• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1988년도 추계학술대회 논문집
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• pp.14-17
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• 1988

Degradation effects observed in nonvolatile MNOS memory devices with in increasing W/E (Write/Erase) cycling were investigated using n-type MNOS capacitors. The results showed that the density of Si-SiO$_2$ interface states and the conductivity of nitride were increased with W/E cycles, therefore the memory retention characteristics of the MNOS memory devices were degraded. Also, annealing of the degraded devices restored the original Si-SiO$_2$ interface states density, but failed to restore the original nitride conductivity. Based on these experimental results, we found that the degradation of memory retention characteristic was affected by the nitride conductivity rather than by Si-SiO$_2$ interface states.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1351-1352
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• 2006

In this paper, the impedance properties of degraded thyristor with heat and voltage were presented. As degraded thyristor, 8 thyristors with each other different reverse blocking voltage used. Its impedance and resistance properties were measured from frequency 100Hz to 10MHz applied with bias voltage from 0V to 40V. As a result, at low frequency region, that is, at the frequency 100-10kHz, the abrupt increasement of its capacitance was confirmed. And also, at high frequency region, the capacitance peak move toward low frequency in the region of frequency 4 - 6MHz as degradation of thyristor.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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• pp.1088-1089
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• 2007

산업현장에서 발생하는 고조파는 전력용콘덴서의 과열 또는 고장, 케이블의 절연열화, 보호계전기 오동작 또는 부동작, 자동화 및 제어설비 오동작 등 전기설비에 대해 막대한 피해를 주고 있다. 고조파의 발생원인은 전력전자 소자를 이용한 변환장치(정류기, 인버터)의 전원 변환시($DC{\rightarrow}AC$) 주로 발생되고 있으며, 그 발생원은 기기별, 계통구 성별 등 그 특성에 따라 다양하게 발생되고 있다. 이 논문에서는 다수의 UPS 설치장소에서의 고조파 발생의 특성 및 그 영향에 대해 분석하고 저감방안의 실증을 통해 고조파에 대한 설비보호 방안을 제시하고자 한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.99-100
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• 2005

Reliability of the thyristor has a major effects on the high power systems such as HVDC, SVC and FACTs, etc. Therefore, analyzing method for thyristor aging is important to improve the stability of thyristor and high power systems. In this paper, we explain the analyzing method for examine the thyristor aging effect. And also, the thyristor aging experiments were performed to investigate the characteristic degradation due to the aging.

• 한국철도학회:학술대회논문집
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• 한국철도학회 2008년도 추계학술대회 논문집
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• pp.400-405
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• 2008

Motor is energy converting system to generate mechanical force from electrical power and there are various typed motors in home, office, factory, vehicles, aircraft, shipping, etc. Recently in compliance with performance and reliability and the applications of variable speed motors with invert driver are expanded. Almost high power inverter have IGBT and IGBT's fault cause motor system fault. If we can calculate and foresee troubles of IGBT, we can protect accident caused by motor system fault. In this paper, the deterioration test method of IGBT devices is proposed and the test results of proposed method are shown by evaluated equipment. The basic concept of proposed method is current-voltage characteristic curve test between drain and source of IGBT in open state. The applied voltage type is ramp and it is confirmed that the current-voltage curvet pattern of IGBT in open state represents IGBT's deterioration state.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2010년도 추계학술대회 초록집
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• pp.83.2-83.2
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• 2010

평판형 고체산화물 연료전지(planar SOFC : Solid oxide Fuelcell)는 높은 전류 효율 및 출력밀도를 가지는 중,대형 발전용 전기소자이다. SOFC 스택을 600~800도에서 작동할 경우, 금속 분리판에서 휘발된 크롬에 의한 열화현상과 금속의 산화에 의한 표면 저항의 증가가 큰 문제점으로 알려져 있으며, 이를 개선하기 위한 많은 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 금속 분리판의 열화를 억제하기 위한 여러 보호코팅의 특성을 밝히고, 특성차이의 원인을 분석하고자 하였다. 모재는 상용 STS444합금 (Nisshin steel 생산) 2.0mmt 박판을 사용하였으며, 표면 상태를 균일하게 하기 위하여 표면은 동일한 #1200 번 사포로 연마후 코팅하였다. 적용한 코팅은 전기도금 Ni 코팅, (MnCo)3O4 wet powder spray 코팅, (MnCo)3O4 ADM코팅 3종이었으며, 코팅층의 두께는 최적 공정조건에 따라 달리 하였다. 산화후 형성되는 표면 산화물의 전기적 특성을 평가하기 위하여 시험편의 비면적 저항 (ASR : area specific resistance)을 장시간 측정하였다. 측정편의 크기는 가로 4cm ${\times}$ 세로 4cm였으며, 100시간 공기중 산화후 측정하였다. 표면 접촉을 높이기 위하여 Pt paste를 40~50um도포하였으며, 1~0.1A인가된 전류에 대한 저항을 4전극법 (4-probe)으로 측정하였다. 표면 코팅층이 크롬 휘발을 억제하는 정도를 평가하기 위하여 크롬 휘발량을 측정하였다. 시편은 가로 1.5cm ${\times}$ 세로 1cm 였으며, 공급된 공기와 수분의 혼합가스와 응축기 표면에 흡착된 크롬의 양을 ICP-MASS법으로 측정하였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.123-123
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• 2003

탄소나노튜브는 지금까지의 많은 연구를 통해 다양한 분야에 대한 응용 가능성이 확인되었으며, 그 중에서도 특히 탄소나노튜브를 이용한 전계방출표시소자(carbon nanotube field emission display, CNT-FED)는 상용화를 눈앞에 두고 있는 상황이다. 본 연구에서는 탄소나 노튜브를 합성할 수 있는 여러 가지 방법 중에서 열화학기상증착법(thermal chemical vapor deposition, thermal CVD)을 이용하여 유리기판 위에 탄소나노튜브를 합성하였다. Electron beam evaporation으로 유리기판 위에 전극층으로 Cr을 150nm를 증착하고 연속하여 촉매층인 Invar(Fe-53%Ni-6%Co 합금)를 10nm의 두께로 형성하였다. 사진식각으로 Cr층을 line 패턴한 후 Cr line 내의 Invar층을 line 및 dot 패턴하였다. 나노튜브 합성을 위해 480-58$0^{\circ}C$까지 진공분위기 또는 질소 분위기에서 20분간 승온한 후 CO(150sccm)와 H$_2$(1200sccm)를 주입하여 20분간 성장시키고 질소 분위기에서 냉각시켰다. 성장된 탄소나노튜브는 SEM, TEM, Raman spectroscopy 등을 통하여 구조 및 형상분석을 하였다. 진공승온의 경우 탄소불순물인 a-C이 많은 양 증착 되었으며 탄소나노튜브는 온도에 따라 1-5$\mu\textrm{m}$의 두께로 성장하였으나, 질소분위기 승온의 경우는 a-C이 거의 증착되지 않았으며 나노튜브의 두께가 10-20$\mu\textrm{m}$였다. 본 연구에서는 diode구조를 갖는 탄소나노튜브 에미터의 수명예측을 위해 여러 가지 가속측정조건에서 전계방출 특성을 연구하였다. Anode와 cathode 간의 간격을 400$\mu\textrm{m}$로 유지한 diode 구조에 대해 $10^{-6}$ torr 이하의 진공에서 전계방출을 측정하였다. 100 line의 에미터를 60Hz의 주파수에서 1/100 duty로 구동하였으며, duty비 증가에 따라 pulse의 on-time을 고정하고 frequency를 변화시켰다. dc까지 duty비가 증가됨에 따라 방출전류의 양이 선형적으로 증가하였다. 전압을 일정하게 고정시키고 각 duty비에서 시간에 따라 방출전류를 측정한 결과 duty비가 높을수록 방출전류가 시간에 따라 급격히 감소하였다. 각 duty비에서 방출전류의 양이 1/2로 감소하는 시점을 에미터의 수명으로 볼 때 duty비 대 에미터 수명관계를 구해 높은 duty비에서 전계방출을 시킴으로써 실제의 구동조건인 낮은 duty비에서의 수명을 단시간에 예측할 수 있었다.

• 한국융합학회논문지
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• 제9권6호
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• pp.203-207
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• 2018

본 연구는 초점거리가 24mm 인, 대기투과 특성이 좋은 $3{\sim}5{\mu}m$ 파장대역의 적외선의 상을 결상할 수 있는 렌즈계의 설계 개발에 관한 것이다. 설계는 상용 설계 프로그램인 CodeV를 사용하였고, 색수차, 구면수차 및 왜곡 제거에 가중치를 가지는 최적화를 진행하였다. 설계되어진 렌즈계는 Si와 Ge로 구성된 2매의 렌즈로 이루어져 있는데, 각각의 렌즈는 한 면이 비구면으로 이루어져 있다. 그리고 이 광학계는 선폭 20lp/mm에서는 MTF값이 0.40, 선폭 29lp/mm에서는 MTF값이 0.25인 특성의 분해능을 갖게 되었다. 이 광학계는 $25{\mu}m$ pixel의 $206{\times}156$ 어레이 및 $17{\mu}m$ pixel의 $320{\times}240$ 어레이 적외선 검출소자를 사용하는 MWIR용 열화상 카메라에 적용할 수 있는 성능을 가진 것으로 판단된다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2004년도 춘계학술대회 논문집 전기설비전문위원
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• pp.186-191
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• 2004

전력계통에서 역률개선을 위해 사용하는 전력용 콘덴서(이하 SC bank)는 전력계통의 운전상 전압 제어와 역율개선이라는 두가지 측면에서 매우 중요한 전력설비이다. 또한 최근에 전력산업 구조조정에 의해 발전분야가 분할되는 시점에서 SC bank의 역할의 중요성이 강조되고 있다. 본 논문에서는 SC의 고장원인이 무엇인지를 현장조사를 통해 수행하였다. 그 결과 SC bank를 구성하고 있는 리액터, 콘덴서, PT, 혹은 CT 흑은 방전코일의 열화원인이 대부분 차단기의 투입서지와 차단서지에 의해 발생되고 있음을 확인하였다 또한 기존의 보호시스템은 SC Bank의 보호에 적합하지 않음을 검토하였다 차단기 서지에 대한 대책으로는 투입시 전압영점투입과 중성점 저항기의 취부로 투입서지 및 차단서지를 효과적으로 감소되는 현상을 모의와 현장실측을 통해 확인하였다. 또한 기존의 보호방식이 과전류와 과전압 부족전압 혹은 CT와 PT를 이용한 차동방식에 의해 셀의 경련변화를 감지하고 있으나 이 경우 보호맹점이 존재하게 됨을 검토하였다. 이러한 보호상의 문제점을 보완하는 방법으로 SC bank는 임피던스가 늘 일정하는 점에 착안하여 전압과 전류를 이용하여 임피던스의 변화량을 감시하고, 또 한가지 방법은 SC bank의 운전특성상 무효전력만을 발생시킨다는 점에 착안하여 만일 유효전력 성분이 SC bank에서 감지된다면 소자의 이상이나 비정상적은 전류경로가 된다는 결론에 도달하고 유효전력감시를 통한 SC bank의 열화감지가 가능하다는 결론에 도달하였다. 본 논문에서 제안한 3가지의 방법, 즉, 첫째 영점투입차단기 채택, 둘째, 중성점 저항기의 도입, 셋째 새로운 보호방식에 의한 기존의 보호맹점의 보완을 제안하였다. 위의 새로운 제안을 현장에 적용하는 경우 제작사의 제작불량을 제외한 운전상의 SC bank의 문제점 및 고장빈도는 현저히 감소하게 될 것으로 사료된다.

• 전자공학회논문지D
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• 제36D권10호
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• pp.17-22
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• 1999

이 논문에서는 플래시 EEPROM 셀에서의 데이터 보존 특성을 개선하기 위해서 IPD(inter-poly-dielectrics) 층을 사용하는 새로운 제안에 관한 연구 결과들을 논의하였다. 이 연구를 위하여 약 10nm 두께의 게이트 산호막을 갖으며 또한 ONO 또는 ONON IPD 층을 갖는 적층형-게이트 플래시 EEPROM 셀들을 제작하였다. 측정 결과를 보면 ONO IPD 층을 갖는 소자들은 데이터 보존 특성이 심각하게 열화 되었으며, 그 특성의 활성화 에너지도 0.78 eV로 플래시 EEPROM 셀을 위하여 요구되는 최소 값(1.0 eV)보다 상당히 낮았다. 이는 구동 소자용 트랜지스터(peripheral MOSFET) 소자들의 게이트 산호막을 형성하기 위한 건열산화 공정 바로 직전에 실시하는 세정 공정 동안 IPD 층의 상층 산화막의 일부 또는 전부가 식각되었기 때문인 것으로 믿어진다. 반면에, ONON IPD 층을 갖는 소자들의 데이터 보존 특성은 상단히 (약 50% 이상) 개선되었으며 활성화 에너지도 1.1 eV인 것으로 나타났다. 이는 IPD 층에서 상층 산화막위에 있는 질화막이 그 세정 공정 동안 산화막이 식각되는 것을 방지해 주기 때문임에 틀림없다.