• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2012년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.484-485
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• 2012

Z-소스 인버터는 스위치의 암 단락과 개방을 이용한 인버터로써 기존의 전압형과 전류형 인버터의 단점을 개선하면서 승압 및 강압 기능을 동시에 가질 수 있다. 하지만 주전원과 스위치 회로 사이에 위치한 임피던스 네트워크 때문에 스위칭 소자에 과도한 전압 오버슈트가 발생하며, 암 단락으로 인한 스위칭 손실이 기존의 전압형 인버터보다 증가하게 되는 단점이 있다.. 본 논문에서는 소프트 스위칭구현이 가능한 무손실 스너버를 적용한 소프트 스위칭 trans-Z-소스 인버터를 제안한다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2016년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.97-98
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• 2016

일반적으로 산업체에서 사용되는 전압형 PWM(Pulse Width Modulation) 인버터는 2개의 스위칭 소자가 직렬 연결된 단상하프 브릿지 회로를 기본 회로로 사용한다. 보통 극(pole), 암(arm) 또는 레그(leg)라 불리며 상보적으로 스위칭한다. 하지만 게이팅 신호 전달의 시지연과 스위치의 온-오프 시간차이에 의해 두 스위치가 동시에 켜지는 단락 사고를 방지하기 위해 데드 타임을 사용한다. 데드 타임은 직렬 연결된 두 스위치를 동시에 끔으로써 인버터의 안정적인 동작을 보장하지만 인버터 출력 전압 제어가 불가능하여 전압 및 전류 왜곡과 소음, 진동을 야기한다. 본 논문에서는 데드 타임 보상을 위한 적절한 전압 선정 방법에 대해 알아본다. 데드 타임 보상 전압 선정을 위해 부하 전류의 6고조파 성분을 추출, 비교하여 적절한 데드 타임 보상 전압을 선정하였으며 실험을 통해 그 유효성을 검증하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2001년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1357-1359
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• 2001

0.2${\mu}m$ 이하의 최소 선폭을 가지는 소자를 구현할 때 drain induced barrier lowering (DIBL)이나 hot electron effect와 같은 short channel effect (SCE)가 나타나며 이로 인하여 소자의 신뢰성이 악화되기도 한다. 이를 개선하기 위한 방법 중 하나가 silicon selective epitaxial growth (SEG)를 이용한 elevated source/drain (ESD) 구조이다. 본 연 구에서는 silicon selective epitaxial growth를 이용하여 elevated source/drain 구조를 갖는 MOSFET 소자와 일반적인 MOSFET 구조를 갖는 소자와의 차이를 elevated source/drain의 높이 변화에 따른 전류 전압 특성을 이용하여 비교, 분석하였으며 그 결과 elevated source/drain 구조가 short channel effect를 감소시킴을 확인할 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.428-428
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• 2012

ZnO 나노 구조는 화학적으로 안정하고 큰 엑시톤 에너지를 가지는 성질 때문에 청색 영역에서 작동하는 광전소자의 제작에 대단히 유용하다. ZnO 나노 구조중에서 ZnO 나노 입자는 UV 광탐지기 소자가 작동하는 영역에서 광반응이 매우 민감하여 연구가 많이 진행되고 있다[1]. 그래핀은 높은 전도도, 투명도 및 화학적, 열적 안정성이 뛰어난 독특한 물리적 특성을 가지고 있기 때문에 차세대 전자소자와 광전소자의 우수한 소재로 각광 받고 있다[2,3]. 본 연구에서는 UV 광탐지기에서 뛰어난 특성을 보이는 ZnO 양자점을 포함된 poly-N-vinylcarbazole (PVK) 층에 전기적 특성이 뛰어난 그래핀 층을 삽입하여 UV 광탐지기의 광전류를 향상 시키는 연구를 하였다. PVK 표면에 ZnO 양자점이 붙어서 형성되어 있는 모습과 그래핀 층에 PVK와 ZnO QD가 붙어있는 것을 투사 전자 현미경을 통하여 관찰 하였다. 전류-접압 측정을 하여 암전류와 광전류의 차이가 많이 나는 것을 알 수 있었다. 그래핀 층을 삽입한 광탐지기 소자에서 광전류가 향상되는 것을 알 수 있었다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2019년도 전력전자학술대회
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• pp.336-337
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• 2019

본 논문에서는 MMC (Modular Multilevel Converter) 기반 HVDC (High Voltage Direct Current) 시스템을 위한 서브모듈 시험회로를 제안한다. 서브모듈 시험회로는 MMC 기반 HVDC 시스템의 한 암(arm)의 전류를 모사한 서브모듈 시험전류를 만들어 서브모듈 성능시험을 하기 위한 것이다. 본 논문에서는 시험회로의 인덕턴스를 줄이기 위해 5 레벨 인버터를 사용한 새로운 방식의 회로를 제안한다. 시뮬레이션을 통하여 제안하는 서브모듈 시험회로의 타당성을 검증하였다.

• 대한화학회지
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• 제37권2호
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• pp.213-219
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• 1993

들뜬 rhodamine B로부터 박막반도체 $SnO_2$의 전도띠로 주입되는 광전류를 여러 가지의 초감응체가 존재하는 용액에서 시간에 따라 조사하였다. ascorbic acid를 초감응체로 쓰면 그것의 농도, 용액의 pH, 그리고 $SnO_2$에 걸어주는 전위 등이 증가함에 따라 광전류가 대체로 증가하였으나, 전위가 노팡짐에 따라 암전류도 증가하였다. 반면에 KI를 초감응제로 사용하면 낮지만 비교적 안정한 전류를 보여주었다. 용매효과를 포함하여 이들 광감응전류를 증가시키는 원인을 규명해 보았다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.238-238
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• 1999

현대 AC-PDP(Plasma Display Panel)의 유지전극 구조는 공면 전극구조를 가지고 있다. 공면 전극구조하에서 Ne-Xe 혼합가스에 대한 이온화율 측정을 시도하였다. 일정한 전극 간격을 가지고 있는 공면 전극 구조에서 암전류와 방전류를 측정함으로써 이온화율을 측정하였다. 본 실험의 결과를 통하여 압력으로 규격화된 전기장에 대하여 압력으로 규격화된 이온화율을 나타낼 수 있으며 단일 가스에 대한 이온화율과 혼합값에 대한 이온화율을 비교할 수 있으며 실제 PDP구조하에서의 이온화율을 적용할 수 있다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.39-40
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• 2010

본 논문에서는 기존 방식의 단상 인버터가 아닌 central arm을 이용한 새로운 형태의 단상 인버터를 제안하였다. 제안된 토폴로지는 기존의 단상 인버터와 동일한 정현파 출력 전압을 가지면서 기존 멀티레벨 인버터에 비해 스위치 수를 감소시키고도 전압 출력이 3-레벨을 가지므로 출력 전류의 THD 함유를 적게 가져갈 수 있는 장점이 있다. 이에 토폴로지의 타당성을 시뮬레이션을 통해 검증하였다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2018년도 전력전자학술대회
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• pp.360-361
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• 2018

현재 건설 중장비에는 암전류에 의한 배터리 방전 문제가 발생하고 있고 이에 태양광 충전 시스템을 필요로 한다. 본 논문에서는 6톤급 중장비에 적용 가능한 태양광 컨버터 개발에 대한 내용을 다루며 태양전지의 용량 선정, MPPT 적합성 검토, 독립형 충전 시스템 구현, 배터리 방전 방지 기능의 실효성을 확인한다. PSIM 시뮬레이션을 통해 MPPT 및 충전 로직을 검증하고 실험을 통해 40W급 충전 시스템의 P&O 알고리즘 성능을 확인한다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제47권1호
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• pp.38-45
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• 2010

초점면 배열 원적외선 검출기를 위한 새로운 신호취득 회로를 연구하였다. 각 픽셀 감지소자에 흐르는 전류에 따라, 각 픽셀 회로의 적분시간이 능동적으로 최적화될 수 있도록 리셋 신호를 조정하는 방식이다. 따라서, 제안하는 신호취득 회로는 넓은 동작 범위와 뛰어난 신호 대 잡음 비 특성을 동시에 가질 수 있다. 회로 제작에 사용한 공정은 $0.35{\mu}m$ 2-poly 4-metal CMOS 공정이다. 원적외선 감지소자로서 HgCdTe 다이오드를 사용했고, 배열의 크기는 $128{\times}128$이며, 단위 픽셀의 크기는 $50{\mu}m{\times}50{\mu}m$이다. 기존에 제안한 이 단계 암전류 억제 방식과 더불어 본 논문에서 제안하는 리셋 조정 회로를 함께 사용할 경우, 신호 대 잡음 비와 동작 범위를 각각 87dB와 95.8dB 까지 향상시킬 수 있다.