성에 미치는 영향을 연구하였다. 시료는 직경 20mm 두께 2mm의 (200), (220), (111) 세가지 알루미늄 단결정 시편을 사용 하였으며 이는 XRD 장비로 단결정임을 확인 하였다. 양극산화에 앞서 평활한 면을 얻기 위해 다이아몬드 콤파운드($1{\mu}m$)로 미세연마 하였으며 양극산화는 세가지 시편에 대해 모두 동일한 조건에서 2단계 양극산화까지 하였다. 결과는 주사전자현미경(FE-SEM)으로 제조된 AAO 표면의 세공형태와 단면을 모두 관찰 하였으며 그 결과 (200) 결정방위가 (220), (111) 결정 방위보다 세공 형태 균일도 및 단면 정열도와 직진성이 우수함을 관찰 할 수 있었다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
• /
• v.47 no.4
• /
• pp.69-74
• /
• 2010

A new package substrate for dynamic random access memory(DRAM) devices has been developed using selective aluminum anodization. Unlike the conventional substrate structure commonly made by laminating epoxy-based core and copper clad, this substrate consists of bottom aluminum, middle anodic aluminum oxide and top copper. Anodization process on the aluminum substrate provides thick aluminum oxide used as a dielectric layer in the package substrate. Placing copper traces on the anodic aluminum oxide layer, the resulting two-layer metal structure is completed in the package substrate. Selective anodization process makes it possible to construct a fully filled via structure. Also, putting vias directly in the bonding pads and the ball pads in the substrate design, via in pad structure is applied in this work. These arrangement of via in pad and two-layer metal structure make routing easier and thus provide more design flexibility. In a substrate design, all signal lines are routed based on the transmission line scheme of finite-width coplanar waveguide or microstrip with a characteristic impedance of about $50{\Omega}$ for better signal transmission. The property and performance of anodic alumina based package substrate such as layer structure, design method, fabrication process and measurement characteristics are investigated in detail.