우리나라 최초의 정지궤도위성 개발을 위하여 발사 시 발생하는 진동환경을 지상에서 구현하기 위한 전체 시스템 구축 및 검증이 요청되었다. 정지궤도위성은 기존 개발 위성대비 중량이 대폭 증가하여 수직 가진시스템의 경우, 신규 가진시스템 개발이 필요하였다. 수평 가진시스템은 고정용 치구와 슬립테이블의 열특성 차이에 따른 확인 및 수평방향 가진 시스템의 모멘트 성능 검증이 요청되었다. 또한 데이터 습득 요구 채널의 증가로 인하여 신규로 제어 및 습득 시스템을 구축하였다. 본 연구에서는 진동환경 시스템 전체에 대한 검증 과정 및 안정성 향상을 위해 적용한 여러 기법들을 소개하고자 한다.
본 연구에서는 Sentaurus를 이용하여 FinFET를 구현 하고자 한다. 소자의 성능 향상과 누설 전류의 최소화를 지속하기 위해, 반도체 제조자들은 10nm 이하의 소자에 적용될수 있는 새로운 트랜지스터 구조를 연구 하기 시작했다. 가능성 있는 것 중의 하나인 FinFET가 몇년 전 California-Berkeley 대학에서 발표했는데, 상어 등지느러미 같이 생긴 높고 얇은 채널 모양을 이용하는 소자이다. 이러한 설계에서는 지느러미의 한면에 하나씩 두 개의 게이트가 사용되어 소자의 전환을 쉽게 해준다. FinFET는 이러한 구조 때문에 이중 게이트 MOSFET이 라고 불린다. CMOS소자는 수평 적으로 구성되지만, FinFET는 수직으로 구성되기 때문에 이러한 접근은 혁신적이다. 하지만 다른 이중게이트 구조와 달리, FinFET는 표준 CMOS공정에서 크게 벗어나지 않는다. 본 연구에서는 Sentaurus 시뮬레이션 프로그램을 이용하여 FinFET를 구현하고자 한다.
본 논문에서는 $0.1\;{\mu}m$ 이하의 게이트 길이를 갖는 MHEMT의 DC 및 RF 특성을 상용 시뮬레이터인 ISE-TCAD tool을 이용하여 결과를 고찰하였다. 이후 MHEMT의 게이트 길이와, 소스-드레인 간격 및 채널 두께를 변화시켜 가면서 소자의 수평, 수직 Scaling효과가 소자 특성에 미치는 영향을 비교하였으며, 게이트 길이 $(L_g)$가 $0.1\;{\mu}m$ 이하로 감소함에 따라 $g_{m,max}$가 같이 감소하는 현상에 대해서 논의해 보았다. 또한 이 현상을 가지고 소자의 횡적, 종적 파라미터의 scaling 효과에 대한 모델을 제시 했다.
본 논문에서는 지난 2004년 동해에서 수행된 MAPLE 04 실험에서 수집된 일련의 전구음원 신호 중 일부를 이용하여 시간 영역에서 지음향 인자 역산을 수행하였다. 이를 위해 수직선배열을 통해 수집된 채널 별 신호 파형과 모의 신호 파형을 직접 비교하는 형태의 목적함수를 구성하였다. 모의 신호는 음선 이론을 사용하여 모델링하였고, 광역최적화 알고리즘인 VFSA (very fast simulated annealing)를 사용하여 목적함수를 최적화하였다 기존의 전달손실비교를 통한 역산 결과(음향학회지 본 호 게재)들과 비교하여 지음향 인자들이 일관성 있게 추정되었음을 확인하였으며, 이 역산 결과를 이용하여 얻은 모의 신호와 계측 신호 간 비교 그림을 제시하였다.
8단자 가변임피던스 전자파 발생장치(8P-VWIG:8Ports-Variable Wave Impedance Generator)에 대한 설계 기술에 대해 나타내고, 내부에서 유기뇌는 전자기장 및 특성임피던스에 대한 수치해석, 일정한 특성임피던스를 갖는 구조에 대해 간단하게 추적할 수 있는 수치알고리즘에 대해 나타내었다. 또한 특정 구조에 대한 균일도 평가결과와 내부 전자계 분포, 그리고 그 응용으로서 EMS 측정시스템에 대한 간단한 소개를 나타내었다. 8P-VWIG는 기존 간이 EMI/EMS 시설들에 비해 시험공간의 활용도가 좋고, 수직 수평 분극 조성이 자유로운 장점을 가지고 있다. 제작된 8P-VWIG는 정재파비로 측정된 제 1공진이 152.1MHz에서 발생하고, $50{\Omega}$ 임피던스 정합 시스템으로 동작하도록 한 8채널의 다중전송선로 구조를 갖는다.
본 논문에서는 지하 다층 구조물로 경사 입사하는 고고도 전자기파의 투과 현상을 위한 전자기적 모델링 기법과 편파 및 임계각을 고려한 모델링 기법을 제안하였다. 고고도 전자기파의 전송 채널인 지하 다층 구조물은 측정된 복소 유전율을 바탕으로 지하 터널층으로 투과된 고고도 전자기파를 정량적으로 계산하였으며, 입사파의 편파와 임계각을 고려하여 투과 현상을 분석하여, 평행 편파를 갖는 고고도 전자기파가 수직 편파를 갖는 경우보다 더욱 큰 투과 현상이 발생함을 확인하였다. 또한, 수직 입사의 경우, 편파에 상관없이 약 5.6 kV/m의 전기장이 투과함을 확인하였으며, 지하 다층 구조물에서의 임계각인 38도 근처에서 매우 급격한 전기장의 감쇠를 확인하였다. 이를 바탕으로, 지하 다층 구조물을 구성하는 토양층의 수분 함유량 변화 및 각 층의 깊이에 따른 고고도 전자기파의 투과 현상을 정량적으로 분석하여, 지하 터널층의 방호 설계 시 물리적인 깊이에 대한 고려뿐만이 아닌 추가적인 방호 설계에 대한 고려가 불가피함을 소개하였다.
본 연구는 소비자 기반 브랜드 자산 모형에 기반한 기존의 미디어 브랜드 확장 모형을 응용하여 이러한 브랜드 확장이 모 브랜드(Parent Brand)에 미치는 영향을 분석하고자 하였다. 선행연구들을 바탕으로 확장 전 모 브랜드 평가, 브랜드 포트폴리오 품질 변량, 지각된 브랜드 확장 수, 모 브랜드와 확장된 브랜드 간 지각된 적합성, 브랜드 확장상품 평가 등이 확장 후 모 브랜드 평가에 영향을 미치는 것으로 연구모형을 구성한 뒤 구조방정식모형을 이용하여 검증하였다. 분석결과, 확장 후 모 브랜드 평가에 확장 전 모 브랜드 평가, 브랜드 포트폴리오 품질 변량, 적합성, 브랜드 확장상품 평가가 유의미한 영향을 미친 반면 지각된 브랜드 확장 수의 영향력은 유의미하지 않았다. 본 연구를 통해, 첫째, 수직적 브랜드 확장에서 적합성은 확장상품 평가에는 정적인 영향을 주지만, 확장 후 모 브랜드 평가에는 부적인 영향을 미친다는 것을 확인하였다. 둘째, 브랜드 포트폴리오 품질 변량은 적합성과 확장상품 평가, 확장 후 모 브랜드 평가에 부적인 영향을 준다는 것을 새롭게 알아내었으며, 모 브랜드 평가가 브랜드 포트폴리오 품질 변량에 부정적인 영향을 미친다는 것을 확인하였다. 셋째, 모 브랜드 미디어에 대한 평가가 적합성에 부적인 영향을 미친다는 것을 발견하였다.
초고주파 집적회로의 핵심소자로 각광을 받고 있는 GaAs MESFET(MEtal-emiconductor)은 게이트 형성 공정이 가장 중요하며, WNx 내화금속을 이용한 planar 게이트 구조의 경우 임계전압(Vth:threshold voltage)의 균일도가 우수할 뿐만 아니라 특히 Side-wall을 이용한 self-align 게이트는 소오스 저항을 줄일 수 있어 고성능의 소자 제작을 가능하게 한다.(1) 본 연구의 핵심이 되는 Side-wall을 형성하기 위하여 PECVD법에 의한 SiOx 박막을 증착하고, 건식식각법을 이용하여 SiOx side-wall을 형성하였다. 이 공정을 이용하여 소오스 저항이 낮고 임계전압의 균일도가 우수한 고성능의 self-aligned gate MESFET을 제작하였다. 3inch GaAs 기판상에 이온주입법에 의한 채널 형성, d.c. 스퍼터링법에 의한 WNx 증착, PECVD법에 의한 SiOx 증착, MERIE(Magnetic Enhanced Reactive Ion Etcing)에 의한 Side-wall 형성, LDD(Lightly Doped Drain)와 N+ 이온주입, 그리고 RTA(Rapid Thermal Annealing)를 사용하여 활성화 공정을 수행하였다. 채널은 40keV, 4312/cm2로, LDD는 50keV, 8e12/cm2로 이온주입하였고, 4000A의 SiOx를 증착한 후 2500A의 Side-wall을 형성하였다. 옴익 접촉은 AuGe/Ni/Au 합금을 이용하였고, 소자의 최종 Passivation은 SiNx 박막을 이용하였다. 제작된 소자의 전기적 특성은 hp4145B parameter analyzer를 이용한 전압-전류 측정을 통하여 평가하였다. Side-wall 형성은 0.3$\mu\textrm{m}$ 이상의 패턴크기에서 수직으로 잘 형성되었고, 본 연궁에서는 게이트 길이가 0.5$\mu\textrm{m}$인 MESFET을 제작하였다. d.c. 특성 측정 결과 Vds=2.0V에서 임계전압은 -0.78V, 트랜스컨덕턴스는 354mS/mm, 그리고 포화전류는 171mA/mm로 평가되었다. 특히 본 연구에서 개발된 트랜지스터의 게이트 전압 변화에 따른 균일한 트랜스 컨덕턴스의 특성은 RF 소자로 사용할 때 마이크로 웨이브의 왜곡특성을 없애주기 때문에 균일한 신호의 전달을 가능하게 한다. 0.5$\mu\textrm{m}$$\times$100$\mu\textrm{m}$ 게이트 MESFET을 이용한 S-parameter 측정과 Curve fitting 으로부터 차단주파수 fT는 40GHz 이상으로 평가되었고, 특히 균일한 트랜스컨덕턴스의 경향과 함께 차단주파수 역시 게이트 바이어스, 즉 소오스-드레스인 전류의 변화에 따라 균일한 값을 보였다. 본 연구에서 개발된 Side-wall 공정은 게이트 길이가 0.3$\mu\textrm{m}$까지 작은 경우에도 사용가능하며, WNx self-align gate MEESFET은 낮은 소오스저항, 균일한 임계전압 특성, 그리고 높고 균일한 트랜스 컨덕턴스 특성으로 HHP(Hend-Held Phone) 및 PCS(Personal communication System)와 같은 이동 통신용 단말기의 MMICs(Monolithic Microwave Integrates Circuits)의 제작에 활용될 것으로 기대된다.
2010년 말의 종편 승인 결정에서 현재 시점에 이르기까지 한국 방송산업은 상당 수준의 구조적 변동을 겪고 있다. 그 가운데 가장 특징적인 모습 하나는 단단한 수직결합 체계를 통해 국내 방송영상산업에서 강력한 콘텐츠 지배력을 유지해오던 지상파 제작 단위로부터 핵심 인력이 대규모로 유출되고 있는 현상일 것이다. 이 연구는 이와 같은 제작자 엑서더스 현상의 배후로서, 상업적 거대 미디어기업을 통해 방송부문에서 시장논리를 확대하려는 목적의식적 제도설계의 존재를 지목하고, 이와 같은 외부 요인이 방송산업 내부의 다양한 요인들과 맞물려 어떠한 양상을 빚어내고 있는지를 분석한다. 그 결과, 지상파 잔류보다는 이탈이 개인적 사회적 보상 차원에서 더 다양하고 더 큰 긍정유인을 제공한다고 본 제작자들 나름의 합리적 선택을 매개로 현재와 같은 대규모 이탈이 발생되었음을 확인하게 된다. 그러나 일부 복합 미디어 기업을 통해 진행되고 있는 이러한 창의성 재배치 과정이, 장기적으로 제작자들에게 더 많은 기회와 가능성을 보장하는 방향으로 귀결될지에 대해서는 다양한 의문이 제기된다. 이에 이 연구는 현재의 제도적 설계에 내재한 문제점을 지적하고, 이를 개선하기 위한 노력을 촉구한다.
본 논문에서는 다이버시티 구조를 갖는 고정 무선 중계 시스템의 보호비 계산을 위한 수학적 표현과 계산방법을 제안한다. 공간 또는 주파수 다이버시티를 갖는 시스템의 보호비 계산과 물리적 의미를 분석하며, 특히 다이버시티 개선인자에 관련된 안테나 이득, 안테나 이격거리, 주파수, 캐리어 주파수간 이격, 거리의 변수에 따라 보호비를 고찰한다. 계산 결과의 한 예로 주파수 6.2 GHz, 거리 60 km, 64-QAM, 수직 이격거리 25 m인 공간 다이버시티 시스템의 동일 채널 보호비는 약 60 dB가 되며, 이는 적용하지 않는 경우보다 약 15 dB 적음을 알 수 있었다. 또한 동일한 조건에서 주파수 이격 0.5 GHz인 주파수 다이버시티 시스템의 동일 채널 보호비는 약 64 dB이며, 이는 적용하지 않은 경우에 비해 약 11 dB 적음을 알 수 있었다. 결과적으로 공간 다이버시티시스템이 주파수 다이버시티 시스템보다 간섭에 덜 민감하며, 이는 주어진 간섭에 대해 상대적으로 양호한 품질을 확보할 수 있음을 시사한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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