• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.29 no.6
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• pp.321-326
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• 2016

Minimizing the carrier recombination and electrical loss through surface passivation is required for high efficiency c-Si solar cell. Usually, $SiN_X$, $SiO_X$, $SiON_X$ and $AlO_X$ layers are used as passivation layer in solar cell application. Silicon oxide layer is one of the good passivation layer in Si based solar cell application. It has good selective carrier, low interface state density, good thermal stability and tunneling effect. Recently tunneling based passivation layer is used for high efficiency Si solar cell such as HIT, TOPCon and TRIEX structure. In this paper, we focused on silicon oxide grown by various the method (thermal, wet-chemical, plasma) and passivation effect in c-Si solar cell.

• Journal of IKEEE
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• v.27 no.4
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• pp.386-390
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• 2023

In this study, we examined the quasi-nonvolatile memory characteristics of silicon nanosheet (SiNS) feedback field-effect transistors (FBFETs) fabricated using a complementary metal-oxide-semiconductor process. The SiNS channel layers fabricated by photoresist overexposure method had a width of approximately 180 nm and a height of 70 nm. The SiNS FBFETs operated in a positive feedback loop mechanism and exhibited an extremely low subthreshold swing of 1.1 mV/dec and a high ON/OFF current ratio of 2.4×10⁷. Moreover, SiNS FBFETs represented long retention time of 50 seconds, indicating the quasi-nonvolatile memory characteristics.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.11 no.7
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• pp.556-561
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• 2001

We prepared a new a SOS(silicon-on-silicide) wafer pair which is consisted of Si(100)/1000$\AA$-NiSi Si (100) layers. SOS can be employed in MEMS(micro- electronic-mechanical system) application due to low resistance of the NiSi layer. A thermally evaporated $1000\AA$-thick Ni/Si wafer and a clean Si wafer were pre-mated in the class 100 clean room, then annealed at $300~900^{\circ}C$ for 15hrs to induce silicidation reaction. SOS wafer pairs were investigated by a IR camera to measure bonded area and probed by a SEM(scanning electron microscope) and TEM(transmission electron microscope) to observe cross-sectional view of Si/NiSi. IR camera observation showed that the annealed SOS wafer pairs have over 52% bonded area in all temperature region except silicidation phase transition temperature. By probing cross-sectional view with SEM of magnification of 30,000, we found that $1000\AA$-thick uniform NiSi layer was formed at the center area of bonded wafers without void defects. However we observed debonded area at the edge area of wafers. Through TEM observation, we found that $10-20\AA$ thick amourphous layer formed between Si surface and NiSix near the counter part of SOS. This layer may be an oxide layer and lead to degradation of bonding. At the edge area of wafers, that amorphous layer was formed even to thickness of $1500\AA$ during annealing. Therefore, to increase bonding area of Si NiSi ∥ Si wafer pairs, we may lessen the amorphous layers.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.24 no.3
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• pp.7-11
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• 2017

In this paper, we have studied the characteristics of NAND Flash memory in SONOS Poly-Si Thin Film Transistor (Poly-Si TFT) device. Source/drain junctions(S/D) of cells were not implanted and selective transistors were located in the end of cells. We found the optimum conditions of process by means of the estimation for the doping concentration of channel and source/drain of selective transistor. As the doping concentration was increased, the channel current was increased and the characteristic of erase was improved. It was believed that the improvement of erase characteristic was probably due to the higher channel potential induced by GIDL current at the abrupt junction. In the condition of process optimum, program windows of threshold voltages were about 2.5V after writing and erasing. In addition, it was obtained that the swing value of poly Si TFT and the reliability by bake were enhanced by increasing process temperature of tunnel oxide.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.5 no.4
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• pp.41-46
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• 1996

The Pd/Pt gate MISFET type hydrogen sensors, for detecting dissolved hydrogen gas in the transformer oil, were fabricated and their characteristics were investigated. These sensors including diffused resister heater and temperature monitoring diode were fabricated on the same chip by a conventional silicon process technique. The differential pair plays a role in minimizing the intrinsic voltage drift of the MISFET. To avoid the drift of the sensors induced by the hydrogen, the gate insulators of both FETs were constructed with double layers of silicon dioxide and silicon nitride. In order to eliminate the blister formation on the surface of the hydrogen sensing gate metal, Pt and Pd double metal layers were deposited on the gate insulator. The hydrogen response of the Pd/Pt gate MISFET suggests that the proposed sensor can detect the dissolved hydrogen in transformer oil with 40mV/10ppm of sensitivity and 0.14mV/day of stability.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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• v.35D no.10
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• pp.29-38
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• 1998

In this paper, we have induced a model for the growth and dissolution of oxygen precipitates which is generated during arbitrary thermal treatments or VLSI processes in CZ-grown silicon. Based on diffusion-limited growth law and detailed balance equilibrium theory, growth and dissolution rates are induced and inserted into a set of chemical rate equations and a Fokker-Planck equation. Then this is solved by numerical analysis. And because phenomenon at the silicon surface must be considered differently in various annealing conditions, in particular in $O_2$ ambient we have considered the growth model of SiO$_2$ at the surface of silicon wafer and the enhancement of oxygen solubility. By this method, oxygen depth profile and density distribution of oxygen precipitates are calculated more accurately than the other simulation results.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.91-91
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• 2010

현재 나노크기의 나노소자에 대한 관심과 연구가 활발히 진행 중에 있고, 나노소자 제작을 위한 나노구조체 연구에도 탄력을 받고 있다. 나노구조체 연구 중에서도 탄소나노튜브(CNT)와 실리콘이 많이 연구되고 있으나 CNT의 경우 금속과 반도체 등 전기적 특성이 혼재되어 분리기술이 필요하며, 실리콘 기반의 나노구조체들은 공기 중에 노출되었을 경우 자연 산화막 생성에 대한 문제점들이 대두되고 있다. 이러한 기존 나노구조체들의 문제점들을 극복하기 위해 산화물 계열의($InO_3$, ZnO와 $SnO_2$ 등) 나노구조체들이 화학, 광학 및 생화학 센서등의 다양한 응용 연구들이 진행되고 있다. 본 연구에서는 thermal evaporation법으로 tube furnace 장비를 이용하여 온도($500{\sim}900^{\circ}C$)변화에 따른 ZnO nanorod를 성장시켰다. 성장된 ZnO nanorod의 구조적 특성을 확인하기 위하여 전계방출주사전자현미경(SEM)을 측정한 결과 ZnO nanorod들은 직경 50~80nm, 길이는 400~1000nm 이상까지 다양한 직경과 길이를 가지고 성장되었으며 $800^{\circ}C$ 에서 성장된 ZnO nanorod가 가장 곧고 이상적인 nanorod의 형태를 이루는 것을 확인할 수 있었다. Nanorod는 온도가 높아질수록 nanowire로 성장됨에 따라 본 연구에서 $800^{\circ}C$ 에서는 nanorod형태를 이루고 있으나 $900^{\circ}C$에서부터 nanowire의 형태로 성장되었다. 또한 성장된 ZnO nanorod들의 X-선 회절패턴(XRD)을 측정 결과 ZnO의 (002) 우선 배양성 때문에 성장된 nanorod 또한 (002) 방향으로 성장되었음을 확인하였다. 이 연구를 통하여 온도를 조절함으로서 ZnO nanorod의 성장제어가 가능함을 확인하였고, 특성 분석을 통하여 발광소자, Solar Cell로의 응용가능성을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.77-77
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• 2010

그래핀(Graphene)은 한 겹(layer)의 2차원 판상 구조에 탄소원자들이 육각형의 기본 형태로 배열되어 있는 나노재료로서, 우수한 역학적 강도와 화학적, 열적 안정성 및 흥미로운 전기 전자적 성질을 가지고 있는 것으로 알려져 있다. 최근, 이러한 특징적이고도 우수한 물성으로 인하여 기초물성 연구에서부터 차세대 응용까지 고려한 각종 연구들이 활발하게 진행되고 있다. 일반적으로 그래핀을 얻는 방법에는 물리 화학적 박리, 열화학증기증착법(TCVD), 탄화규소의 흑연화, 흑연산화물의 환원 등의 방법들이 알려져 있다. 그 중 TCVD법이 두께의 균일성이 높은 그래핀을 합성하는데 가장 적절한 것으로 알려져 있다. 그러나 TCVD법은 탄소를 포함하는 원료가스를 분해하기 위하여 고온의 공정을 필요로 하게 되지만, 향후 산업적 응용을 고려한다면 대면적 그래핀의 저온합성법 개발은 풀어야 할 시급한 과제로 인식되고 있다. 현재는 메탄을 원료가스로 사용하여 $900^{\circ}C$ 이상에서 그래핀을 합성하는 추세이고, 최근 아세틸렌등의 활성원료가스를 이용하여 $900^{\circ}C$ 이하에서 저온 합성한 연구결과들도 속속 보고되고 있다. 본 연구에서는 고주파 플라즈마를 이용하여 비교적 저온에서 탄소원료가스를 효율적으로 분해하고, 확산플라즈마 영역에 TCVD 챔버를 결합한 하이브리드 화학증기증착법을 이용하여 그래핀의 저온합성을 도모하였다. 원료가스로는 메탄을 사용하였고, 기판으로는 전자빔증착법으로 증착한 니켈 박막 및 구리포일을 사용하였다. 실험결과, 그래핀은 $600^{\circ}C$ 부근의 저온에서도 수 층으로 이루어진 그래핀이 합성된 것을 확인하였다. 합성한 그래핀은 분석의 용이함 및 향후 다양한 응용을 위하여 실리콘산화막 및 투명고분자 기판 위에 전사(transfer)하였다. 합성된 그래핀의 구조평가를 위해서는 광학현미경과 Raman분광기를 주로 사용하였으며, 원자힘현미경(AFM), 주사전자현미경(SEM), 투과전자현미경(TEM) 등도 이용하였다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2008.05a
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• pp.374-377
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• 2008

비정질 Si박막 태양전지의 후면 반사층을 위한 ZnO:Al TCO박막을 RF Magnetron Sputtering 방법으로 증착하였으며 이의 전기적, 광학적 특성 및 구조를 최적화하였다. Sputtering의 공정변수인 증착 RF 파워, 기판온도, 타겟-기판 거리, 증착압력을 변화시켜 ZnO:Al 단일막의 전기적, 광학적 특성을 최적화 하였고,이를 소면적 태양전지 셀 및 모듈에 적용하였다.그 중 증착 RF파워 및 압력이 단일막의 전기적,광학적 특성에 타겟-기판거리는 박막의 균일도에 큰 영향을 주었다. 압력에 따른 박막의 치밀도를 SE EMA방법으로 정량화하였고, 광학적, 전기적 특성과 연관하여 해석하였다. ZnO:Al 박막의 물성을 최적화하여 태양전지 셀에 적용한 결과 두께 80nm에서 가장 큰 Jsc의 증가를 보였고, 적용 전에 비해 약 18%의 광변환효율의 증가를 얻었다. 최적화된 태양전지 셀의 광변환효율은 9.9%, 모듈 효율은 7.4%였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.11 no.2
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• pp.108-112
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• 2002

We investigated the secondary electron emission characteristics of MgO layer used as the protecting material in a.c. plasma display panel(a.c.-PDPs) using a pulsed ion beam technique, where the surface charging can be effectively suppressed during the measurement. The measurement of the secondary electron emission coefficients ($\gamma$) on the surface of $SiO_2$ was carried out and then, it was found that the yields were dependent on incident ion energies. In addition, it was clearly demonstrated that the sputtering on MgO surface leads to lower yields, which suggests that the surface plays a key role on the operating conditions, such as life time, fast response, and etc.