• Title/Summary/Keyword: 속도기구학

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Wet etching of α-Ga2O3 epitaxy film using a HCl-based solution (HCl 용액을 이용한 α-Ga2O3 epitaxy 박막의 습식 식각)

  • Choi, Byoung Su;Um, Ji Hun;Eom, Hae Ji;Jeon, Dae-Woo;Hwang, Sungu;Kim, Jin Kon;Yun, Young Hoon;Cho, Hyun
    • Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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    • v.32 no.1
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    • pp.40-44
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    • 2022
  • Wet etching of α-Ga2O3 epitaxy film was performed using a 35 % hydrochloric (HCl) acid solution. As the temperature of the 35 % HCl solution increased, the α-Ga2O3 etch rate increased, and the etch rate of 119.6 nm/min was obtained at 75℃, the highest temperature examined in this work. The activation energy for etch reaction was determined to be 0.776 eV, and this suggests that the wet etching of α-Ga2O3 in the 35 % HCl solution was dominated by the reaction-limited mechanism. AFM analysis showed that the surface roughness of the etched surface increased as the temperature of the etchant solution increased.

Study on the Measurement of TMP Pumping Speed (터보분자펌프(TMP) 배기속도 측정에 관한 고찰)

  • Kang, S.B.;Shin, J.H.;Cha, D.J.;Koh, D.Y.;Cheung, W.S.;Lim, J.Y.
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.19 no.4
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    • pp.249-255
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    • 2010
  • Methods of the characteristics evaluation of turbo-molecular pumps (TMP) are well-defined in the international measurement standards such as ISO, PNEUROP, DIN, JIS, and AVS. The Vacuum Center in the Korea Research Institute of Standards and Science (KRISS) has recently designed, constructed, and established the integrated characteristics evaluation system of TMPs based on the international documents by continuously pursuing and acquiring the reliable international credibility through measurement perfection. The measurement of TMP pumping speed is normally performed with the throughput and orifice methods dependent on the mass flow regions. However, in the UHV range of the molecular flow region, the high uncertainties of the gauges, mass flow rates, and conductance are too critical to precisely accumulate reliable data. In order to solve the uncertainty problems of pumping speeds in the UHV range, we introduced a SRG with 1% accuracy and a constant volume flow meter (CVFM) to measure the finite mass flow rates down to $10^{-1}$ Pa-L/s with 3% uncertainty for the throughput method. In this way we have performed the measurement of pumping speed down to $10^{-4}$ Pa with an uncertainty of less than 6% for a 1000 L/s TMP. In this article we suggest that the CVFM has an ability to measure the conductance of the orifice experimentally with flowing the known mass through the orifice chambers, so that we may overcome the discontinuity problem encountering during introducing two measurement methods in one pumping speed evaluation sequence.

Enactment Trend and Implication of the Polar Code in IMO (IMO 극지방운항선박 안전코드 제정 현황 및 시사점)

  • Seo, Dae-Won;Kim, Dae-Heon;Ha, Tae-Bum
    • Journal of Navigation and Port Research
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    • v.38 no.1
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    • pp.59-64
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    • 2014
  • As global warming continues, the rate of ice melting in polar regions is increasing rapidly. The interest related to north polar route is increasing among not only countries near Arctic ocean but also the other countries, In the past, the classification society rule related to a design and operation of ship operating in polar area has been primarily amended by Russia, Norway and Finland located near Artic area. However recently International Maritime Organization decided to legislate the Polar Code to ensure safety of a ship operating in Arctic and Antarctic Ocean, and it is scheduled to be completed until 2014. The present paper focuses on the survey of the current enactment trends of Polar Code and suggests the confrontational strategy in related organization.

Kinetics of Oxidation, and Effects of TiC on Oxidation Resistance in MgO-Carbon Refractory (MgO-Carbon 내화물의 산화반응기구와 TiC첨가에 의한 산화방지 효과)

  • Cheon, Sungho;Kong, Hyunsik;Jun, Byungsei
    • Journal of the Korean Ceramic Society
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    • v.41 no.9
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    • pp.657-662
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    • 2004
  • The kinetics of oxidation and disappearance of graphite in MgO-C refractories containing TiC were, in the temperature range from 1000 to 1200$^{\circ}C$, investigated to enhance the oxdation resistance of MgO-C refractproes. The air was blown into the furnace at flow rate of 0.2 litters per minute, and then weight decrease was measured with a thermo balance at 30 seconds intervals until the value of weight became unchanged. The value of effective diffusion coefficient (De) for the specimen of MgO-C was 1.39${\times}$10$\^$-4/ ㎡/sec. The diffusion of oxygen through decarburized layer was the rate deforming step in the overall oxidation process under present experimental conditions. The TiC additions enhanced the oxidation resistance of the MgO-C refractories.

텔레바이오인식기반 비대면 인증기술 표준화 동향

  • Kim, Jason;Lee, Sung Jae;Kim, Byoungsub;Lee, Sang-Woo
    • Review of KIISC
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    • v.25 no.4
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    • pp.43-50
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    • 2015
  • 바이오인식기술은 사람의 지문 얼굴 홍채 정맥 등 신체적 특징(Physiological characteristics) 또는 음성 서명 자판 걸음걸이 등 행동적 특징(Behavioral characteristics)을 자동화된 IT 기술로 추출 저장하여 다양한 IT 기기로 개인의 신원을 확인하는 사용자 인증기술이다. 2001년 미국의 911 테러사건으로 인하여 전 세계 국제공항 항만 국경에서 지문 얼굴 홍채 등 바이오정보를 이용한 출입국심사가 보편화됨과 동시에 ISO/IEC JTC1 SC37(바이오인식) 국제표준화기구를 중심으로 표준화가 급속도로 진행되어 왔다. 최근 들어 스마트폰 테블릿 PC 등 모바일기기에 지문 얼굴 등 바이오정보를 탑재하여 다양한 모바일 응용서비스를 가능하게 해주는 모바일 바이오인식 응용기술이 전 세계적으로 개발 보급되고, 삼성전자 페이팔 중심으로 바이오인식기술을 이용한 모바일 지급결제솔루션에 대한 사실표준화협의체인 FIDO, ITU-T SG17 Q9(텔레바이오인식) 국제표준화기구를 중심으로 표준화가 진행되고 있다. 특히 이러한 모바일 바이오인식기술은 스마트폰을 통한 비대면 인증기술 수단으로서 핀테크의 중요한 요소기술로 작용될 전망이다. 한편, 위조지문 등 전통적인 바이오인식 기술의 위변조 위협으로 인한 우려도 증폭됨에 따라 스마트워치 등 웨어러블 디바이스에서 살아있는 사람의 심박수(심전도), 뇌파 등의 생체신호를 측정하여 스마트폰을 통하여 개인을 식별하는 차세대 바이오인식기술로 진화중에 있다. 본고에서는 바이오인식기술의 변천사와 함께 국내외 모바일 바이오인식기술 동향과 표준화 추진현황을 살펴보고, 지난 2015년 5월 29일 발족한 KISA "모바일 생체신호 인증기술 표준연구회"를 통하여 뇌파 심전도 등생체신호를 이용한 차세대 바이오인식 기술 및 표준화 계획을 수립하여 향후 바이오인식기반의 비대면 인증기술에 대한 추진전략을 모색하고자 한다.

6H-SiC single crystal growth by the sublimation method : (I) the formation mechanism of growth defects (승화법에 의한 6H-SiC 단결정 성장 : (I) 성장결함생성기구)

  • Kim, Hwa-Mok;Kang, Seung-Min;Joo, Kyoung;Shim, Kwang-Bo;Auh, Keun-Ho
    • Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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    • v.7 no.2
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    • pp.185-190
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    • 1997
  • The 6H-SiC single crystals were grown using a self-designed crystal grower by the sublimation method. The grown crystals were typically 30 mm in diameter and 10 mm in length. Optimum growth conditions were established as follows : the temperature of the raw material was $2150~2250^{\circ}C$, the temperature of the substrate was $1950~2050^{\circ}C$, the temperature difference between the raw material and substrate was about $200^{\circ}C$, growth pressure was 50~200 torr and growth rate was 300~700 $\mu\textrm{m}$/hr. Optical microscopy was used for observing the surface of the 6H-SiC single crystal grown and the phenomenological approach was performed on the formation mechanism of the defects in the 6H-SiC crystal. Especially, the micropipes in the as-grown surface were examined to determine the formation mechanisms of the micropipes.

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Fabrication of CVD SiC Double Layer Structure from the Microstructural Change Through Input Gas Ratio (입력기체비를 이용한 미세구조 변화로부터 화학증착 탄화규소의 복층구조 제작)

  • 오정환;왕채현;최두진;송휴섭
    • Journal of the Korean Ceramic Society
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    • v.36 no.9
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    • pp.937-945
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    • 1999
  • In an effort to protect a RBSC(reaction -bonded SiC) tube SiC films from methyltrichlorosilane(MTS) by low pressure chemical vapor deposition were deposited in hydrogen atmosphere on the RBSC(reaction-bonded SiC) substrates over a range of input gas ratio(${\alpha}=P_{H2}/P_{MTS}=Q_{H2}/Q_{MTS}$=1 to 10) and deposition temperatures(T=1050~1300$^{\circ}C$). At the temper-ature of 1250$^{\circ}C$ the growth rate of SiC films increased and then decreased with decreasing the input gas ratio. The microstructure of SiC films was changed from granular type structure exhibiting (111) preferred orientation in the high input gas ratios to faceted columnar grain structure showing (220) in the low input gas ratios. The similar microstructure change was obtained by increasing the deposition temperature. These results were closely related to a change of deposition mechanism. Double layer structure having granular type and faceted ciolumnar grain structure from the manipulation of mechanism. Double layer structure having granular type and faceted columnar grain structure from the manipulation of the input gas ratio without changing the deposition temperatue was successfully fabricated through in -site process.

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Development of an Underwater Rope-cutter Device and Controller for Removal of Propeller and Shaft Foreign Material for Small Vessel (소형선박용 프로펠러 및 샤프트 이물질 제거를 위한 수중절단기 기구 설계 및 제어기 개발)

  • Lee, Hunseok;Oh, Jin-Seok;Choi, Sun-Hong
    • Journal of the Korean Society of Marine Environment & Safety
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    • v.25 no.7
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    • pp.927-935
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    • 2019
  • Screw-failure accidents in small ships frequently occur in coastal waters. In particular, vessels' propulsion systems are frequently coiled due to objects such as fish-nets and ropes that float on the sea. The failure of the ship's propulsion system can cause primary accidents such as ship operation delays and drifting due to loss of power; furthermore, the possibility of secondary accidents such as those involving operators in the underwater removal of rope stuck in a propeller. Ships that do not have the proper tools to solve these problems must be either lifted onto land to be repaired or divers must dive directly under the ship to solve the problem. Accordingly, some small vessels have been equipped with rope-cutter devices on the propeller shaft to prevent ship propeller system accidents in recent years; however, they are not being applied efficiently due to the cost and time of installation. To solve these problems, this study develops an underwater rope-cutter device and controller for the removal of propeller and shaft foreign material in small vessels. This device has simple structures that use the principle of a saw. Meteor gears and crank pins were used for the straight-line rotation of saw blades of the underwater rope-cutters to allow for long strokes. Furthermore, the underwater rope-cutting machines can be operated by being connected to the ship battery. The user, a non-professional, can ensure convenience and stability by applying reverse current prevention and a speed control circuit so that it can be used more conveniently and safely.

ZnS thermal CVD's solution of phenomenon of roughing exhaust line blockage for increasing continous process time

  • Jo, Yong-Beom;Kim, Jin-Cheol;Choe, U-Seong;Jeong, Won-Ho;U, Si-Gwan
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2016.02a
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    • pp.117-117
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    • 2016
  • 일반적인 박막 성장용 CVD는 막 성장 시간이 짧게는 수분에서 수시간 정도 소요하기 때문에 장비에 문제가 발생 할 시 조치를 취하고 다음 현상을 개선하기에 용이 하였다. 그리고 대분분의 장비가 국산화되어 있을 만큼 많은 경험치가 축척되어 있다. 그러나 2, 4 족 화합물 성장용 CVD는 고아학 렌즈 생산용 장비로 국내에서는 아직 생소하고 공정 경험이 없는 새로운 장비이다. 2,4 족 화합물의 특징은 다음과 같다. 2,4 족 화합물은 M, N 이라는 두가 물질이 결합하여 형성한다. 2,4 족 화합물은 높은 융점과 낮은 증기압을 갖니다. 이런 물질들은 고온에서 아래와 같이 평형적으로 반응한다. $$nMN_{(s)}=nM_{(g)}+Nn_{(g)}$$ 화합물인 $MN_{(g)}$의 상태로 존재할 수 있으나 일바적으로 n=2인 4족 원소의 2원자 분자로된 기체가 지배적이다. 증기상을 이용한 성장 공정에서는 구성 원자나 분자를 만들어내는 단계, 이들을 공급원에서 기판까지 수송하는 단계, 기판 위에 흡착하는 단계, 핵의 생성과 단결정을 생성하는 단계, 필요치 않는 구성물을 제거하는 단계를 거쳐 공정이 진행 된다. 각 공정은 성장 물질에 충분한 자유도를 주어야하고 자유도를 주기 위해서는 많은 열에너지가 공급 되어야 한다. 따라서 기존의 박막 성장 공정 보다 성장 속도가 느리고 증착하는 양보다는 버리는 양이 많으며 버려지는 성장물질들은 급격한 온도 변화가 생기는 곳에서 급격히 증착하기 시작한다. 본 성장 공정이 진행되는 압력은 30 torr 부근이며 공정 온도는 $1000^{\circ}C$ 부근이다. 30 torr 영역에서는 열전달이 대기압과 같은 속도로 진행되기 때문에 지속적으로 온도에의해 손상을 받는 부위가 있을 수 있다. 높은 공정 온도와 높은 공정 압력은 내부 구조물로 발생된 열을 빠르게 장비 표면으로 수송하게 되고 그 결과 장비의 연결 부분에 장착된 오링에 손상을 주게 된다. 오링 손상을 방지 하기위해 냉각수 라인을 형성하여 오링을 보호하게 되면 열역학적 기울기가 급격히 발생하는 부분이므로 CVD의 반응 부산물들이 빠른 시간동안 증착하게 되고 막히는 현상이 발생하게 된다. 목표한 두게까지 박막을 성장시키기 위해서는 장시간 공정이 필수이며 장시간 공정을 안정적으로 가져가지 위해서는 배기 라인의 막힘 현상을 해결하여야 한다. 본 논문에서는 막힘 현상의 진행을 시간에 따라 해석하였으며 장시간 공정을 진행하기위해 필요한 요소와 기구적으로 조치가 가능한 방법에 대해 작성하였다.

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A Study on the Formation of Acicular Ferrite in HAZ of Ti-Oxide Steel (Ti 산화물강의 용접열영향부에서 Acicular Ferrite의 형성에 관한 연구)

  • Won, Hyeong-Min;Kim, Yong-Deok;Ha, Hyeon-Seung;Kim, Jun-Gi;Kim, Seon-Jin;Gang, Gye-Myeong
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.6 no.12
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    • pp.1221-1232
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    • 1996
  • 용접부 인성을 향상시키기 위해 Ti 산화물을 첨가한 Ti 산화물강에 대하여 용접시 최고가 열온도와 냉각속도의 변화가 용접열영향부의 미세조직에 미치는 영향을 조사하였다. 용접열영향부의 인성향상에 기여하는 acicular ferrite는 140$0^{\circ}C$ 이상의 최고가열온도와 $\Delta$t800-500가 40초보다 빠른 냉각속도에서 활발해 생성되었다. 오스테나이트 결정립내에서 개재물로부터 핵생성된 일차 acicular ferite의 생성량은 전체 aicular ferrite의 약 20% 정도로 적었으며 대부분의 acicular ferrite는 일차 acicular ferrite로부터 생성된 이차 acicular ferrite인 것으로 나타났다. 이차 acicular ferrite는 plate사이에 Fe3C층이 존재하는 것으로 보아 확산기구에 의해 생성되는 것으로 생각된다. 개재물은 TiO, TiO2, TiN, MnS, AI2O3 MnO(galaxite)등으로 구성된 복합상이었으며 개재물이 일차 acicular ferrite의 핵생성 site로 작용하기 위해서는 약 1$\mu\textrm{m}$이상의 크기가 효과적인 것으로 나타났다. Ti 산화물과 TiN는 직접적인 acicular ferrite의 핵생성 site로 작용하기보다는 MnS, galaxite 등의 석출 site로 작용하여 개재물의 크기를 증가시킴으로써 acicular ferrite의 생성을 촉진시키는 것으로 생각된다.

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