• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2005.06a
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• pp.189-191
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• 2005

태양전지 분야에서 최근 크게 주목받고 있는 염료감응형 태양전지(DSC)의 효율 및 대면적화에 대한 연구는 지속적으로 이루어지고 있다. 그러나 염료감응형 태양전지의 대면적화로 인한 셀 내부의 전자 흐름에 관한 셀 특성의 고찰은 이루어지고 있지 않다. 따라서 본 연구에서는 염료감응형 태양전지의 대면적화에 앞서 염료감응형 태양전지의 대면적화에 따른 셀 특성을 알아보았다. 본 실험에서는 대면적화의 하나의 변수로서 셀의 가로 폭을 선택하였고, 가로 폭의 변화에 따른 각 샘플 셀의 전기특성을 확인하였다. 그 결과 셀의 폭이 증가할수록 표면저항이 커져 염료에서 발생된 광전자가 표면저항으로 인해 포집이 잘 이루어지지 않게 되어 전자의 흐름이 원활하지 않게 됨을 알 수 있었다. 궁극적으로 셀의 대면적화는 표면저항의 증가로 이어져 셀 특성에 나쁜 영향을 미치게 됨을 확인 할 수 있었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1997.07d
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• pp.1289-1291
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• 1997

전류 센싱 MOSFET의 센싱 셀과 메인 셀의 온저항 모델을 달리 세워 원자재 산포에 따른 소자의 특성 산포 분량의 원인을 규명하였다. 에피의 농도와 두께가 증가할수록 센싱 셀의 온저항이 메인셀보다 작아지며 농도와 두께의 변화가 있을때의 온저항 변화율도 작은것으로 나타났다. 원자재 산포에 의한 SENSE FET 특성 산포를 줄이기 위해서는 정사각형 형태의 SENSE cell 배치가 효과적이며 센스 셀과 메인 셀의 간섭을 방지하기 위해서는 센싱 저항을 센스 셀의 온저항의 1/10 이하로 설계하고 간격이 최소한 에피 두께 이상이 되어야함을 밝혔다.

• Journal of IKEEE
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• v.1 no.1 s.1
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• pp.11-18
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• 1997

By utilizing the technique to monitor the DC cell node voltages through circuit simulation, degradation of the static read operating margin In high load-resistor SRAM cell was examined, which is caused by parasitic resistances and transistor asymmetries in this cell structure. By selectively adding the parasitic resistances to an ideal cell, the influence of each parasitic resistance on the operating margin was examined, and then the cases with parasitic resistances in pairs were also examined. By selectively changing the channel width of cell transistors to generate cell asymmetry, the influence of cell asymmetry on the operating margin was also examined. Analyses on the operating margins were performed by comparing the supply voltage values at which two cell node voltages merge to a single value and the differences of cell node voltages at VDD=5V in the simulated node voltage characteristics. By determining the parasitic resistances and the transistor asymmetries which give the most serious effect on the static read-operation of SRAM cell from this analysis based on circuit simulated, a criteria was provided, which can be referred in the design of new SRAM cell structures.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.06a
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• pp.55-55
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• 2010

상변화 메모리용 셀은 전류 구동형으로써 셀에 전류를 인가하였을 때 저항이 높은 상태(비정질상)과 저항이 낮은 상태(결정질상)의 두가지 특성을 갖는다. 저항이 높은 상태에서 전류나 전압을 인가하면 높은 저항을 보이다가 일정 값(threshold voltage) 이상에서 낮은 저항을 갖는 현상을 보인다. 이때 상변화물질의 종류 혹은 셀의 사이즈에 따라 threshold voltage의 차이가 나타나는데 이 값을 줄임으로서 상변화 메모리의 구동 전류의 감소에 기여할 수 있다. 본 연구에서는 스퍼터링 방법을 이용해 박막형식의 셀을 제작하여 전기적 특성을 관찰하였다. 셀은 Si 기판 위에 radio frequency power supply 와 direct current power supply를 사용해 하부전극과 상변화층, 그리고 상부전극의 순으로 증착하여 제작하였다. 상변화층은 $Ge_2Sb_2Te_5$를 사용하였고 제작된 셀은 scanning electon microscope(SEM)를 이용하여 표면의 상태를 확인하였고 Keithley 4200scs를 이용하여 인가된 전류 혹은 전압에 따른 특성변화를 측정하였다.

• Journal of the Computational Structural Engineering Institute of Korea
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• v.14 no.2
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• pp.181-192
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• 2001

이 논문은 샌드위치식 강-콘크리트 복합구조체에서 상하 강판과 격벽으로 구성되는 셀의 형상비가 거동과 성능에 미치는 영향을 다루었다. 이 구조체에서 셀 형상비는 하중전달 메카니즘과 하중분배능력을 변화시킨다. 따라서 셀 형상비에 따라 부재의 응력수준과 하중저항능력이 변화한다. 이 연구에서는 셀 형상비가 이 구조체의 거동과 성능에 미치는 영향을 규명하기 위해, 두 종류의 샌드위치식 복합구조체에 대해 다양한 셀 형상비를 설정하여 비선형 구조해석을 수행하였다. 해석결과로부터 셀 형상비에 따른 하중전달 메카니즘과 부채 응력에서의 차이점을 도출하였으며, 이들 차이점을 바탕으로 셀 형상비가 전단성능, 휨성능, 하중저항성능에 미치는 영향을 분석하였고, 파괴모드와 연성에 미치는 영향에 대해서도 간략히 언급하였다. 연구결과, 셀 형상비가 증가함에 따라 하부 강판과 콘크리트의 응력수준이 낮아지는 결과를 나타내었다. 이것은 각 부재의 유효휨강성과 유효전단강성 증가를 나타내며, 따라서 구조체의 하중저항성능도 향상되는 것으로 판단된다. 특히 셀 형상비의 증가에 따른 성능향상에서 전단성능이 휨성능에 비해 더 큰 효과를 나타내며, 이러한 차이는 파괴모드와 연성에도 영향을 미칠 것으로 판단된다. 즉, 셀 형상비가 증가함에 따라 구조물의 거동 및 파괴모드는 점차적으로 전단에서 휨으로 변화하고, 이에 따라 구조물의 연성도 점차적으로 향상될 것으로 판단된다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.9 no.6
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• pp.301-305
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• 1999

NiFe(60$\AA$)/Co(5$\AA$)/Cu(60$\AA$)/Co(30$\AA$) spin valve thin films were patterned into magnetoresistive random access memory (MRAM) cells by a conventional optical lithography process and their output and switching properties were characterized with respect to the cell size and geometry. When 1 mA of constant sense current was applied to the cells, a few or a few tens of mV of output voltage was measured within about 30 Oe of external magnetic field, which is an adequate output property for the commercializing of competitive MRAM devices. In order to resolve the problem of increase in the switching thresholds of magnetic layers with the downsizing of MRAM cells, a new approach using the controlled shape anisotropy was suggested and interpreted by a simple calculation of anisotropy energies of magnetic layers consisting of the cells. This concept gave a reduced switching threshold in NiFe(60$\AA$)/Co(5$\AA$) layer consisting of the patterned cells from about 15 Oe to 5 Oe and it was thought that this concept would be much helpful for the realization of competitive MRAM devices.

• Proceedings of the Korea Concrete Institute Conference
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• 1999.10a
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• pp.211-214
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• 1999

염화물 및 방청제가 함유된 철근 콘크리트의 부식특성을 마크로 셀 부식측정 방법인 갈바닉 전류 측정과 마이크로 셀 부식측정 방법인 선형분극 측정법 및 교류 임피던스법을 이용하여 염화물 및 방청제의 영향을 평가하였다. 마크로/마이크로 셀 부식측정기 Calcium Nitrite 방청제가 첨가된 시험체의 경우 갈바닉 전류 측정결과 낮은 전류값을 유지하였고, 교류 임피던스 측정결과 분극저항의 감소가 나타나지 않았으므로, 방청제의 첨가가 콘크리트내 철근의 부동태 피막을 보호하여 부식저항성을 향상시킴을 알 수 있었다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2016.11a
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• pp.176-177
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• 2016

본 논문에서는 효율적인 배터리 팩 설계를 위해 300개의 18650 리튬이온 셀의 전기적 특성을 비교분석하였고 통계적 분석을 기반으로 스크리닝 기법을 적용하였다. 300개의 고출력 원통형 18650 리튬이온 배터리 셀을 사용하여 전류적산법 기반 방전 용량(discharged capacity)과 HPPC(hybrid pulse power Characterization) test 기반 충전저항과 방전저항을 추출하였다. 추출한 파라미터를 바탕으로 통계적 분석을 수행하고 스크리닝 기법을 적용하였다. 스크리닝 기법을 적용한 셀과 랜덤으로 추출된 셀을 비교 및 분석하였다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SC
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• v.40 no.6
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• pp.8-15
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• 2003

In this paper, the issue of the differential ring oscillator in designing low phase noise is linearity improvement of delay cell's load resistor. A novel differential delay cell that improves on the Maneatis load is proposed. The linearity improvement of load resistor results in lower phase noise in ring oscillator. For comparison of the phase noise characteristics, Ali Hajimiri's phase noise model is used. In order to have a low ISF(impulse sensitivity function), it is important to have a symmetry between rise time and fall time of oscillation waveform. The ISF value of ing oscillator based on the proposed delay cell is lower than that of the existing ring oscillators. Due to this result, the phase noise is improved by 2~3dBc/Hz for the same power dissipation and oscillation frequency.

• Journal of IKEEE
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• v.28 no.1
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• pp.14-19
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• 2024

To determine the performance of recycled cells for application to residential BESS, cells used over the past 5 years were selected. The basic specifications of the cell used in the test are nominal voltage of 3.7[V], nominal capacity of 2,200[mAh], charging voltage of 4.05[V], continuous discharge current of 1[C](2,200[mA]), continuous charging current of 0.5[C](1,100[mA]). For new cells, the internal resistance was 21.3±1[mΩ], but for recycled cells, the average internal resistance was 25.38[mΩ], an increase of about 19.1[%]. The charge·discharge capacity was approximately 18.9~19.3[%] lower than that of a new cell. Because internal resistance and charge·discharge capacity are closely related to cell aging, cells to be applied to BESS need to use products with an initial internal resistance of 1.5 times or less and a charge·discharge capacity performance of 70[%] or more.