• 제목/요약/키워드: 애노드

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능동적인 사이버 공격 트리 설계: 애트리뷰트 접근 (An Architecture of a Dynamic Cyber Attack Tree: Attributes Approach)

  • 엄정호
    • 정보보호학회논문지
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    • 제21권3호
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    • pp.67-74
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    • 2011
  • 본 논문에서는 복잡하고 변형된 공격을 탐지할 수 있는 사이버 공격 모델을 위해서 공격 시나리오를 유연하게 표현할 수 있는 능동적인 사이버 공격 트리를 제안하였다. 공격 트리는 네트워크 시스템에 대한 다양한 공격에 대해 보안 대책을 수립할 수 있도록 체계적이고 조직적인 해결책을 제시한다. 기존의 공격 트리는 정점 (${\nu}$), 엣지(${\varepsilon}$) 그리고 조합(${\theta}$)을 이용하여 공격 시나리오를 표현할 수 있다. 그러나 제한적인 애트리뷰트를 인해서 복잡하고 변형된 공격을 표현하기에는 한계가 있다. 우리는 공격 트리 애트리뷰트에 조합 요소와 위협발생확률을 추가하여 기존에 공격 트리가 갖고 있던 한계점을 해결하였다. 우선 조합요소를 강화하여 공격 순서의 모호성을 줄였으며 변형된 공격 표현의 유연성을 향상시켰다. 위협발생확률을 추가하여 자식노드부터 부모노드까지의 공격단계별 위험수준을 알 수 있게 하였다.

3극 티타늄 실리사이드 전계방출 팁 어레이의 제작 (Fabrication of triode type Ti-silicided field emission tip array)

  • 엄우용
    • 전자공학회논문지 IE
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    • 제44권3호
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    • pp.1-5
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    • 2007
  • Si 팁 기술의 장점을 살리면서 팁을 실리사이드화하여 팁표면의 열화학적 내구성을 증가시키고 전계방출 전류밀도를 금속 팁에 가깝게 끌어올릴 수 있는 새로운 3극관 형태의 전계방출 팁 구조를 제작하였다. 제작된 소자의 전계방출 특성을 $10^{-8}Torr$의 초고진공 상태에서 캐소드-애노드 간격을 $100{\mu}m$로 하여 측정한 결과, turn-on 전압이 약 40V로, 방출전류가 인가 전압 150V에서 약 $69{\mu}A$로 나타났다.

턴-오프 시 PT-IGBT의 애노드 전압 강하 모델링 (Modeling of Anode Voltage Drop for PT-IGBT at Turn-off)

  • 류세환;이호길;안형근;한득영
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제21권1호
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    • pp.23-28
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    • 2008
  • In this paper, transient characteristics of the Punch Through Insulated Gate Bipolar Transistor (PT-IGBT) have been studied. On the contrary to Non-Punch Through Insulated Gate Bipolar Transistor(NPT-IGBT), it has a buffer layer and reduces switching power loss. It has a simple drive circuit controlled by the gate voltage of the MOSFET and low on-state resistance of the bipolar junction transistor. The transient characteristics of the PT-IGBT have been analyzed analytically. Excess minority carrier and charge distribution in active base region, the rate of anode voltage with time are expressed analytically by adding the influence of buffer layer. The experimental data is obtained from manufacturer. The theoretical predictions of the analysis have been compared with the experimental data obtained from the measurement of a device(600 V, 15 A) and show good agreement.

플로우팅 전극과 보조 게이트를 이용하여 스냅백을 없앤 애노드 단락 SOI LIGBT의 수치 해석 (Numerical Analyses on Snapback-Free Shorted-Anode SOI LIGBT by using a Floating Electrode and an Auxiliary Gate)

  • 오재근;김두영;한민구;최연익
    • 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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    • 제49권2호
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    • pp.73-77
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    • 2000
  • A dual-gate SOI SA-LIGBT (shorted-anode lateral insulated gate bipolar transistor) which eliminates the snapback effectively is proposed and verified by numerical simulation. The elimination of the snapback in I-V characteristics is obtained by initiating the hole injection at low anode voltage by employing a dual gate and a floating electrode in the proposed device. For the proposed device, the snapback phenomenon is completely eliminate, while snapback of conventional SA-LIGBT occurs at anode voltage of 11 V. Also, the drive signals of two gates have same polarity by employing the floating electrode, thereby requiring no additional power supply.

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트랜치 구조를 갖는 단락 애노드 SOI LIGBT (Trench Shorted Anode LIGBT on 501 Substrates)

  • 최승필;하민우;한민구;최연익
    • 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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    • 제51권5호
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    • pp.196-198
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    • 2002
  • A trench shorted anode LIGBT (TSA-LIGBT) which decreases the device area and the forward voltage drop has been proposed and verified by 2D device simulations. The trench located in the shorted anode would form the shorted anode. The simulation results show that TSA-LIGBT decrease the device area by about 20% and the forward voltage drop by over 75% compared with the conventional ones. Also the troublesome negative differential resistance (NDR) regime has been eliminated successfully in the TSA-LIGBT.

나노 다공질 실리콘 다이어프램에 캐리어 주입을 위한 전극 형성 및 응용 (Formation of electrode for carrier injection into nano-porous silicon diaphragm and its applications)

  • 표성열;강철구;강문식;홍석인;민남기
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2002년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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    • pp.77-78
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    • 2002
  • 본 논문은 Pt/Ti 박막을 HF-ethanol 혼합 용액에 대한 매스킹 물질과 오믹 전극으로 사용하였다. 다공질 실리콘 층에 정공과 전자의 주입을 용이하게 하기 위해 이온 주입 공정으로 애노드(anode)와 캐소드(cathode) 전극을 실리콘 다이어프램에 구성하였다. 실리콘 다이어프램 영역에 정전압을 인가하여, 전기화학적 방법으로 관통된 PSi 층을 다이어프램 영역에 성장시켰다. 또한, 제작된 소자를 UV에 대한 광 특성을 고찰하였다.

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CNT 전계방출용 펄스전원장치 개발에 관한 연구 (A study on the development of pulse generator system for CNT field emission)

  • 김정훈;정혜만;류명효;김종현;유동욱;김희제
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2005년도 추계학술대회 논문집 전기기기 및 에너지변환시스템부문
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    • pp.166-168
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    • 2005
  • 본 논문에서는 고효율 고휘도의 신광원을 개발함에 있어, 전계방출(Field Emission) 원리를 이용하여, 이미터로서의 성능이 입증된 CNT(Carbon Nanotube, 탄소나노튜브)를 이용한 평판 형태의 신개념 램프에 대한 펄스전원장치에 대한 연구를 하였다. 특히, Triode형 CNT 램프 구동을 위해서는 캐소드(cathode)와 게이트(gate) 사이에서 양방향(Bi-polar) 저전압 펄스가 필요하고 애노드(anode)에 직류 고전압이 필요하여 이를 위한 저전압 펄스 및 직류 고전압 전원장치에 대한 개발을 연구하였다.

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다중 레이어를 이용한 모션캡쳐 수정에 관한 연구 (The Revision of Motion Capture Data using Multiple Layers)

  • 김기홍;최철영;채일진
    • 한국멀티미디어학회논문지
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    • 제12권7호
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    • pp.903-912
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    • 2009
  • 모션캡쳐 데이터의 떨림 현상 수정이나 변형을 위한 기술 개발이나 애니메이션 타이밍 시트에 맞게 모션 캡쳐 데이터를 수정하는 것은 어려운 문제가 산적해 있다. 기존의 모션캡쳐 데이터 수정 방식은 능숙한 애니메이터의 키프레임 애니메이팅 작업과 같은 시간이 소요거나 혹은 더 많은 수정 시간이 걸리는 문제점이 있었다. 이런 문제점은 키 애니메이션 데이터 노드와 직접적인 블렌드 레이어와 대치 레이어 노드 생성을 통해 보다 효과적인 해결 방식을 만들 수 있다. 본 논문에서는 애니메이션 노드에 직접적인 연결을 위한 새로운 애니메이션 레이어 노드 생성으로 진행된 애니메이션 데이터 수정 없이 비선형 방식으로 애니메이션 데이터의 수정을 가능케 하는 방식으로 제시한다. 기술의 구현은 'Haya' API를 활용할 것이고 연구범위는 영화 VFX와 애니메이션 제작에 사용되는 'Maya' 3D 소프트웨어로 제한하였다. 본 연구 결과물은 기존의 비선형 방식보다 직관적이며, 애니메이션 클립을 만들 선행 작업이 필요 없고, 떨림 수정과 키프레임 추출이 가능하며, 특히 타 프로그램과의 호환이 직접적인 레이어 노드를 생성하여 모션캡쳐 데이터의 수정을 가능하게 한다. 마지막으로 기존의 애니메이션 수정방식들을 살펴보고 비교, 분석해 본다.

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계층 최대 R-트리를 이용한 범위 상위-k 질의의 효율적 수행 (Efficient Execution of Range Top-k Queries in a Hierarchical Max R-Tree)

  • 홍석진;이상준;이석호
    • 한국정보과학회:학술대회논문집
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    • 한국정보과학회 2003년도 봄 학술발표논문집 Vol.30 No.1 (A)
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    • pp.746-748
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    • 2003
  • 범위 상위-k 질의는 질의 범위 내의 다차원 데이타 중 값 애트리뷰트를 기준으로 상위 k개의 레코드를 반환하는 질의로 공간 데이타베이스와 데이타 웨어하우스에서 분석을 위해 많이 사용되는 유용한 질의 형태이다. 이 논문에서는 계층 최대 R-트리의 선택적인 탐색을 통해 범위 상위-k 질의를 효과적으로 수행하는 기법을 제시한다. 질의 결과를 포함하지 않는 단말 노드를 접근하지 않고 질의를 수행할 수 있기 때문에 적은 노드 접근으로도 질의 수행이 가능하며, 질의 범위의 크기에 관계없이 거의 일정한 성능을 보인다. 두 개의 우선순위 큐를 사용하며 질의 수행 공간을 최소화 하며, In Sorted Node 기법을 통해 기존 R-트리와 같은 팬아웃을 보장할 수 있다.

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IPv6에서의 지역적 이동성 지원 방안 (A New Localized Mobility Support Scheme in IPv6)

  • 우미애
    • 한국정보처리학회:학술대회논문집
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    • 한국정보처리학회 2002년도 춘계학술발표논문집 (하)
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    • pp.1463-1466
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    • 2002
  • 본 논문에서는 IPv6 네트워크에서 이동성을 지원할 때, 광역 이동 시에는 Mobile IPv6 를 사용하고 지역 이동 시에는 바인딩 갱신 정보를 해당 지역으로 국한시키는 지역적 이동성 지원 방안을 제안한다. 본 논문에서 제안하는 방안의 장점은 이동 노드의 기능만을 향상시키면 어떤 외부 도메인으로 이동 노드가 로밍하더라도 지역적 이동성을 제공받을 수 있으므로 상호 운용의 문제가 없다는 것으로써, 다른 어떠한 지역적, 혹은 마이크로 이동성 지원 방안과도 차별화 된다. 제안된 이동성 제공 방안의 성능을 알아보기 위하여 네트워크 안의 에이전트들에게 전달되는 바인딩 갱신율을 해석적으로 분석하였다. 그 결과 제안된 방안은 홈 에이전트로의 바인딩 갱신 횟수를 줄임으로써 홈 에이전트의 처리 부하와 인터넷 백본으로의 트래픽 양을 감소시킴을 보였다. 또한 Mobile IPv6보다 핸드오프 시 바인딩 갱신 지연과 패킷 손실율이 적음을 입증하였다.

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