• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.2 no.3
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• pp.325-330
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• 1993

실리콘 gate의 MOS 전자 턴넬링 전극을 구성하여 그 특성을 조사하였다. 전자 방출은 전 gate 영역에서 MOS diode의 전위차를 지나는 턴넬링에 의하여 일어나고 안정하였다. 측정된 전류에서 산화막과 gate에서의 열전자의 충돌을 연구하였다. 방출된 전류는 압력에 관계없이 일정하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1997.07a
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• pp.213-214
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• 1997

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1995.11a
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• pp.52-53
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• 1995

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1996.11a
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• pp.92-93
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• 1996

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2001.07a
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• pp.155-155
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• 2001

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1994.05a
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• pp.121-122
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• 1994

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.9 no.7
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• pp.990-997
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• 1998

In this work, the $SiO_2$ films on the silicon substrate with different orientations were first prepared by the low temperature process using the ECR plasma diffusion as a function of microwave power and oxidation time. Before and after thermal treatment, the surface morphology, Si/O ratio from physicochemical properties, and the electrical properties of the oxide films were also investigated. The oxidation rate increased with microwave power, while surface morphology showed the nonuniform due to etching. The film quality, therefore, was lowered with increasing the defect by etching and the content of positive oxide ions in the oxide films from bulk by higher self-DC bias. The content of positive oxide ions in the oxide films with different Si orientations showed Si(100) < Si(111) < poly Si. The defects in $Si/SiO_2$ interface of $SiO_2$ film could be decreased by annealing, while $Q_{it}$ and $Q_f$ were independent of thermal treatment and the dependent on concentration of reactive oxide ions and self-DC bias of substrate. At microwave power of 300, and 400 W, the high quality $SiO_2$ film that had lower surface roughness and defect in $Si/SiO_2$ interface was obtained. The value of interface trap density, then, was ${\sim}9{\times}10^{10}cm^{-2}eV^{-1}$.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.19 no.2
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• pp.148-154
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• 2010

We have fabricated $SiO_2$ oxidation thin films by TCP-CVD (transformer coupled plasma chemical vapor deposition) method for passivation layer of OLED (organic light emitting diode). The purpose of this paper is to control and estimate the deposition rate and refracive index characteristics with process parameters. They are power, gas condition, distance of source and substrate and process temperature. The results show that transmittance of thin films is over 90%, rapid deposition rate and stable reflective index from 1.4 to 1.5 at controled process conditions. They are $SiH_4$ : $O_2$ = 30 : 60 [sccm] gas condition, 70 [mm] distance of source and substrate, no-biased substrate and under 80 [$^{\circ}C$] process temperature.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.4 no.S1
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• pp.87-91
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• 1995

초고집적회로의 배선 금속으로 사용되는 알루미늄 합금은 치밀한 표면 산화막 때문에 화학증착법에 의하여 비어를 선택적으로 충전하기 힘들다. 본 연구에서는 기저층을 이용하여 비어에 선택적으로 화학증착함으로써 평탄화를 이루는 새로운 방법을 제안하였다. 알루미늄, 구리 등의 배선 금속, 팔라듐, 코발트 등의 금속, 기타 타이타늄 질화물 등의 기판에 대하여 화학증착 알루미늄의 특성과 실리콘 산화물간의 선택성을 평가하였으며 팔라듐, 코발트, 타이타늄 질화물 등을 기저층으로 사용한 경우에 낮은 비저항과 안정적인 선택적 비어 충전을 이룰 수 있었다.

• Proceeding of EDISON Challenge
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• 2016.03a
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• pp.362-364
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• 2016

본 논문에서는 MOS(Metal Oxide Semiconductor) Capacitor의 산화막내에 다양한 원인에 의해 존재하는 비이상적인 전하들 중 Fixed Oxide Charge가 소자의 문턱전압에 어떤 영향을 주는지 분석했다. 분석한 결과 n+ polysilicon Gate를 가지고, 산화막인 $SiO_2$의 두께가 3nm이고, 도핑농도가 $10^{18}cm^{-2}$인 P형 실리콘 기판으로 이루어진 MOS Capacitor에서 Fixed Oxide Charge Density가 $C/cm^2$ 이상일 때 문턱전압을 0.01V 이상 감소시키고 $C/cm^2$ 이하일 때 문턱전압을 0.01V 이상 증가시켰다.